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发明公开
用于禁用阵列中缺陷的电阻切换器件的双镶嵌交叉条阵列审中-实审

公开(公告)号：CN115669287A

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN202180036597.3

申请日：2021-04-29

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： J.F.马尼斯卡科 , O.范德斯特拉滕 , 本山幸一 , 李忠贤 , 金世荣

IPC: H10N70/20 , H10B63/00

Abstract: 本发明提供一种制造双镶嵌交叉条阵列的方法。该方法包括在衬底上形成底电极层以及在该底电极层上形成第一存储器器件。该方法还包括在第一存储器器件上形成双镶嵌结构，其中双镶嵌结构包括顶电极层和第一通孔，其中第一通孔形成于第一存储器器件与顶电极层之间。还提供了双镶嵌交叉条的实施例和用于禁用双镶嵌交叉条阵列的存储器器件的实施例。

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