公开(公告)号：CN101036217A

公开(公告)日：2007-09-12

申请号：CN200580018051.6

申请日：2005-05-31

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 德伦·N·邓恩 ,  金亨俊 ,  斯蒂芬·M·罗斯纳杰尔 ,  徐顺天

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/52

CPC classification number: H01L21/76846 ,  H01L21/28562 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及在低k材料上沉积氮化钽(TaN)扩散阻挡区域的方法。该方法包括在腔中通过进行等离子体增强原子层沉积(PE－ALD)在低k材料衬底(102)上从钽基前体和氮等离子体形成保护层(104)。保护层(104)具有比其钽含量大的氮含量。然后通过进行PE－ALD从钽基前体以及包括氢和氮的等离子体形成基本化学计量的氮化钽层。本发明还包括这样形成的氮化钽扩散阻挡区域(108)。在一个实施例中，该金属前体包括五氯化钽(TaCl5)。本发明产生低k材料与衬垫材料之间锐利的界面。

公开(公告)号：CN100447955C

公开(公告)日：2008-12-31

申请号：CN200580018051.6

申请日：2005-05-31

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 德伦·N·邓恩 ,  金亨俊 ,  斯蒂芬·M·罗斯纳杰尔 ,  徐顺天

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/52

CPC classification number: H01L21/76846 ,  H01L21/28562 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及在低k材料上沉积氮化钽(TaN)扩散阻挡区域的方法。该方法包括在腔中通过进行等离子体增强原子层沉积(PE-ALD)在低k材料衬底(102)上从钽基前体和氮等离子体形成保护层(104)。保护层(104)具有比其钽含量大的氮含量。然后通过进行PE-ALD从钽基前体以及包括氢和氮的等离子体形成基本化学计量的氮化钽层。本发明还包括这样形成的氮化钽扩散阻挡区域(108)。在一个实施例中，该金属前体包括五氯化钽(TaCl5)。本发明产生低k材料与衬垫材料之间锐利的界面。