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公开(公告)号：CN104411860A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201380032070.9
申请日：2013-06-19
Applicant: 国立大学法人东京工业大学 , 旭硝子株式会社
CPC classification number: H01B1/08 , C04B35/44 , C04B35/62645 , C04B2235/3208 , C04B2235/664 , C23C14/08 , C23C14/3414 , C23C14/35 , H01L51/5221
Abstract: 一种C12A7电子化合物的薄膜的制造方法，其特征在于，使用电子密度为2.0×1018cm-3～2.3×1021cm-3的结晶质C12A7电子化合物的靶，在低氧分压的气氛下利用气相蒸镀法在基板上进行成膜，由此形成非晶质C12A7电子化合物的薄膜。
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公开(公告)号：CN106687616A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201580050390.6
申请日：2015-09-16
Applicant: 国立研究开发法人科学技术振兴机构 , 国立大学法人东京工业大学 , 旭硝子株式会社
Abstract: 一种金属氧化物的薄膜，所述薄膜含有锌(Zn)、锡(Sn)、硅(Si)和氧(O)，以氧化物换算计，相对于所述薄膜的氧化物的合计100摩尔％，SnO2超过15摩尔％且在95摩尔％以下。
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公开(公告)号：CN105849929A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201480071371.7
申请日：2014-12-04
Applicant: 国立研究开发法人科学技术振兴机构 , 国立大学法人东京工业大学 , 旭硝子株式会社
CPC classification number: H01L51/5072 , H01L51/0081 , H01L51/0085 , H01L51/4273 , H01L51/44 , H01L51/5092 , H01L51/5096 , H01L2251/303 , H01L2251/5353 , Y02E10/549
Abstract: 本发明涉及一种非晶金属氧化物的薄膜，其含有锌(Zn)、硅(Si)和氧(O)，其中Zn/(Zn+Si)的原子数比为0.30～0.95。
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公开(公告)号：CN105849929B
公开(公告)日：2018-03-02
申请号：CN201480071371.7
申请日：2014-12-04
Applicant: 国立研究开发法人科学技术振兴机构 , 国立大学法人东京工业大学 , 旭硝子株式会社
CPC classification number: H01L51/5072 , H01L51/0081 , H01L51/0085 , H01L51/4273 , H01L51/44 , H01L51/5092 , H01L51/5096 , H01L2251/303 , H01L2251/5353 , Y02E10/549
Abstract: 本发明涉及一种非晶金属氧化物的薄膜，其含有锌(Zn)、硅(Si)和氧(O)，其中Zn/(Zn+Si)的原子数比为0.30～0.95。
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公开(公告)号：CN104411860B
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201380032070.9
申请日：2013-06-19
Applicant: 国立研究开发法人科学技术振兴机构 , 国立大学法人东京工业大学 , 旭硝子株式会社
CPC classification number: H01B1/08 , C04B35/44 , C04B35/62645 , C04B2235/3208 , C04B2235/664 , C23C14/08 , C23C14/3414 , C23C14/35 , H01L51/5221
Abstract: 一种C12A7电子化合物的薄膜的制造方法，其特征在于，使用电子密度为2.0×1018cm‑3～2.3×1021cm‑3的结晶质C12A7电子化合物的靶，在低氧分压的气氛下利用气相蒸镀法在基板上进行成膜，由此形成非晶质C12A7电子化合物的薄膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107954709A
公开(公告)日：2018-04-24
申请号：CN201710963707.6
申请日：2017-10-17
Applicant: 旭硝子株式会社
IPC: C04B35/44 , C04B35/645
CPC classification number: C04B35/44 , C04B35/645 , C04B2235/3208 , C04B2235/444 , C04B2235/445 , C04B2235/652 , C04B2235/656 , C04B2235/77 , C04B2235/95
Abstract: 本发明涉及导电性钙铝石化合物的制造方法和导电性钙铝石化合物的烧结体。本发明涉及一种能够得到具有较平坦的表面的烧结体的导电性钙铝石化合物的制造方法。一种制造方法，其为导电性钙铝石化合物的制造方法，其中，所述方法具有：(1)准备煅烧粉的工序，所述煅烧粉以换算成CaO：Al2O3的摩尔比为13:6～11:8的比例含有氧化钙和氧化铝；和(2)将包含所述煅烧粉的被处理体在以1kg/cm2～200kg/cm2的范围的压力加压的状态下、并且在包含Ti构件和Ca源中的至少一者的还原性气氛下、在1220℃～1380℃的范围内进行保持的工序。
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公开(公告)号：CN105793969A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201480065559.0
申请日：2014-10-02
Applicant: 旭硝子株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78669 , H01L29/45 , H01L29/78618 , H01L29/7869
Abstract: 一种半导体装置，其为具有源极、漏极、栅极和非晶硅层的半导体装置，其特征在于，在上述源极和上述漏极的一者或两者与上述非晶硅层之间，具有含有钙原子和铝原子的非晶氧化物的电子化合物的薄膜。
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公开(公告)号：CN102549707A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201080037548.3
申请日：2010-08-24
Applicant: 旭硝子株式会社
IPC: H01J61/06 , H01J9/02 , H01J61/067
CPC classification number: H01J61/0677 , H01J9/022 , H01J61/78
Abstract: 本发明涉及一种放电灯用电极，在发射二次电子的电极的至少一部分中具有钙铝石化合物，其中，所述钙铝石化合物的表面进行了等离子体处理。
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公开(公告)号：CN102484031A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201080037996.3
申请日：2010-08-24
Applicant: 旭硝子株式会社
CPC classification number: H01J61/0675 , H01J9/042 , H01J61/0672
Abstract: 本发明涉及一种电极，其为具有发射热电子的电极主体部的放电灯用电极，其中，所述电极主体部由导电性钙铝石化合物的烧结体构成。
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公开(公告)号：CN100368340C
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200480009438.0
申请日：2004-04-12
Applicant: 旭硝子株式会社
IPC: C04B35/195 , C03C3/064 , H01B3/12 , H05K3/46
CPC classification number: C04B35/468 , C03C3/064 , C03C8/02 , C03C8/14 , C04B35/6264 , C04B35/632 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3232 , C04B2235/3236 , C04B2235/3436 , C04B2235/3481 , C04B2235/365 , C04B2235/6025 , C04B2235/79 , C04B2235/80 , H05K1/0306
Abstract: 一种制电介质用无铅玻璃，以摩尔%计，由以下氧化物SiO220～39%、B2O35～35%、Al2O32～15%、CaO+SrO 1～25%、BaO 5～25%、ZnO 0～35%、TiO2+ZrO2+SnO20～10%形成，其中B2O3+ZnO的含量在15～45%、不含碱金属氧化物或其含量低于1%。另，由含Ba化合物粉末与前述制电介质用无铅玻璃粉末为主要成分制成的制电介质用玻璃陶瓷组合物。另外，由前述制电介质用玻璃陶瓷组合物焙烧得到的电介质。
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