公开(公告)号：CN116635999A

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202180086652.X

申请日：2021-12-21

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： D·亚伯拉罕 ,  O·戴尔 ,  J·科特 ,  J·萨特尔

IPC: H01L23/00

Abstract: 一种量子半导体器件(200)包括：量子位芯片(202)；内插器芯片(208)，所述内插器芯片具有操作器，所述内插器芯片包括耦合到所述量子位芯片的第一侧的贯穿硅通孔(TSV)。多级布线MLW层(210,211,213)接触所述内插器芯片的下侧并且耦合到所述操作器的顶侧，所述TSV促进所述MLW层、所述内插器芯片的顶侧和量子位芯片之间的电信号连接，其中所述器件的结构减轻所述MLW层的各个线路上的信号串扰。

公开(公告)号：CN116324824A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202180067716.1

申请日：2021-09-29

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： J·萨特尔 ,  M·贝克

IPC: G06N10/00

Abstract: 提供了使用可调谐耦合器协助量子位之间的量子门的技术。在一个实例中，一个量子耦合设备可以包括：约瑟夫逊环调制器(JRM)，其经由相应的第一电容性器件和第二电容性器件操作性地耦合到平衡电桥拓扑中的第一量子位和第二量子位。JRM在第一量子位与第二量子位之间提供可调谐耦合。