公开(公告)号：CN1943027B

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN200580002708.X

申请日：2005-02-22

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 里基·S.·艾莫斯 ,  黛安·C.·博伊德 ,  小西里尔·卡布拉尔 ,  理查德·D.·卡普兰 ,  贾库伯·T.·克德泽尔斯基 ,  顾伯聪 ,  李宇萤 ,  李瑛 ,  安达·C.·莫库塔 ,  维嘉·纳拉亚纳 ,  安·L.·斯蒂根 ,  玛赫斯瓦仁·苏仁德拉

IPC: H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/76897 ,  H01L21/28052 ,  H01L21/28097 ,  H01L21/823835 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656

Abstract: 本发明提供了一种互补金属氧化物半导体集成工艺，用于在栅电介质之上制造多个硅化金属栅。使用本发明的集成方案形成的每个硅化金属栅具有相同的硅化物金属相以及基本相同的高度，而不管硅化物金属栅的尺寸如何。本发明还提供了形成具有硅化触点的CMOS结构的多种方法，其中多晶硅栅高度在半导体衬底的整个表面上基本相同。

公开(公告)号：CN1943027A

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN200580002708.X

申请日：2005-02-22

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 里基·S.·艾莫斯 ,  黛安·C.·博伊德 ,  小西里尔·卡布拉尔 ,  理查德·D.·卡普兰 ,  贾库伯·T.·克德泽尔斯基 ,  顾伯聪 ,  李宇萤 ,  李瑛 ,  安达·C.·莫库塔 ,  维嘉·纳拉亚纳 ,  安·L.·斯蒂根 ,  玛赫斯瓦仁·苏仁德拉

IPC: H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/76897 ,  H01L21/28052 ,  H01L21/28097 ,  H01L21/823835 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656

Abstract: 本发明提供了一种互补金属氧化物半导体集成工艺，用于在栅电介质之上制造多个硅化金属栅。使用本发明的集成方案形成的每个硅化金属栅具有相同的硅化物金属相以及基本相同的高度，而不管硅化物金属栅的尺寸如何。本发明还提供了形成具有硅化触点的CMOS结构的多种方法，其中多晶硅栅高度在半导体衬底的整个表面上基本相同。

公开(公告)号：CN100555600C

公开(公告)日：2009-10-28

申请号：CN200480031952.4

申请日：2004-11-05

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 安·L.·斯蒂根 ,  海宁·S.·杨 ,  张郢

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L29/7833 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76232 ,  H01L21/76283 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823878 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/7846 ,  H01L29/7849

Abstract: 一种制造器件的方法，所述器件包括n型和p型器件。在本发明的一方面中，该方法涉及对半导体衬底的一部分掺杂、以及通过去除半导体衬底的该掺杂部分的至少一部分而在半导体衬底中形成间隙。该方法还涉及在半导体衬底的至少一部分间隙中生长应变层。对于n型器件，应变层生长在位于n型器件沟道基本上正下方的至少一部分上。对于p型器件，应变层生长在位于p型器件的源区或漏区基本上正下方但基本上不位于p型器件的沟道下方的至少一部分上。

公开(公告)号：CN101164157A

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：CN200480031952.4

申请日：2004-11-05

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 安·L.·斯蒂根 ,  海宁·S.·杨 ,  张郢

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L29/7833 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76232 ,  H01L21/76283 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823878 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/7846 ,  H01L29/7849

Abstract: 一种制造器件的方法，所述器件包括n型和p型器件。在本发明的一方面中，该方法涉及对半导体衬底的一部分掺杂、以及通过去除半导体衬底的该掺杂部分的至少一部分而在半导体衬底中形成间隙。该方法还涉及在半导体衬底的至少一部分间隙中生长应变层。对于n型器件，应变层生长在位于n型器件沟道基本上正下方的至少一部分上。对于p型器件，应变层生长在位于p型器件的源区或漏区基本上正下方但基本上不位于p型器件的沟道下方的至少一部分上。