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发明公开
半导体结构与处理有权转让

公开(公告)号：CN107615461A

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：CN201680029745.8

申请日：2016-05-06

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S.卡纳卡萨巴帕蒂 , F.L.李 , G.卡尔威 , 徐顺天 , S.西格 , 何虹 , D.刘 , B.多里斯

IPC: H01L21/336

Abstract: 提供了一种半导体结构，所述半导体结构包含具有端壁(15W)并从衬底(10)向上延伸的半导体鳍部分(14P)。栅极结构(16)跨越所述半导体鳍部分(14P)的一部分。第一组栅极间隔物(24P/50P)位于栅极结构(16L/16R)的相对侧壁表面上；并且第二组栅极间隔物(32P)位于所述第一组栅极间隔物(24P/50P)的侧壁上。所述第二组栅极间隔物(32P)的一个栅极间隔物具有直接接触所述半导体鳍部分(14P)的所述端壁(15W)的下部。

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