公开(公告)号：CN114287068A

公开(公告)日：2022-04-05

申请号：CN202080060022.0

申请日：2020-08-20

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： B.多里斯 ,  E.加利甘 ,  N.马查克 ,  P.哈什米

IPC: H01L43/08

Abstract: 电介质材料结构在横向上与底部电极含金属部分的底部部分相邻地形成，该底部电极含金属部分从嵌入在互连电介质材料层中的导电结构向上延伸。然后修整底部电极含金属部分的物理暴露的顶部部分以提供整体构造(即，单件)的底部电极，该底部电极具有下部和上部，下部具有第一直径，上部具有大于第一直径的第二直径。介电材料结构的存在防止所得底部电极倾斜和/或弯曲。由此，提供稳定的底部电极。

公开(公告)号：CN114287068B

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN202080060022.0

申请日：2020-08-20

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： B.多里斯 ,  E.加利甘 ,  N.马查克 ,  P.哈什米

IPC: H10N50/10

Abstract: 电介质材料结构在横向上与底部电极含金属部分的底部部分相邻地形成，该底部电极含金属部分从嵌入在互连电介质材料层中的导电结构向上延伸。然后修整底部电极含金属部分的物理暴露的顶部部分以提供整体构造(即，单件)的底部电极，该底部电极具有下部和上部，下部具有第一直径，上部具有大于第一直径的第二直径。电介质材料结构的存在防止所得底部电极倾斜和/或弯曲。由此，提供稳定的底部电极。

公开(公告)号：CN113169032A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN201980081245.2

申请日：2019-12-17

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： N.马查克 ,  B.多里斯 ,  P.哈什米

IPC: H01L21/00

Abstract: 用于MRAM或基于MTJ的存储器单元的底部电极结构包括锥形，使得底部CD小于顶部CD。制造底部电极接触结构的工艺包括使用具有增加的聚合度的等离子体化学物质来蚀刻电介质层。获得了通过该工艺制成的产品。