公开(公告)号：CN105849929A

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201480071371.7

申请日：2014-12-04

Applicant: 国立研究开发法人科学技术振兴机构 ,  国立大学法人东京工业大学 ,  旭硝子株式会社

Inventor： 细野秀雄 ,  户田喜丈 ,  渡边俊成 ,  宫川直通 ,  伊藤和弘 ,  渡边晓 ,  光井彰 ,  大越雄斗

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/46

CPC classification number: H01L51/5072 ,  H01L51/0081 ,  H01L51/0085 ,  H01L51/4273 ,  H01L51/44 ,  H01L51/5092 ,  H01L51/5096 ,  H01L2251/303 ,  H01L2251/5353 ,  Y02E10/549

Abstract: 本发明涉及一种非晶金属氧化物的薄膜，其含有锌(Zn)、硅(Si)和氧(O)，其中Zn/(Zn+Si)的原子数比为0.30～0.95。

公开(公告)号：CN105849929B

公开(公告)日：2018-03-02

申请号：CN201480071371.7

申请日：2014-12-04

Applicant: 国立研究开发法人科学技术振兴机构 ,  国立大学法人东京工业大学 ,  旭硝子株式会社

Inventor： 细野秀雄 ,  户田喜丈 ,  渡边俊成 ,  宫川直通 ,  伊藤和弘 ,  渡边晓 ,  光井彰 ,  大越雄斗

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/46

CPC classification number: H01L51/5072 ,  H01L51/0081 ,  H01L51/0085 ,  H01L51/4273 ,  H01L51/44 ,  H01L51/5092 ,  H01L51/5096 ,  H01L2251/303 ,  H01L2251/5353 ,  Y02E10/549

Abstract: 本发明涉及一种非晶金属氧化物的薄膜，其含有锌(Zn)、硅(Si)和氧(O)，其中Zn/(Zn+Si)的原子数比为0.30～0.95。

公开(公告)号：CN107954709A

公开(公告)日：2018-04-24

申请号：CN201710963707.6

申请日：2017-10-17

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 伊藤和弘 ,  渡边晓 ,  大越雄斗 ,  宫川直通 ,  河内优

IPC: C04B35/44 ,  C04B35/645

CPC classification number: C04B35/44 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/444 ,  C04B2235/445 ,  C04B2235/652 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/95

Abstract: 本发明涉及导电性钙铝石化合物的制造方法和导电性钙铝石化合物的烧结体。本发明涉及一种能够得到具有较平坦的表面的烧结体的导电性钙铝石化合物的制造方法。一种制造方法，其为导电性钙铝石化合物的制造方法，其中，所述方法具有：(1)准备煅烧粉的工序，所述煅烧粉以换算成CaO：Al2O3的摩尔比为13:6～11:8的比例含有氧化钙和氧化铝；和(2)将包含所述煅烧粉的被处理体在以1kg/cm2～200kg/cm2的范围的压力加压的状态下、并且在包含Ti构件和Ca源中的至少一者的还原性气氛下、在1220℃～1380℃的范围内进行保持的工序。