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公开(公告)号：CN100559624C
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200480009516.7
申请日：2004-04-28
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L51/40
CPC classification number: H01L51/0005 , H01L51/0004 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/56
Abstract: 本发明提供了一种通过印刷技术构图有机和/或无机或生物分子的方法，用于利用这些层的半导体器件、电路、传感器、生物图形、生物芯片，以及显示器。向相变转换材料(24)添加有机分子、低聚物或纳米颗粒中的一种或多种物质或混合物(22)。得到的混合物(20)或其部分被加热(21)至所述相变材料的熔化温度，并沉积到衬底，例如用于全色显示器的薄膜晶体管上。当到达所述衬底时，所述加热的混合物(21)瞬时固化。然后通过升华去除所述相变材料，在所述衬底上保留有机和/或无机或生物分子的构图层。可重复所述沉积，以在彼此的顶部上形成多层。
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公开(公告)号：CN102484132A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201080038343.7
申请日：2010-08-30
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/7391 , B82Y10/00 , H01L29/0665
Abstract: 一种用于隧穿场效应晶体管(TFET)结构的间接诱导隧道发射极，其包含：外鞘，至少部分围绕伸长核心元件，所述伸长核心元件由第一半导体材料形成；绝缘层，设置在所述外鞘和所述核心元件之间；所述外鞘设置在对应于所述TFET结构的源极区域的位置处；以及源极接触，其将所述外鞘短路至所述核心元件；其中所述外鞘被配置为在所述核心元件的所述源极区域中引入足够在开状态期间隧穿至所述TFET结构的沟道区域的载流子浓度。
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公开(公告)号：CN102246237A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200980149958.4
申请日：2009-12-21
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 一种存储器元件(1)，其包括源极电极(12)、漏极电极(13)以及栅极，其中所述存储器元件的存储器状态可通过向所述栅极施加电压信号而加以切换，且可通过跨越沟道区域(21)测量所述源极电极与所述漏极电极之间的电流-电压特性加以读取。所述栅极包括多铁性材料(15)。可在所述沟道区域(21)中产生磁场。根据本发明，所述多铁性材料(15)包括第一稳定畴和第二稳定畴(15.1；15.2)，其中所述第一畴的切换状态通过在栅极电极与所述源极电极之间施加第一写入电压信号加以设定，且所述第二畴的切换状态通过在所述栅极电极与所述漏极电极之间施加第二写入电压信号加以设定，由此，所述存储器元件为2位存储器元件。
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公开(公告)号：CN101911204A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200980102325.8
申请日：2009-01-14
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: H01L43/08 , G11C11/161 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/147
Abstract: 根据本发明的一种存储器单元包括磁元件，该磁元件包括第一铁磁层和第二铁磁层(11，12)，该第一铁磁层和第二铁磁层的磁化的相对定向定义数据位，第一铁磁层和第二铁磁层由优选为电绝缘间隔物层(13)的非铁磁分离。如磁RAM领域中已知，可以通过优选地垂直于层平面测量跨磁元件的电阻来读出数据位。除了磁元件之外，存储器单元还包括磁化方向被良好定义的又一第三磁化层(15)和电阻切换材料(14)，可以通过借助施加的电压信号使离子浓度更改来更改该电阻切换材料的载流子密度。这样，载流子密度可以在第一状态与第二状态之间切换，以在第二铁磁层与第三铁磁层的磁化之间的总磁耦合改变方向(即，总磁耦合有利于第二铁磁层和第三铁磁层的磁化方向的不同相对定向)这样的方式影响第二铁磁层与第三铁磁层之间的有效交换耦合。
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公开(公告)号：CN1771614A
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN200480009516.7
申请日：2004-04-28
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L51/40
CPC classification number: H01L51/0005 , H01L51/0004 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/56
Abstract: 本发明提供了一种通过印刷技术构图有机和/或无机或生物分子的方法，用于利用这些层的半导体器件、电路、传感器、生物图形、生物芯片，以及显示器。向相变转换材料(24)添加有机分子、低聚物或纳米颗粒中的一种或多种物质或混合物(22)。得到的混合物(20)或其部分被加热(21)至所述相变材料的熔化温度，并沉积到衬底，例如用于全色显示器的薄膜晶体管上。当到达所述衬底时，所述加热的混合物(21)瞬时固化。然后通过升华去除所述相变材料，在所述衬底上保留有机和/或无机或生物分子的构图层。可重复所述沉积，以在彼此的顶部上形成多层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103682073B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201310334853.4
申请日：2013-08-02
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L35/00
CPC classification number: H01L35/28
Abstract: 本发明提供包括由单个热电材料形成的本体2、6、13、17的热电元件1、5、12、15。本体2、6、13、17在第一方向上延伸，在热电操作中沿着该第一方向建立热梯度。本体在所述第一方向上具有至少第一相邻分节和第二相邻分节s1、s2。所述分节s1、s2中的至少一个分节受到在所述第一方向上基本上环绕本体的中心轴CC向该分节施加的应力。该布置使得所述应力在第一分节和第二分节s1、s2中造成不同应力从而在本体中产生能量势垒以增强热电操作。
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公开(公告)号：CN103210492B
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201180054975.7
申请日：2011-11-02
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: H01L21/02603 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01L21/0262 , H01L21/02667 , H01L29/0669 , H01L29/0673 , H01L29/068 , H01L29/1054 , H01L29/42392 , H01L29/66439 , H01L29/66469 , H01L29/775 , H01L29/78687 , H01L29/78696
Abstract: 提供纳米线器件(7，14，25，38，40)以及用于形成这类器件的方法。该方法包括形成沿圆周包围半导体纳米线(1，10，20，30)的应力体层(6，13，23，33)。执行方法使得由于应力体层，纳米线受到径向和纵向应变中的至少一种应变以增强纳米线中的载流子迁移率。可以单独或者一起使用径向和纵向应变分量并且可以使径向和纵向应变分量各自变成拉伸或者压缩，从而允许制定所需应变特性以用于给定器件的纳米线中的增强传导率。
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公开(公告)号：CN102484132B
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201080038343.7
申请日：2010-08-30
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/7391 , B82Y10/00 , H01L29/0665
Abstract: 一种用于隧穿场效应晶体管(TFET)结构的间接诱导隧道发射极，其包含：外鞘，至少部分围绕伸长核心元件，所述伸长核心元件由第一半导体材料形成；绝缘层，设置在所述外鞘和所述核心元件之间；所述外鞘设置在对应于所述TFET结构的源极区域的位置处；以及源极接触，其将所述外鞘短路至所述核心元件；其中所述外鞘被配置为在所述核心元件的所述源极区域中引入足够在开状态期间隧穿至所述TFET结构的沟道区域的载流子浓度。
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公开(公告)号：CN102246237B
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN200980149958.4
申请日：2009-12-21
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 一种存储器元件(1)，其包括源极电极(12)、漏极电极(13)以及栅极，其中所述存储器元件的存储器状态可通过向所述栅极施加电压信号而加以切换，且可通过跨越沟道区域(21)测量所述源极电极与所述漏极电极之间的电流-电压特性加以读取。所述栅极包括多铁性材料(15)。可在所述沟道区域(21)中产生磁场。根据本发明，所述多铁性材料(15)包括第一稳定畴和第二稳定畴(15.1；15.2)，其中所述第一畴的切换状态通过在栅极电极与所述源极电极之间施加第一写入电压信号加以设定，且所述第二畴的切换状态通过在所述栅极电极与所述漏极电极之间施加第二写入电压信号加以设定，由此，所述存储器元件为2位存储器元件。
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公开(公告)号：CN1921172A
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN200610107702.5
申请日：2006-07-20
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: H01L51/5012 , H01L51/005
Abstract: 提供了一种电致发光器件，依次包括阳极、空穴注入层、包括发射材料的发射层、电子注入层，以及阴极。所述发射层还包括其能量带隙大于所述发射材料的能量带隙的稳定材料。
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