公开(公告)号：CN1830092A

公开(公告)日：2006-09-06

申请号：CN200480021901.3

申请日：2004-08-04

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 陈华杰 ,  杜里赛蒂·奇达姆巴拉奥 ,  奥莱格·G.·格鲁斯晨科夫 ,  安·L.·斯迪根 ,  海宁·S.·杨

IPC: H01L31/0328 ,  H01L31/0336 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/84 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L27/0922 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/165 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7848

Abstract: 本发明提供了一种集成电路的p－型场效应晶体管(PFET)(10)和n－型场效应晶体管(NFET)(12)。经由仅设置在PFET(10)而不是NFET(12)的源极和漏极区(111)中的晶格错配半导体层例如硅锗，将第一应变施加到PFET(10)而不是NFET(12)的沟道区(20)中。本发明提供了一种PFET(10)和NFET(12)的制造方法。在这些区域中蚀刻沟槽，从而变成PFET的源极和漏极区(111)，使晶格错配的硅锗层(121)外延生长在其中，以便将应变施加到与其相邻的PFET的沟道区。使一层硅(14)生长在硅锗层(121)之上，由这层硅形成硅化物(68)，从而提供了低电阻的源极和漏极区(111)。

公开(公告)号：CN100428497C

公开(公告)日：2008-10-22

申请号：CN200480021901.3

申请日：2004-08-04

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 陈华杰 ,  杜里赛蒂·奇达姆巴拉奥 ,  奥莱格·G.·格鲁斯晨科夫 ,  安·L.·斯迪根 ,  海宁·S.·杨

IPC: H01L31/0328 ,  H01L31/0336 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/84 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L27/0922 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/165 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7848

Abstract: 本发明提供了一种集成电路的p-型场效应晶体管(PFET)(10)和n-型场效应晶体管(NFET)(12)。经由仅设置在PFET(10)而不是NFET(12)的源极和漏极区(111)中的晶格错配半导体层例如硅锗，将第一应变施加到PFET(10)而不是NFET(12)的沟道区(20)中。本发明提供了一种PFET(10)和NFET(12)的制造方法。在这些区域中蚀刻沟槽，从而变成PFET的源极和漏极区(111)，使晶格错配的硅锗层(121)外延生长在其中，以便将应变施加到与其相邻的PFET的沟道区。使一层硅(14)生长在硅锗层(121)之上，由这层硅形成硅化物(68)，从而提供了低电阻的源极和漏极区(111)。

公开(公告)号：CN100555600C

公开(公告)日：2009-10-28

申请号：CN200480031952.4

申请日：2004-11-05

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 安·L.·斯蒂根 ,  海宁·S.·杨 ,  张郢

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L29/7833 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76232 ,  H01L21/76283 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823878 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/7846 ,  H01L29/7849

Abstract: 一种制造器件的方法，所述器件包括n型和p型器件。在本发明的一方面中，该方法涉及对半导体衬底的一部分掺杂、以及通过去除半导体衬底的该掺杂部分的至少一部分而在半导体衬底中形成间隙。该方法还涉及在半导体衬底的至少一部分间隙中生长应变层。对于n型器件，应变层生长在位于n型器件沟道基本上正下方的至少一部分上。对于p型器件，应变层生长在位于p型器件的源区或漏区基本上正下方但基本上不位于p型器件的沟道下方的至少一部分上。

公开(公告)号：CN101164157A

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：CN200480031952.4

申请日：2004-11-05

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 安·L.·斯蒂根 ,  海宁·S.·杨 ,  张郢

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L29/7833 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76232 ,  H01L21/76283 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823878 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/7846 ,  H01L29/7849

Abstract: 一种制造器件的方法，所述器件包括n型和p型器件。在本发明的一方面中，该方法涉及对半导体衬底的一部分掺杂、以及通过去除半导体衬底的该掺杂部分的至少一部分而在半导体衬底中形成间隙。该方法还涉及在半导体衬底的至少一部分间隙中生长应变层。对于n型器件，应变层生长在位于n型器件沟道基本上正下方的至少一部分上。对于p型器件，应变层生长在位于p型器件的源区或漏区基本上正下方但基本上不位于p型器件的沟道下方的至少一部分上。