公开(公告)号：CN107004596A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201480083996.5

申请日：2014-12-24

Applicant: 国立大学法人北陆先端科学技术大学院大学 ,  安达满株式会社

Inventor： 下田达也 ,  井上聪 ,  有贺智纪

IPC: H01L21/316 ,  C01G33/00 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/04 ,  H01L27/105

Abstract: 提供一种具有优良特性的氧化物介电体以及具备其该氧化物介电体的固体电子装置(例如，高频滤波器、贴片天线、电容、半导体装置或微机电系统)。本发明的一种包含氧化物介电体的氧化物层30包含具有烧绿石型结晶结构的结晶相且含铋(Bi)与铌(Nb)的氧化物(可包含不可避免的杂质)，且在其铋(Bi)原子数为1时，其铌(Nb)原子数为1.3以上1.7以下。

公开(公告)号：CN106458631A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201580032577.3

申请日：2015-07-10

Applicant: 国立大学法人北陆先端科学技术大学院大学 ,  安达满株式会社

Inventor： 下田达也 ,  井上聪 ,  有贺智纪

IPC: C01G33/00 ,  C04B35/00 ,  H01G4/12

Abstract: 本发明提供一种具有优异特性的氧化物介电体、及具备该氧化物介电体的固态电子装置(例如，电容器、半导体装置、或微电气机械系统)。本发明的由一个氧化物介电体构成的氧化物层(30)为含铋(Bi)和铌(Nb)的氧化物(可包含不可避免的杂质)的层，并含有烧绿石型晶体结构的第一晶体相、以及β－BiNbO4型晶体结构的第二晶体相。进一步，该氧化物层(30)在25℃以上120℃以下的温度范围内伴随氧化物层(30)的温度上升而相对介电常数降低的第一晶体相的含量、以及在该温度范围内伴随氧化物(30)的温度上升而相对介电常数上升的第二晶体相的含量被进行了调整。

公开(公告)号：CN105874575B

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201480067483.5

申请日：2014-12-16

Applicant: 国立大学法人北陆先端科学技术大学院大学 ,  住友精化株式会社

Inventor： 井上聪 ,  下田达也 ,  藤本信贵 ,  西冈圣司 ,  辛岛修一

IPC: H01L21/336 ,  C08G64/02 ,  H01L21/28 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明的课题在于提供一种薄膜晶体管及其制造方法，所述薄膜晶体管不必使用在真空下或低压下的各工艺且不必使用昂贵的设备，而对于提供一种能够简便地实现自对准式地形成源极/漏极区域。本发明的一种半导体器件的制造方法，包括以下的步骤：脂肪族聚碳酸酯层形成步骤，其是将隔着栅绝缘层30而被配置在本半导体层20上的栅电极层40、及半导体层20覆盖而形成脂肪族聚碳酸酯层50，此脂肪族聚碳酸酯层50是具有使半导体层20成为n型或p型的半导体层的掺杂剂；及加热步骤，其是在将其掺杂剂导入半导体层20中且于将脂肪族聚碳酸酯层50分解的温度下进行加热。

公开(公告)号：CN107004606A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201580062190.2

申请日：2015-10-05

Applicant: 国立大学法人北陆先端科学技术大学院大学 ,  住友精化株式会社

Inventor： 下田达也 ,  井上聪 ,  深田和宏 ,  西冈圣司 ,  藤本信贵 ,  铃木正博

IPC: H01L21/368 ,  C23C18/12 ,  H01L21/288 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明提供当通过印刷法形成电子装置或半导体元件可采用的薄膜时能控制牵丝性的脂肪族聚碳酸酯、氧化物的前驱体、及氧化物层。本发明之一的氧化物的前驱体是在含有分子量为6千以上且40万以下的脂肪族聚碳酸酯比率为该脂肪族聚碳酸酯全体的80质量％以上的前述脂肪族聚碳酸酯构成的粘结剂(可含不可避免的杂质)的溶液中，分散有在被氧化时成为金属氧化物的金属的化合物的物质。结果如图1所示，可形成可用于半导体元件的制造的良好图案。

公开(公告)号：CN107949903B

公开(公告)日：2022-10-14

申请号：CN201680051797.5

申请日：2016-07-21

Applicant: 国立大学法人北陆先端科学技术大学院大学 ,  住友精化株式会社

Inventor： 井上聪 ,  下田达也 ,  深田和宏 ,  西冈圣司 ,  铃木正博

IPC: H01L21/3205 ,  G06F3/041 ,  G06F3/044 ,  H01L21/28 ,  H01L21/288 ,  H01L21/312 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明的课题在于，提供一种实现微细配线形成的简便化及/或高品质化的复合部件。本发明的解决手段在于，本发明的一种复合部件(100)，其配置在基材上的多个岛状含有脂肪族聚碳酸酯的层的至少表面，曝露在含有180nm以上且370nm以下的波长的紫外光15分钟后，纯水与其表面的接触角度为50°以上，在各个该前体层所夹持的区域的至少一部分，具备位于前述基材上的金属墨液。

公开(公告)号：CN108878267A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201810733814.4

申请日：2014-07-04

Applicant: 国立大学法人北陆先端科学技术大学院大学 ,  住友精化株式会社

Inventor： 井上聪 ,  下田达也 ,  川北知纪 ,  藤本信贵 ,  西冈圣司

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/786 ,  C01G15/00

CPC classification number: H01L29/66969 ,  C01G15/00 ,  H01L21/02483 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02664 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/22 ,  H01L29/24 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明的课题在于提供一种能够减少裂纹的生成且具有优异的电特性及稳定性的氧化物半导体层、及具有该氧化物半导体层的半导体元件与电子装置。本发明的解决手段在于提供一种氧化物半导体层的制造方法，包含以下工序：前驱体层的形成工序，其将氧化物半导体的前驱体在基板上或其上方形成为层状，其中该氧化物半导体的前驱体是将被氧化时成为氧化物半导体的金属的化合物分散在含有粘合剂的溶液中而成的，所述粘合剂包含脂肪族聚碳酸酯；及烧成工序，其在使该粘合剂的90wt％以上分解的第1温度将该前驱体层加热之后，在比该第1温度更高、而且为前述金属与氧键合、且差示热分析法(DTA)的放热峰值即第2温度(以X表示的温度)以上的温度烧成该前驱体层。

公开(公告)号：CN105474372A

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201480044072.4

申请日：2014-07-04

Applicant: 国立大学法人北陆先端科学技术大学院大学 ,  住友精化株式会社

Inventor： 井上聪 ,  下田达也 ,  川北知纪 ,  藤本信贵 ,  西冈圣司

IPC: H01L21/368 ,  C01G15/00 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66969 ,  C01G15/00 ,  H01L21/02483 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02664 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/22 ,  H01L29/24 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明的课题在于提供一种能够减少裂纹的生成且具有优异的电特性及稳定性的氧化物半导体层、及具有该氧化物半导体层的半导体元件与电子装置。本发明的解决手段在于提供一种氧化物半导体层的制造方法，包含以下工序：前驱体层的形成工序，其将氧化物半导体的前驱体在基板上或其上方形成为层状，其中该氧化物半导体的前驱体是将被氧化时成为氧化物半导体的金属的化合物分散在含有粘合剂的溶液中而成的，所述粘合剂包含脂肪族聚碳酸酯；及烧成工序，其在使该粘合剂的90wt％以上分解的第1温度将该前驱体层加热之后，在比该第1温度更高、而且为前述金属与氧键合、且差示热分析法(DTA)的放热峰值即第2温度(以X表示的温度)以上的温度烧成该前驱体层。

公开(公告)号：CN106458631B

公开(公告)日：2020-02-07

申请号：CN201580032577.3

申请日：2015-07-10

Applicant: 国立大学法人北陆先端科学技术大学院大学 ,  安达满纳米奇精密宝石有限公司

Inventor： 下田达也 ,  井上聪 ,  有贺智纪

IPC: C01G33/00 ,  C04B35/00 ,  H01G4/12

Abstract: 本发明提供一种具有优异特性的氧化物介电体、及具备该氧化物介电体的固态电子装置(例如，电容器、半导体装置、或微电气机械系统)。本发明的由一个氧化物介电体构成的氧化物层(30)为含铋(Bi)和铌(Nb)的氧化物(可包含不可避免的杂质)的层，并含有烧绿石型晶体结构的第一晶体相、以及β－BiNbO4型晶体结构的第二晶体相。进一步，该氧化物层(30)在25℃以上120℃以下的温度范围内伴随氧化物层(30)的温度上升而相对介电常数降低的第一晶体相的含量、以及在该温度范围内伴随氧化物(30)的温度上升而相对介电常数上升的第二晶体相的含量被进行了调整。

公开(公告)号：CN108885987A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201680083034.9

申请日：2016-11-21

Applicant: 国立大学法人北陆先端科学技术大学院大学 ,  住友精化株式会社

Inventor： 井上聪 ,  下田达也 ,  深田和宏 ,  西冈圣司

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/306 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明的课题为：使用具备蚀刻掩模功能的含有脂肪族聚碳酸酯的膏状物或溶液来得到层叠体。本发明的技术手段为一种层叠体的制造方法，其包含下列步骤：图案形成步骤：在氧化物层44上、或在被氧化时成为氧化物层44的第2氧化物前驱体层上，形成第1氧化物前驱物层的图案80，所述第1氧化物前驱物层为如后所述的氧化物前驱体层：在含有包含脂肪族聚碳酸酯的粘结剂(可以含有不可避免的杂质)的溶液中分散有被氧化时成为金属氧化物的金属化合物；蚀刻步骤：在该图案形成步骤后，将未被图案80保护的氧化物层44或第2氧化物前驱体层进行蚀刻；加热步骤：在蚀刻步骤后，将氧化物层44或第2氧化物前驱体层、及第1氧化物前驱体层加热至所述粘结剂发生分解的温度以上。

公开(公告)号：CN107949903A

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201680051797.5

申请日：2016-07-21

Applicant: 国立大学法人北陆先端科学技术大学院大学 ,  住友精化株式会社

Inventor： 井上聪 ,  下田达也 ,  深田和宏 ,  西冈圣司 ,  铃木正博

IPC: H01L21/3205 ,  G06F3/041 ,  G06F3/044 ,  H01L21/28 ,  H01L21/288 ,  H01L21/312 ,  H01L21/768

CPC classification number: G06F3/041 ,  G06F3/044 ,  H01L21/28 ,  H01L21/288 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明的课题在于，提供一种实现微细配线形成的简便化及/或高品质化的复合部件。本发明的解决手段在于，本发明的一种复合部件(100)，其配置在基材上的多个岛状含有脂肪族聚碳酸酯的层的至少表面，曝露在含有180nm以上且370nm以下的波长的紫外光15分钟后，纯水与其表面的接触角度为50°以上，在各个该前体层所夹持的区域的至少一部分，具备位于前述基材上的金属墨液。