公开(公告)号：CN100424804C

公开(公告)日：2008-10-08

申请号：CN200480019233.0

申请日：2004-06-02

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： H·德利吉安尼 ,  P·安德里查科斯 ,  P·布赫瓦尔特 ,  J·科特 ,  C·雅内斯 ,  M·克里希南 ,  J·梅格莱因 ,  K·施泰因 ,  R·沃朗特 ,  J·托尔内洛 ,  J·伦德

IPC: H01H59/00

CPC classification number: H01H59/0009 ,  H01H2001/0052 ,  Y10T29/49156 ,  Y10T29/49165 ,  Y10T29/49204

Abstract: 本发明描述了一种具有贵金属接触的半导体微机电系统(MEMS)开关，贵金属接触用作铜电极的氧阻挡层。该MEMS开关完全集成在CMOS半导体制造线中。该集成技术、材料和工艺与铜芯片金属化工艺完全兼容以及典型地是低成本和低温工艺(低于400℃)。该MEMS开关包括：空腔内的可移动梁，所述可移动梁在其一端或两端固定到所述空腔的壁；嵌入所述可移动梁的第一电极；以及在所述空腔的壁中并面对所述第一电极的第二电极，其中所述第一和第二电极分别被贵金属接触覆盖。

公开(公告)号：CN1816890A

公开(公告)日：2006-08-09

申请号：CN200480019233.0

申请日：2004-06-02

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： H·德利吉安尼 ,  P·安德里查科斯 ,  P·布赫瓦尔特 ,  J·科特 ,  C·雅内斯 ,  M·克里希南 ,  J·梅格莱因 ,  K·施泰因 ,  R·沃朗特 ,  J·托尔内洛 ,  J·伦德

IPC: H01H59/00

CPC classification number: H01H59/0009 ,  H01H2001/0052 ,  Y10T29/49156 ,  Y10T29/49165 ,  Y10T29/49204

Abstract: 本发明描述了一种具有贵金属接触的半导体微机电系统(MEMS)开关，贵金属接触用作铜电极的氧阻挡层。该MEMS开关完全集成在CMOS半导体制造线中。该集成技术、材料和工艺与铜芯片金属化工艺完全兼容以及典型地是低成本和低温工艺(低于400℃)。该MEMS开关包括：空腔内的可移动梁，所述可移动梁在其一端或两端固定到所述空腔的壁；嵌入所述可移动梁的第一电极；以及在所述空腔的壁中并面对所述第一电极的第二电极，其中所述第一和第二电极分别被贵金属接触覆盖。