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公开(公告)号：CN103688362A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201280035798.2
申请日：2012-06-19
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/7391 , H01L29/42312
Abstract: 本发明涉及一种隧道场效应晶体管（1），该隧道场效应晶体管包括：至少源极区域（2），包括对应源极半导体材料；至少漏极区域（3），包括对应漏极半导体材料；以及在源极区域（2）与漏极区域（3）之间布置的至少沟道区域（4），包括对应沟道半导体材料。隧道场效应晶体管（1）还包括：在源极区域（2）与沟道区域（4）之间的至少界面（5’）上提供的至少源极-沟道栅极电极（5）；在源极-沟道栅极电极（5）与在源极区域（2）与沟道区域（4）之间的至少界面（5’）之间提供的与源极-沟道栅极电极（5）对应的至少绝缘体（5’’）；在漏极区域（3）与沟道区域（4）之间的至少界面（6’）上提供的至少漏极-沟道栅极电极（6）；以及在漏极-沟道栅极电极（6）与在漏极区域（3）与沟道区域（4）之间的至少界面（6）之间提供的与漏极-沟道栅极电极（6）对应的至少绝缘体（6’’）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102906315A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201180025407.4
申请日：2011-05-23
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: C30B15/08 , C30B11/003 , C30B11/02 , C30B11/10 , C30B11/12 , C30B13/18 , C30B15/002 , C30B21/06 , C30B29/06 , C30B29/64 , H01L31/0312 , H01L31/036 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , Y10T117/1032
Abstract: 一种用于制造单晶片（11），特别地，硅片（11）的方法，包括：提供其间形成间隙（3）的至少两个孔元件（1、2）；在所述至少两个孔元件（1、2）之间的间隙（3）中提供包含硅的熔融合金（4）；在熔融合金（4）附近提供包含硅的气态前体介质（5）；在熔融合金（4）附近提供硅成核晶体（6）；以及使硅成核晶体（6）与熔融合金（4）接触。一种用于制造单晶片（11），特别地，硅片（11）的设备（10、20），包括：至少两个孔元件（1、2），其彼此相距预定距离（D）而形成间隙（3），且适合于被加热以通过表面张力使包含硅的熔融合金（4）保持在孔元件（1、2）之间的间隙（3）中；用于在熔融合金（4）附近供应包含硅的气态前体介质（5）的装置（15）；以及用于在熔融合金（2）附近保持和移动成核晶体（6）的定位装置（16）。
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公开(公告)号：CN102484132A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201080038343.7
申请日：2010-08-30
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/7391 , B82Y10/00 , H01L29/0665
Abstract: 一种用于隧穿场效应晶体管(TFET)结构的间接诱导隧道发射极，其包含：外鞘，至少部分围绕伸长核心元件，所述伸长核心元件由第一半导体材料形成；绝缘层，设置在所述外鞘和所述核心元件之间；所述外鞘设置在对应于所述TFET结构的源极区域的位置处；以及源极接触，其将所述外鞘短路至所述核心元件；其中所述外鞘被配置为在所述核心元件的所述源极区域中引入足够在开状态期间隧穿至所述TFET结构的沟道区域的载流子浓度。
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公开(公告)号：CN103688362B
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201280035798.2
申请日：2012-06-19
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/7391 , H01L29/42312
Abstract: 本发明涉及一种隧道场效应晶体管（1），该隧道场效应晶体管包括：至少源极区域（2），包括对应源极半导体材料；至少漏极区域（3），包括对应漏极半导体材料；以及在源极区域（2）与漏极区域（3）之间布置的至少沟道区域（4），包括对应沟道半导体材料。隧道场效应晶体管（1）还包括：在源极区域（2）与沟道区域（4）之间的至少界面5’）上提供的至少源极-沟道栅极电极（5）；在源极-沟道栅极电极（5）与在源极区域（2）与沟道区域（4）之间的至少界面（5’）之间提供的与源极-沟道栅极电极（5）对应的至少绝缘体（5’’）；在漏极区域（3）与沟道区域（4）之间的至少界面（6’）上提供的至少漏极-沟道栅极电极（6）；以及在漏极-沟道栅极电极（6）与在漏极区域（3）与沟道区域（4）之间的至少界面（6）之间提供的与漏极-沟道栅极电极（6）对应的至少绝缘体（6’’）。
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公开(公告)号：CN102906315B
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201180025407.4
申请日：2011-05-23
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: C30B15/08 , C30B11/003 , C30B11/02 , C30B11/10 , C30B11/12 , C30B13/18 , C30B15/002 , C30B21/06 , C30B29/06 , C30B29/64 , H01L31/0312 , H01L31/036 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , Y10T117/1032
Abstract: 一种用于制造单晶片（11），特别地，硅片（11）的方法，包括：提供其间形成间隙（3）的至少两个孔元件（1、2）；在所述至少两个孔元件（1、2）之间的间隙（3）中提供包含硅的熔融合金（4）；在熔融合金（4）附近提供包含硅的气态前体介质（5）；在熔融合金（4）附近提供硅成核晶体（6）；以及使硅成核晶体（6）与熔融合金（4）接触。一种用于制造单晶片（11），特别地，硅片（11）的设备（10、20），包括：至少两个孔元件（1、2），其彼此相距预定距离（D）而形成间隙（3），且适合于被加热以通过表面张力使包含硅的熔融合金（4）保持在孔元件（1、2）之间的间隙（3）中；用于在熔融合金（4）附近供应包含硅的气态前体介质（5）的装置（15）；以及用于在熔融合金（2）附近保持和移动成核晶体（6）的定位装置（16）。
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公开(公告)号：CN102484132B
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201080038343.7
申请日：2010-08-30
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/7391 , B82Y10/00 , H01L29/0665
Abstract: 一种用于隧穿场效应晶体管(TFET)结构的间接诱导隧道发射极，其包含：外鞘，至少部分围绕伸长核心元件，所述伸长核心元件由第一半导体材料形成；绝缘层，设置在所述外鞘和所述核心元件之间；所述外鞘设置在对应于所述TFET结构的源极区域的位置处；以及源极接触，其将所述外鞘短路至所述核心元件；其中所述外鞘被配置为在所述核心元件的所述源极区域中引入足够在开状态期间隧穿至所述TFET结构的沟道区域的载流子浓度。
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