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公开(公告)号：CN100487944C
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200610107702.5
申请日：2006-07-20
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: H01L51/5012 , H01L51/005
Abstract: 提供了一种电致发光器件，依次包括阳极、空穴注入层、包括发射材料的发射层、电子注入层，以及阴极。所述发射层还包括其能量带隙大于所述发射材料的能量带隙的稳定材料。
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公开(公告)号：CN100559624C
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200480009516.7
申请日：2004-04-28
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L51/40
CPC classification number: H01L51/0005 , H01L51/0004 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/56
Abstract: 本发明提供了一种通过印刷技术构图有机和/或无机或生物分子的方法，用于利用这些层的半导体器件、电路、传感器、生物图形、生物芯片，以及显示器。向相变转换材料(24)添加有机分子、低聚物或纳米颗粒中的一种或多种物质或混合物(22)。得到的混合物(20)或其部分被加热(21)至所述相变材料的熔化温度，并沉积到衬底，例如用于全色显示器的薄膜晶体管上。当到达所述衬底时，所述加热的混合物(21)瞬时固化。然后通过升华去除所述相变材料，在所述衬底上保留有机和/或无机或生物分子的构图层。可重复所述沉积，以在彼此的顶部上形成多层。
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公开(公告)号：CN102906315A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201180025407.4
申请日：2011-05-23
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: C30B15/08 , C30B11/003 , C30B11/02 , C30B11/10 , C30B11/12 , C30B13/18 , C30B15/002 , C30B21/06 , C30B29/06 , C30B29/64 , H01L31/0312 , H01L31/036 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , Y10T117/1032
Abstract: 一种用于制造单晶片（11），特别地，硅片（11）的方法，包括：提供其间形成间隙（3）的至少两个孔元件（1、2）；在所述至少两个孔元件（1、2）之间的间隙（3）中提供包含硅的熔融合金（4）；在熔融合金（4）附近提供包含硅的气态前体介质（5）；在熔融合金（4）附近提供硅成核晶体（6）；以及使硅成核晶体（6）与熔融合金（4）接触。一种用于制造单晶片（11），特别地，硅片（11）的设备（10、20），包括：至少两个孔元件（1、2），其彼此相距预定距离（D）而形成间隙（3），且适合于被加热以通过表面张力使包含硅的熔融合金（4）保持在孔元件（1、2）之间的间隙（3）中；用于在熔融合金（4）附近供应包含硅的气态前体介质（5）的装置（15）；以及用于在熔融合金（2）附近保持和移动成核晶体（6）的定位装置（16）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102484132A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201080038343.7
申请日：2010-08-30
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/7391 , B82Y10/00 , H01L29/0665
Abstract: 一种用于隧穿场效应晶体管(TFET)结构的间接诱导隧道发射极，其包含：外鞘，至少部分围绕伸长核心元件，所述伸长核心元件由第一半导体材料形成；绝缘层，设置在所述外鞘和所述核心元件之间；所述外鞘设置在对应于所述TFET结构的源极区域的位置处；以及源极接触，其将所述外鞘短路至所述核心元件；其中所述外鞘被配置为在所述核心元件的所述源极区域中引入足够在开状态期间隧穿至所述TFET结构的沟道区域的载流子浓度。
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公开(公告)号：CN1771614A
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN200480009516.7
申请日：2004-04-28
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L51/40
CPC classification number: H01L51/0005 , H01L51/0004 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/56
Abstract: 本发明提供了一种通过印刷技术构图有机和/或无机或生物分子的方法，用于利用这些层的半导体器件、电路、传感器、生物图形、生物芯片，以及显示器。向相变转换材料(24)添加有机分子、低聚物或纳米颗粒中的一种或多种物质或混合物(22)。得到的混合物(20)或其部分被加热(21)至所述相变材料的熔化温度，并沉积到衬底，例如用于全色显示器的薄膜晶体管上。当到达所述衬底时，所述加热的混合物(21)瞬时固化。然后通过升华去除所述相变材料，在所述衬底上保留有机和/或无机或生物分子的构图层。可重复所述沉积，以在彼此的顶部上形成多层。
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公开(公告)号：CN102906315B
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201180025407.4
申请日：2011-05-23
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: C30B15/08 , C30B11/003 , C30B11/02 , C30B11/10 , C30B11/12 , C30B13/18 , C30B15/002 , C30B21/06 , C30B29/06 , C30B29/64 , H01L31/0312 , H01L31/036 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , Y10T117/1032
Abstract: 一种用于制造单晶片（11），特别地，硅片（11）的方法，包括：提供其间形成间隙（3）的至少两个孔元件（1、2）；在所述至少两个孔元件（1、2）之间的间隙（3）中提供包含硅的熔融合金（4）；在熔融合金（4）附近提供包含硅的气态前体介质（5）；在熔融合金（4）附近提供硅成核晶体（6）；以及使硅成核晶体（6）与熔融合金（4）接触。一种用于制造单晶片（11），特别地，硅片（11）的设备（10、20），包括：至少两个孔元件（1、2），其彼此相距预定距离（D）而形成间隙（3），且适合于被加热以通过表面张力使包含硅的熔融合金（4）保持在孔元件（1、2）之间的间隙（3）中；用于在熔融合金（4）附近供应包含硅的气态前体介质（5）的装置（15）；以及用于在熔融合金（2）附近保持和移动成核晶体（6）的定位装置（16）。
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公开(公告)号：CN102484132B
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201080038343.7
申请日：2010-08-30
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/7391 , B82Y10/00 , H01L29/0665
Abstract: 一种用于隧穿场效应晶体管(TFET)结构的间接诱导隧道发射极，其包含：外鞘，至少部分围绕伸长核心元件，所述伸长核心元件由第一半导体材料形成；绝缘层，设置在所述外鞘和所述核心元件之间；所述外鞘设置在对应于所述TFET结构的源极区域的位置处；以及源极接触，其将所述外鞘短路至所述核心元件；其中所述外鞘被配置为在所述核心元件的所述源极区域中引入足够在开状态期间隧穿至所述TFET结构的沟道区域的载流子浓度。
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公开(公告)号：CN1921172A
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN200610107702.5
申请日：2006-07-20
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: H01L51/5012 , H01L51/005
Abstract: 提供了一种电致发光器件，依次包括阳极、空穴注入层、包括发射材料的发射层、电子注入层，以及阴极。所述发射层还包括其能量带隙大于所述发射材料的能量带隙的稳定材料。
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