公开(公告)号：CN116472799A

公开(公告)日：2023-07-21

申请号：CN202180074882.4

申请日：2021-11-05

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： K·W·布雷弗 ,  玉仁祚 ,  I·R·萨拉夫 ,  N·索尔尼尔 ,  M·J·布里戈特斯基 ,  R·L·布鲁斯

IPC: H10N70/00 ,  H10B63/00

Abstract: 一种蘑菇型相变存储器(PCM)单元，包括位于PCM体积和底部电极之间的突出衬垫。突出衬垫从之前在PCM单元的制造期间和/或更高级IC器件的制造期间用作蚀刻停止层的层被保留。突出衬垫可以延伸超过PCM侧壁或侧边界。突出衬垫的该部分可以位于或掩埋在电介质或密封间隔件之下，并且可以增加位于PCM体积之下的突出衬垫的厚度均匀性。

公开(公告)号：CN116635937A

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202180081316.6

申请日：2021-11-18

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 玉仁祚 ,  鲍如强 ,  A·H·西蒙 ,  K·布里 ,  N·索尔尼尔 ,  I·R·萨拉夫 ,  M·桑卡拉潘迪恩 ,  S·麦合塔

IPC: G11C11/56

Abstract: 一种半导体结构(100)，包括：由电介质层(114)包围的加热器(116)；在加热器(116)的顶部部分上的投射衬垫(124)；在投射衬垫(124)上方的相变材料层(126)；以及包围相变材料层(126)的顶部的顶部电极触点(136)。投射衬垫可覆盖加热器(116)的顶表面。投射衬垫(124)可以将相变材料层(126)与第二电介质层和加热器(116)分隔开。投射衬垫(124)可以在相变材料层(126)的结晶相(126a)和无定形相(126b)中提供平行的传导路径。顶部电极触点(136)可以通过金属衬垫(134)与相变材料层(126)分隔开。半导体结构(100)可包括在加热器(116)下方并与加热器(116)电接触的底部电极(110)和在相变材料层(126)上方并与相变材料层(126)电接触的顶部电极(128)。

公开(公告)号：CN116569667A

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202180081265.7

申请日：2021-11-18

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 玉仁祚 ,  鲍如强 ,  A·H·西蒙 ,  K·布里 ,  N·索尔尼尔 ,  I·R·萨拉夫 ,  P·布萨莱

IPC: H10B63/10

Abstract: 一种半导体结构(100)，包括：被第二电介质层(114)包围的加热器(116)；在第二电介质层(114)的顶部上的投射衬垫(124)；以及在投射衬垫(124)上方的相变材料层(126)。投射衬垫(124)的顶表面与加热器(116)的顶表面基本上齐平。投射衬垫(124)将相变材料层(126)与第二电介质层(114)分隔开。投射衬垫(124)可以在相变材料层(126)的结晶相(126a)和无定形相(126b)中提供平行的传导路径。半导体结构(100)可包括在加热器(116)下方并与加热器(116)电接触的底部电极(110)和在相变材料层(126)上方并与相变材料层(126)电接触的顶部电极(128)。