公开(公告)号：CN1233856A

公开(公告)日：1999-11-03

申请号：CN99105191.2

申请日：1999-04-26

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： D·C·埃德尔斯坦 ,  J·M·E·哈珀 ,  A·H·西蒙 ,  C·E·乌祖赫 ,  胡朝坤

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/76871 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/53233 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种用于提供与电子器件电联耦合的互连结构,该互连结构包括基本上由铜构成的主体和或者是铜合金或者是不含铜的金属构成的籽晶层,所说籽晶层夹在铜导电体和电子器件之间,用于改善互连结构的抗电迁移性、粘附性和其它表面特性。本发明还公开了形成用于提供与电子器件的电连接的互连结构的方法,包括以下步骤:首先在电子器件上淀积铜合金或不含铜的其它金属构成的籽晶层,然后在籽晶层上与之紧密键合地形成铜导电主体,以便改善互连结构的抗电迁移性、粘附性和其它表面特性。

公开(公告)号：CN1150619C

公开(公告)日：2004-05-19

申请号：CN99105191.2

申请日：1999-04-26

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： D·C·埃德尔斯坦 ,  J·M·E·哈珀 ,  A·H·西蒙 ,  C·E·乌祖赫 ,  胡朝坤

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/76871 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/53233 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种用于提供与电子器件电联耦合的互连结构，该互连结构包括基本上由铜构成的主体和或者是铜合金或者是不含铜的金属构成的籽晶层，所说籽晶层夹在铜导电体和电子器件之间，用于改善互连结构的抗电迁移性、粘附性和其它表面特性。本发明还公开了形成用于提供与电子器件的电连接的互连结构的方法，包括以下步骤：首先在电子器件上淀积铜合金或不含铜的其它金属构成的籽晶层，然后在籽晶层上与之紧密键合地形成铜导电主体，以便改善互连结构的抗电迁移性、粘附性和其它表面特性。