用于含MTJ器件的增强单元件底部电极

    公开(公告)号:CN114287068A

    公开(公告)日:2022-04-05

    申请号:CN202080060022.0

    申请日:2020-08-20

    Abstract: 电介质材料结构在横向上与底部电极含金属部分的底部部分相邻地形成,该底部电极含金属部分从嵌入在互连电介质材料层中的导电结构向上延伸。然后修整底部电极含金属部分的物理暴露的顶部部分以提供整体构造(即,单件)的底部电极,该底部电极具有下部和上部,下部具有第一直径,上部具有大于第一直径的第二直径。介电材料结构的存在防止所得底部电极倾斜和/或弯曲。由此,提供稳定的底部电极。

    半导体结构与处理
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107615461A

    公开(公告)日:2018-01-19

    申请号:CN201680029745.8

    申请日:2016-05-06

    Abstract: 提供了一种半导体结构,所述半导体结构包含具有端壁(15W)并从衬底(10)向上延伸的半导体鳍部分(14P)。栅极结构(16)跨越所述半导体鳍部分(14P)的一部分。第一组栅极间隔物(24P/50P)位于栅极结构(16L/16R)的相对侧壁表面上;并且第二组栅极间隔物(32P)位于所述第一组栅极间隔物(24P/50P)的侧壁上。所述第二组栅极间隔物(32P)的一个栅极间隔物具有直接接触所述半导体鳍部分(14P)的所述端壁(15W)的下部。

    用于含MTJ器件的增强单元件底部电极

    公开(公告)号:CN114287068B

    公开(公告)日:2023-04-18

    申请号:CN202080060022.0

    申请日:2020-08-20

    Abstract: 电介质材料结构在横向上与底部电极含金属部分的底部部分相邻地形成,该底部电极含金属部分从嵌入在互连电介质材料层中的导电结构向上延伸。然后修整底部电极含金属部分的物理暴露的顶部部分以提供整体构造(即,单件)的底部电极,该底部电极具有下部和上部,下部具有第一直径,上部具有大于第一直径的第二直径。电介质材料结构的存在防止所得底部电极倾斜和/或弯曲。由此,提供稳定的底部电极。

    MTJ器件中的锥形通孔结构
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113169032A

    公开(公告)日:2021-07-23

    申请号:CN201980081245.2

    申请日:2019-12-17

    Abstract: 用于MRAM或基于MTJ的存储器单元的底部电极结构包括锥形,使得底部CD小于顶部CD。制造底部电极接触结构的工艺包括使用具有增加的聚合度的等离子体化学物质来蚀刻电介质层。获得了通过该工艺制成的产品。

    具有三维结构的感测表面的生物传感器电极

    公开(公告)号:CN110430811B

    公开(公告)日:2024-01-05

    申请号:CN201880018154.X

    申请日:2018-03-20

    Abstract: 本发明的实施例涉及一种传感器,其包括感测电路(116,126)和通信地耦合到感测电路(116,126)的探针(112,122)。探针(112,122)包括涂覆有识别元件的三维(3D)感测表面,并且三维(3D)感测表面被配置得至少部分地基于所述3D感测表面与预定物质相互作用,产生第一测量。在一些实施例中,所述3D感测表面被成形为金字塔、圆锥或圆柱,以增加二维(2D)感测表面上的感测表面区域。在一些实施例中,所述3D感测表面有助于3D感测表面穿过生物细胞(142A)的壁。

    具有三维结构的感测表面的生物传感器电极

    公开(公告)号:CN110430811A

    公开(公告)日:2019-11-08

    申请号:CN201880018154.X

    申请日:2018-03-20

    Abstract: 本发明的实施例涉及一种传感器,其包括感测电路(116,126)和通信地耦合到感测电路(116,126)的探针(112,122)。探针(112,122)包括涂覆有识别元件的三维(3D)感测表面,并且三维(3D)感测表面被配置得至少部分地基于所述3D感测表面与预定物质相互作用,产生第一测量。在一些实施例中,所述3D感测表面被成形为金字塔、圆锥或圆柱,以增加二维(2D)感测表面上的感测表面区域。在一些实施例中,所述3D感测表面有助于3D感测表面穿过生物细胞(142A)的壁。

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