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发明公开
集成的相变存储器单元突出衬垫和蚀刻停止层审中-实审

公开(公告)号：CN116472799A

公开(公告)日：2023-07-21

申请号：CN202180074882.4

申请日：2021-11-05

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： K·W·布雷弗 , 玉仁祚 , I·R·萨拉夫 , N·索尔尼尔 , M·J·布里戈特斯基 , R·L·布鲁斯

IPC: H10N70/00 , H10B63/00

Abstract: 一种蘑菇型相变存储器(PCM)单元，包括位于PCM体积和底部电极之间的突出衬垫。突出衬垫从之前在PCM单元的制造期间和/或更高级IC器件的制造期间用作蚀刻停止层的层被保留。突出衬垫可以延伸超过PCM侧壁或侧边界。突出衬垫的该部分可以位于或掩埋在电介质或密封间隔件之下，并且可以增加位于PCM体积之下的突出衬垫的厚度均匀性。

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