公开(公告)号：CN100447955C

公开(公告)日：2008-12-31

申请号：CN200580018051.6

申请日：2005-05-31

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 德伦·N·邓恩 ,  金亨俊 ,  斯蒂芬·M·罗斯纳杰尔 ,  徐顺天

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/52

CPC classification number: H01L21/76846 ,  H01L21/28562 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及在低k材料上沉积氮化钽(TaN)扩散阻挡区域的方法。该方法包括在腔中通过进行等离子体增强原子层沉积(PE-ALD)在低k材料衬底(102)上从钽基前体和氮等离子体形成保护层(104)。保护层(104)具有比其钽含量大的氮含量。然后通过进行PE-ALD从钽基前体以及包括氢和氮的等离子体形成基本化学计量的氮化钽层。本发明还包括这样形成的氮化钽扩散阻挡区域(108)。在一个实施例中，该金属前体包括五氯化钽(TaCl5)。本发明产生低k材料与衬垫材料之间锐利的界面。

公开(公告)号：CN100390958C

公开(公告)日：2008-05-28

申请号：CN200410078636.4

申请日：2004-09-14

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 金亨俊 ,  A·J·凯洛克 ,  S·M·罗斯纳戈尔

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/283 ,  H01L23/52 ,  C23C28/00

Abstract: 一种通过等离子体增强层淀积不同氮含量的TaN的方法。采用氢和氮等离子体的混和物，可以控制膜中的氮含量从0到N/Ta＝1.7。通过关闭淀积TaN过程中的氮流，可方便的生长一种TaN/Ta双层，其与单独的Ta层或者单独的TaN层相比，具有优越的铜扩散阻隔性能。

公开(公告)号：CN1306571C

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：CN200410057407.4

申请日：2004-08-12

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 小西里尔·卡布拉尔 ,  金亨俊 ,  斯蒂芬·M·洛斯纳格尔

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/285 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/28088 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/32053 ,  H01L21/76841 ,  H01L29/4966 ,  H01L2221/1078

Abstract: 本发明利用原子层淀积(ALD)方法提供了金属膜，它包含IVB或VB族金属、硅、以及可选的氮。确切地说，本发明提供了一种形成金属硅化物的低温热ALD方法以及一种形成金属氮硅化物膜的等离子体增强原子层淀积(PE-ALD)方法。本发明的方法能够在衬底表面上形成厚度为单层或更少的层的金属膜。本发明提供的金属膜能够被用于接触金属化、金属栅、或作为扩散势垒。

公开(公告)号：CN112823327B

公开(公告)日：2022-12-13

申请号：CN201980066637.1

申请日：2019-09-30

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 金世榮 ,  金亨俊 ,  T·高克曼 ,  M·拉斯克

IPC: G06F3/00 ,  G11C11/00 ,  G06N3/08

Abstract: 提供了模拟的交叉点阵列中的零偏移技术。在一个方面，模拟的基于阵列的矢量矩阵乘法包括：连接到参考阵列的权重阵列，每个权重阵列包括具有一组导电行导线(806a，806b)和与该组导电行导线(806a，806b)相交的一组导电列导线(808a，808b)的交叉开关阵列(802，804)，以及在该组导电列导线(808a，808b)和该组导电行导线(806a，806b)的交点处的可优化的交叉点器件(810a，810b)。还提供了一种用于模拟的基于阵列的矢量矩阵计算的方法，该方法包括：向权重阵列中的交叉点器件(810a)施加重复的电压脉冲，直到权重阵列中的所有交叉点器件(810a)收敛到它们自己的对称点；将每个交叉点器件(810a)的电导值从权重阵列复制到参考阵列。

公开(公告)号：CN1954412A

公开(公告)日：2007-04-25

申请号：CN200580015498.8

申请日：2005-05-23

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 埃尔伯特·E.·璜 ,  金亨俊 ,  罗伯特·D.·米勒 ,  萨特雅纳拉雅纳·V.·尼塔 ,  萨姆帕斯·普拉斯霍萨曼

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L21/76808 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/3125 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31608 ,  H01L21/31629 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76837 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 制造互连结构的方法，包括下列步骤：通过原子层淀积工艺或超临界流体工艺淀积一薄共形钝化电介质和/或扩散阻挡帽盖层和/或硬掩模。

公开(公告)号：CN101036217A

公开(公告)日：2007-09-12

申请号：CN200580018051.6

申请日：2005-05-31

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 德伦·N·邓恩 ,  金亨俊 ,  斯蒂芬·M·罗斯纳杰尔 ,  徐顺天

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/52

CPC classification number: H01L21/76846 ,  H01L21/28562 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及在低k材料上沉积氮化钽(TaN)扩散阻挡区域的方法。该方法包括在腔中通过进行等离子体增强原子层沉积(PE－ALD)在低k材料衬底(102)上从钽基前体和氮等离子体形成保护层(104)。保护层(104)具有比其钽含量大的氮含量。然后通过进行PE－ALD从钽基前体以及包括氢和氮的等离子体形成基本化学计量的氮化钽层。本发明还包括这样形成的氮化钽扩散阻挡区域(108)。在一个实施例中，该金属前体包括五氯化钽(TaCl5)。本发明产生低k材料与衬垫材料之间锐利的界面。

公开(公告)号：CN112823327A

公开(公告)日：2021-05-18

申请号：CN201980066637.1

申请日：2019-09-30

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 金世榮 ,  金亨俊 ,  T·高克曼 ,  M·拉斯克

IPC: G06F3/00 ,  G11C11/00 ,  G06N3/08

Abstract: 提供了模拟的交叉点阵列中的零偏移技术。在一个方面，模拟的基于阵列的矢量矩阵乘法包括：连接到参考阵列的权重阵列，每个权重阵列包括具有一组导电行导线(806a，806b)和与该组导电行导线(806a，806b)相交的一组导电列导线(808a，808b)的交叉开关阵列(802，804)，以及在该组导电列导线(808a，808b)和该组导电行导线(806a，806b)的交点处的可优化的交叉点器件(810a，810b)。还提供了一种用于模拟的基于阵列的矢量矩阵计算的方法，该方法包括：向权重阵列中的交叉点器件(810a)施加重复的电压脉冲，直到权重阵列中的所有交叉点器件(810a)收敛到它们自己的对称点；将每个交叉点器件(810a)的电导值从权重阵列复制到参考阵列。

公开(公告)号：CN1652319A

公开(公告)日：2005-08-10

申请号：CN200410078636.4

申请日：2004-09-14

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 金亨俊 ,  A·J·凯洛克 ,  S·M·罗斯纳戈尔

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/283 ,  H01L23/52 ,  C23C28/00

CPC classification number: C23C16/45542 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843

Abstract: 一种通过等离子体增强层淀积不同氮含量的TaN的方法。采用氢和氮等离子体的混和物，可以控制膜中的氮含量从0到N/Ta＝1.7。通过关闭淀积TaN过程中的氮流，可方便的生长一种TaN/Ta双层，其与单独的Ta层或者单独的TaN层相比，具有优越的铜扩散阻隔性能。

公开(公告)号：CN1585102A

公开(公告)日：2005-02-23

申请号：CN200410057407.4

申请日：2004-08-12

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 小西里尔·卡布拉尔 ,  金亨俊 ,  斯蒂芬·M·洛斯纳格尔

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/285 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/28088 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/32053 ,  H01L21/76841 ,  H01L29/4966 ,  H01L2221/1078

Abstract: 本发明利用原子层淀积(ALD)方法提供了金属膜，它包含IVB或VB族金属、硅、以及可选的氮。确切地说，本发明提供了一种形成金属硅化物的低温热ALD方法以及一种形成金属氮硅化物膜的等离子体增强原子层淀积(PE－ALD)方法。本发明的方法能够在衬底表面上形成厚度为单层或更少的层的金属膜。本发明提供的金属膜能够被用于接触金属化、金属栅、或作为扩散势垒。