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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100487944C
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200610107702.5
申请日：2006-07-20
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: H01L51/5012 , H01L51/005
Abstract: 提供了一种电致发光器件，依次包括阳极、空穴注入层、包括发射材料的发射层、电子注入层，以及阴极。所述发射层还包括其能量带隙大于所述发射材料的能量带隙的稳定材料。
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公开(公告)号：CN1921172A
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN200610107702.5
申请日：2006-07-20
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: H01L51/5012 , H01L51/005
Abstract: 提供了一种电致发光器件，依次包括阳极、空穴注入层、包括发射材料的发射层、电子注入层，以及阴极。所述发射层还包括其能量带隙大于所述发射材料的能量带隙的稳定材料。
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公开(公告)号：CN116783599A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202180085990.1
申请日：2021-12-21
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G06N10/40
Abstract: 公开了一种减少杂散磁场对量子计算芯片的组件的影响的计算机实施的方法。该计算机实施的方法包括将第一电流信号施加到量子计算芯片的第一组件上，由此该第一组件产生影响该量子计算芯片的第二组件的操作的杂散磁场。该计算机实施的方法进一步包括将补偿电流信号施加到该量子计算芯片的屏蔽电路上，该补偿电流信号是根据该第一信号的预定函数而生成的，以便将该第二组件从由该第一组件生成的杂散磁场中磁性地屏蔽。
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公开(公告)号：CN102713866A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201080057092.7
申请日：2010-12-14
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： E·S·埃列夫特里奥 , R·哈斯 , P·米勒 , R·A·普莱卡
IPC: G06F12/02
CPC classification number: G06F12/0246 , G06F2212/7208
Abstract: 示例性实施例包括一种用于减少基于闪存的存储系统中的存取争用的方法，该方法包括：从具有多个通道和多个存储块的存储设备中选择空闲状态的芯片带，其中，该芯片带包括多个页面；将芯片带设置为写入状态；设置多个通道中的每个通道中的写队列头；对于闪存带中的多个通道的每个通道，将写队列头设置到来自芯片带的属于该通道的芯片中的第一空闲页面；根据写入分配调度器，在通道间分配写入请求；生成页面写入，以及响应于页面写入，递增写队列头；以及当芯片带已满时，将芯片带设置为在线状态。
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公开(公告)号：CN102713866B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201080057092.7
申请日：2010-12-14
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： E·S·埃列夫特里奥 , R·哈斯 , P·米勒 , R·A·普莱卡
IPC: G06F12/02
CPC classification number: G06F12/0246 , G06F2212/7208
Abstract: 示例性实施例包括一种用于减少基于闪存的存储系统中的存取争用的方法，该方法包括：从具有多个通道和多个存储块的存储设备中选择空闲状态的芯片带，其中，该芯片带包括多个页面；将芯片带设置为写入状态；设置多个通道中的每个通道中的写队列头；对于闪存带中的多个通道的每个通道，将写队列头设置到来自芯片带的属于该通道的芯片中的第一空闲页面；根据写入分配调度器，在通道间分配写入请求；生成页面写入，以及响应于页面写入，递增写队列头；以及当芯片带已满时，将芯片带设置为在线状态。
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