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发明公开
具有投射衬垫的相变存储器单元审中-实审

公开(公告)号：CN116569667A

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202180081265.7

申请日：2021-11-18

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 玉仁祚 , 鲍如强 , A·H·西蒙 , K·布里 , N·索尔尼尔 , I·R·萨拉夫 , P·布萨莱

IPC: H10B63/10

Abstract: 一种半导体结构(100)，包括：被第二电介质层(114)包围的加热器(116)；在第二电介质层(114)的顶部上的投射衬垫(124)；以及在投射衬垫(124)上方的相变材料层(126)。投射衬垫(124)的顶表面与加热器(116)的顶表面基本上齐平。投射衬垫(124)将相变材料层(126)与第二电介质层(114)分隔开。投射衬垫(124)可以在相变材料层(126)的结晶相(126a)和无定形相(126b)中提供平行的传导路径。半导体结构(100)可包括在加热器(116)下方并与加热器(116)电接触的底部电极(110)和在相变材料层(126)上方并与相变材料层(126)电接触的顶部电极(128)。

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