用于模拟电阻交叉阵列中的不同操作的读出电路的动态配置

    公开(公告)号:CN116601710A

    公开(公告)日:2023-08-15

    申请号:CN202180084148.6

    申请日:2021-10-25

    Abstract: 一种设备包括电阻处理器(RPU)单元阵列、在第一方向上延伸跨过RPU单元阵列的第一控制线以及在第二方向上延伸跨过RPU单元阵列的第二控制线。包括读出电路的外围电路耦合到第一控制线和第二控制线。控制系统生成控制信号以控制外围电路以在RPU单元阵列上执行第一操作和第二操作。控制信号包括当在RPU单元阵列上执行第一操作时将读出电路配置为具有第一硬件配置的第一配置控制信号,以及当在RPU单元阵列上执行第二操作时将读出电路配置为具有第二硬件配置的第二配置控制信号,第二硬件配置不同于第一硬件配置。

    具有单独权重更新和干扰电路的电阻式处理单元架构

    公开(公告)号:CN112005252B

    公开(公告)日:2023-06-13

    申请号:CN201980025492.0

    申请日:2019-04-01

    Abstract: 提供了用于在电阻处理单元(RPU)系统中执行权重更新操作以更新包括可调谐电阻器件的RPU器件的权重值的系统和方法。针对给定RPU器件的权重更新操作包括:维持RPU器件的权重更新累积值,响应于检测到施加在连接至RPU器件的更新行和更新列控制线上的输入向量的随机比特流的重合,将权重更新累积值调整一个单位更新值;响应于累积权重值达到预定义阈值,生成权重更新控制信号;以及,响应于权重更新控制信号,将可调谐电阻器件的电导水平调整一个单位电导值,其中,所述一个单位电导值对应于RPU器件的一个单位权重值。

    三个电容器的差分混合信号乘法器

    公开(公告)号:CN115136239A

    公开(公告)日:2022-09-30

    申请号:CN202180016384.4

    申请日:2021-03-01

    Abstract: 提供了一种差分混合信号逻辑处理器。差分混合信号逻辑处理器包括用于将模拟值A和N位数字值B相乘的多个混合信号乘法器分支。多个混合信号乘法器分支中的每一个包括跨第二电容器和第三电容器连接的第一电容器,以跨第二电容器和第三电容器提供差分输出。第一电容器的电容等于第二电容器和第三电容器的电容的一半。

    在电阻处理单元(RPU)阵列中实现分级数据加载以降低通信成本

    公开(公告)号:CN116997968A

    公开(公告)日:2023-11-03

    申请号:CN202280021793.8

    申请日:2022-02-17

    Abstract: 一种电子电路,包括:字线,在多个网格点处与字线交叉的位线,以及位于网格点处的电阻处理单元。基线随机脉冲输入单元耦合到字线,差分随机脉冲输入单元耦合到字线,并且位线随机脉冲输入单元耦合到位线。耦合到脉冲输入单元的控制电路被配置为使基线随机脉冲输入单元中的每一个使用基础输入数据来生成基线脉冲串,使差分随机脉冲输入单元中的每一个使用限定与基础输入数据的差异的差分输入数据来生成差分脉冲串,并且使位线随机脉冲输入单元中的每一个使用位线输入数据来生成位线脉冲串。神经网络权重因此可被存储在电阻处理单元中。

    用于更新交叉阵列的脉冲生成
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116134415A

    公开(公告)日:2023-05-16

    申请号:CN202180061338.6

    申请日:2021-06-29

    Abstract: 提供了用于更新模拟交叉阵列的计算机实现的方法、系统和计算机程序产品的实施例。实施例包括接收在矩阵乘法中使用的数字以表示使用针对交叉阵列的脉冲生成,以及接收比特长度以表示该数字。实施例还包括选择具有比特长度的脉冲序列中的脉冲位置以表示该数字,使用脉冲序列中的所选择的脉冲位置来执行计算,以及使用该计算来更新交叉阵列。

    电阻处理单元
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107924227A

    公开(公告)日:2018-04-17

    申请号:CN201680044972.8

    申请日:2016-09-19

    CPC classification number: G06N3/08 G06N3/0472 G06N3/0635 G06N3/084

    Abstract: 实施例针对具有第一端子、第二端子和有源区域的双端子电阻处理单元(RPU)。有源区域基于施加到第一端子的至少一个第一编码信号和施加到第二端子的至少一个第二编码信号来实现有源区域的导电状态的非线性改变。有源区域被配置为至少部分地基于导电状态的非线性改变在本地执行训练方法的数据存储操作。有源区进一步被配置成至少部分地基于导电状态的非线性改变来在本地执行训练方法的数据处理操作。

    差分混合信号逻辑处理器及其形成方法

    公开(公告)号:CN115136239B

    公开(公告)日:2023-07-14

    申请号:CN202180016384.4

    申请日:2021-03-01

    Abstract: 提供了一种差分混合信号逻辑处理器。差分混合信号逻辑处理器包括用于将模拟值A和N位数字值B相乘的多个混合信号乘法器分支。多个混合信号乘法器分支中的每一个包括跨第二电容器和第三电容器连接的第一电容器,以跨第二电容器和第三电容器提供差分输出。第一电容器的电容等于第二电容器和第三电容器的电容的一半。

    具有单独权重更新和干扰电路的电阻式处理单元架构

    公开(公告)号:CN112005252A

    公开(公告)日:2020-11-27

    申请号:CN201980025492.0

    申请日:2019-04-01

    Abstract: 提供了用于在电阻处理单元(RPU)系统中执行权重更新操作以更新包括可调谐电阻器件的RPU器件的权重值的系统和方法。针对给定RPU器件的权重更新操作包括:维持RPU器件的权重更新累积值,响应于检测到施加在连接至RPU器件的更新行和更新列控制线上的输入向量的随机比特流的重合,将权重更新累积值调整一个单位更新值;响应于累积权重值达到预定义阈值,生成权重更新控制信号;以及,响应于权重更新控制信号,将可调谐电阻器件的电导水平调整一个单位电导值,其中,所述一个单位电导值对应于RPU器件的一个单位权重值。

    记忆性结构
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110622313A

    公开(公告)日:2019-12-27

    申请号:CN201880031930.X

    申请日:2018-06-01

    Abstract: 提出了一种用于在电阻状态之间进行对称调制的记忆性结构的制造方法。该方法包括在绝缘基板上形成第一电极和第二电极,形成与第一电极和第二电极接触的阳极,在阳极上方形成离子导体,在离子导体上方形成与阳极相同材料的阴极,在阴极上形成第三电极,使离子能够在阳极和阴极之间双向传输,从而调节记忆性结构的电阻,阳极和阴极由具有离子浓度依赖性的导电性的亚稳混合导电材料形成。

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