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公开(公告)号：CN115621204A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211287237.3
申请日：2022-10-20
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L29/49
Abstract: 本发明提供了一种重置金属栅的方法，包括：形成待重置金属栅结构，所述待重置金属栅结构包括自下向上堆叠设置的第一MOS管结构、第二MOS管结构；刻蚀所述第二MOS管结构的第二沟道及所述第二沟道的外围结构，以形成连通所述第一MOS管结构的第一沟道的外围结构的第一通孔结构，所述第一沟道的外围结构和所述第二沟道的外围结构均包括栅极和介电层，所述介电层环绕所述栅极设置；沉积二氧化硅，然后在所述二氧化硅上形成连通所述第一MOS管结构的第一沟道的外围结构的第二通孔结构；沉积金属，以形成连通所述第一沟道的外围结构的金属接触结构，实现了分离栅结构。本发明还提供了一种半导体器件及电路。
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