公开(公告)号：CN114868257A

公开(公告)日：2022-08-05

申请号：CN202080085114.4

申请日：2020-12-02

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： A.福尔克 ,  S.扎法尔

IPC: H01L31/062 ,  H01L31/112

Abstract: 一种半导体结构，包括连接半导体衬底(312)上的源极(302)和半导体衬底(312)上的漏极(304)的沟道(310)，其中沟道(310)包括等离子体激元谐振器。一种传感器，包括等离子体激元膜、半导体结构和等离子体激元膜与半导体结构的栅极之间的电连接，其中等离子体激元膜包括对已知分析物的敏感性，半导体结构包括场效应晶体管的源极(302)和漏极(304)。一种形成传感器的方法，包括在半导体衬底(312)上形成场效应晶体管(“FET”)，该场效应晶体管包括源极(302)、漏极(304)和栅极，其中该栅极包括等离子体激元谐振器。

公开(公告)号：CN110430811B

公开(公告)日：2024-01-05

申请号：CN201880018154.X

申请日：2018-03-20

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S.扎法尔 ,  E.奥沙利文 ,  B.多里斯

IPC: G01N27/327

Abstract: 本发明的实施例涉及一种传感器，其包括感测电路(116，126)和通信地耦合到感测电路(116，126)的探针(112，122)。探针(112，122)包括涂覆有识别元件的三维(3D)感测表面，并且三维(3D)感测表面被配置得至少部分地基于所述3D感测表面与预定物质相互作用，产生第一测量。在一些实施例中，所述3D感测表面被成形为金字塔、圆锥或圆柱，以增加二维(2D)感测表面上的感测表面区域。在一些实施例中，所述3D感测表面有助于3D感测表面穿过生物细胞(142A)的壁。

公开(公告)号：CN110430811A

公开(公告)日：2019-11-08

申请号：CN201880018154.X

申请日：2018-03-20

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S.扎法尔 ,  E.奥沙利文 ,  B.多里斯

IPC: A61B5/053

Abstract: 本发明的实施例涉及一种传感器，其包括感测电路(116，126)和通信地耦合到感测电路(116，126)的探针(112，122)。探针(112，122)包括涂覆有识别元件的三维(3D)感测表面，并且三维(3D)感测表面被配置得至少部分地基于所述3D感测表面与预定物质相互作用，产生第一测量。在一些实施例中，所述3D感测表面被成形为金字塔、圆锥或圆柱，以增加二维(2D)感测表面上的感测表面区域。在一些实施例中，所述3D感测表面有助于3D感测表面穿过生物细胞(142A)的壁。

公开(公告)号：CN114868257B

公开(公告)日：2024-12-10

申请号：CN202080085114.4

申请日：2020-12-02

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： A.福尔克 ,  S.扎法尔

IPC: H01L31/062 ,  H01L31/112

Abstract: 一种半导体结构，包括连接半导体衬底(312)上的源极(302)和半导体衬底(312)上的漏极(304)的沟道(310)，其中沟道(310)包括等离子体激元谐振器。一种传感器，包括等离子体激元膜、半导体结构和等离子体激元膜与半导体结构的栅极之间的电连接，其中等离子体激元膜包括对已知分析物的敏感性，半导体结构包括场效应晶体管的源极(302)和漏极(304)。一种形成传感器的方法，包括在半导体衬底(312)上形成场效应晶体管(“FET”)，该场效应晶体管包括源极(302)、漏极(304)和栅极，其中该栅极包括等离子体激元谐振器。

公开(公告)号：CN110621356B

公开(公告)日：2022-07-15

申请号：CN201880015920.7

申请日：2018-03-06

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 胡欢 ,  S.吉福德 ,  E.金瑟 ,  S.扎法尔 ,  虞蓉卿

IPC: A61L27/30 ,  H01L21/00

Abstract: 本发明的各方面包括制造用于医疗植入装置的抗菌表面的方法，包括在硅衬底上图案化光致抗蚀剂层并蚀刻硅以产生多个纳米柱。本发明的各方面还包括从结构中去除光致抗蚀剂层并用生物相容性膜涂覆多个纳米柱。本发明的各方面还包括用于预防与医疗植入物相关的细菌感染的包括包含多个纳米柱的薄硅膜的系统。

公开(公告)号：CN110621356A

公开(公告)日：2019-12-27

申请号：CN201880015920.7

申请日：2018-03-06

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 胡欢 ,  S.吉福德 ,  E.金瑟 ,  S.扎法尔 ,  虞蓉卿

IPC: A61L27/30 ,  H01L21/00

Abstract: 本发明的各方面包括制造用于医疗植入装置的抗菌表面的方法，包括在硅衬底上图案化光致抗蚀剂层并蚀刻硅以产生多个纳米柱。本发明的各方面还包括从结构中去除光致抗蚀剂层并用生物相容性膜涂覆多个纳米柱。本发明的各方面还包括用于预防与医疗植入物相关的细菌感染的包括包含多个纳米柱的薄硅膜的系统。