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公开(公告)号：CN104684868B
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201380050813.5
申请日：2013-09-25
Applicant: 旭硝子株式会社
CPC classification number: C23C14/3414 , C01F7/002 , C01F7/164 , C01P2006/40 , C04B35/117 , C04B35/44 , C04B35/64 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3241 , C04B2235/3262 , C04B2235/3272 , C04B2235/3275 , C04B2235/3279 , C04B2235/3286 , C04B2235/3287 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/402 , C04B2235/445 , C04B2235/46 , C04B2235/652 , C04B2235/658 , C04B2235/6581 , C04B2235/6587 , C04B2235/664 , C04B2235/77 , H01B1/08
Abstract: 本发明涉及一种导电性钙铝石化合物的制造方法，其中，包括准备含有钙铝石化合物的被处理体的工序；将所述被处理体在一氧化碳气体以及由铝源供给的铝蒸汽的存在下以不接触所述铝源的状态进行配置，在还原性气氛下将所述被处理体保持在1080℃～1450℃的温度范围的工序。
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公开(公告)号：CN104411860A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201380032070.9
申请日：2013-06-19
Applicant: 国立大学法人东京工业大学 , 旭硝子株式会社
CPC classification number: H01B1/08 , C04B35/44 , C04B35/62645 , C04B2235/3208 , C04B2235/664 , C23C14/08 , C23C14/3414 , C23C14/35 , H01L51/5221
Abstract: 一种C12A7电子化合物的薄膜的制造方法，其特征在于，使用电子密度为2.0×1018cm-3～2.3×1021cm-3的结晶质C12A7电子化合物的靶，在低氧分压的气氛下利用气相蒸镀法在基板上进行成膜，由此形成非晶质C12A7电子化合物的薄膜。
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公开(公告)号：CN103547547A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201280023381.4
申请日：2012-05-07
Applicant: 旭硝子株式会社
CPC classification number: C01F7/164 , C01B32/914 , C01P2004/61 , C01P2006/40 , C04B35/44 , C04B35/64 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3241 , C04B2235/3262 , C04B2235/3272 , C04B2235/3275 , C04B2235/3279 , C04B2235/3286 , C04B2235/3287 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/402 , C04B2235/652 , C04B2235/6581 , C04B2235/6587 , C04B2235/77 , H01B1/08
Abstract: 一种制造方法，其为导电性钙铝石化合物的制造方法，其特征在于，包括：(1)准备以13:6～11:8(换算成CaO:Al2O3的摩尔比)的比例含有氧化钙和氧化铝的煅烧粉末的工序；和(2)在一氧化碳气体及由铝源供给的铝蒸气的存在下以不与所述铝源接触的状态配置含有所述工序(1)中准备的煅烧粉末的被处理体并在还原性气氛下将所述被处理体保持在1220℃～1350℃范围的温度的工序。
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公开(公告)号：CN105849929B
公开(公告)日：2018-03-02
申请号：CN201480071371.7
申请日：2014-12-04
Applicant: 国立研究开发法人科学技术振兴机构 , 国立大学法人东京工业大学 , 旭硝子株式会社
CPC classification number: H01L51/5072 , H01L51/0081 , H01L51/0085 , H01L51/4273 , H01L51/44 , H01L51/5092 , H01L51/5096 , H01L2251/303 , H01L2251/5353 , Y02E10/549
Abstract: 本发明涉及一种非晶金属氧化物的薄膜，其含有锌(Zn)、硅(Si)和氧(O)，其中Zn/(Zn+Si)的原子数比为0.30～0.95。
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公开(公告)号：CN105283579B
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201480033195.8
申请日：2014-06-02
Applicant: 旭硝子株式会社
CPC classification number: H01J37/3426 , C04B35/44 , C04B35/6261 , C04B2235/3201 , C04B2235/3208 , C04B2235/3244 , C04B2235/3272 , C04B2235/422 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/76 , C04B2235/96 , C23C14/08 , C23C14/081 , C23C14/3407 , C23C14/3414 , H01J37/3423
Abstract: 一种非晶膜形成用溅射靶，其为含有导电性钙铝石化合物的溅射靶，该导电性钙铝石化合物的电子密度为3×1020cm‑3以上，且该导电性钙铝石化合物含有选自由C、Fe、Na和Zr所构成的组中的一种以上元素。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104411860B
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201380032070.9
申请日：2013-06-19
Applicant: 国立研究开发法人科学技术振兴机构 , 国立大学法人东京工业大学 , 旭硝子株式会社
CPC classification number: H01B1/08 , C04B35/44 , C04B35/62645 , C04B2235/3208 , C04B2235/664 , C23C14/08 , C23C14/3414 , C23C14/35 , H01L51/5221
Abstract: 一种C12A7电子化合物的薄膜的制造方法，其特征在于，使用电子密度为2.0×1018cm‑3～2.3×1021cm‑3的结晶质C12A7电子化合物的靶，在低氧分压的气氛下利用气相蒸镀法在基板上进行成膜，由此形成非晶质C12A7电子化合物的薄膜。
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公开(公告)号：CN104684867B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201380050772.X
申请日：2013-09-25
Applicant: 旭硝子株式会社
CPC classification number: C23C14/3414 , C01F7/002 , C01F7/164 , C01P2004/61 , C01P2006/40 , C04B35/117 , C04B35/44 , C04B2235/3208 , C04B2235/445 , C04B2235/6587 , C04B2235/664
Abstract: 本发明提供一种导电性钙铝石化合物的制造方法，包括(a)准备被处理体的工序，上述被处理体含有钙铝石化合物或钙铝石化合物前体，和(b)在含有铝化合物以及一氧化碳(CO)气体的还原性气氛中、在1080℃～1450℃的范围内对上述被处理体进行热处理的工序，上述铝化合物为在上述被处理体的热处理中放出氧化铝气体的化合物。
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公开(公告)号：CN104395239B
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201380032752.X
申请日：2013-06-19
Applicant: 旭硝子株式会社
CPC classification number: H01J37/3426 , C01F7/164 , C01P2006/40 , C01P2006/80 , C04B35/44 , C04B35/6261 , C04B35/6455 , C04B37/021 , C04B2235/3208 , C04B2235/3217 , C04B2235/442 , C04B2235/444 , C04B2235/445 , C04B2235/5436 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6581 , C04B2235/6587 , C04B2235/664 , C04B2235/77 , C04B2237/343 , C04B2237/402 , C04B2237/50 , C23C14/3414 , H01B1/08
Abstract: 一种导电性钙铝石化合物的制造方法，其特征在于，其为电子密度为5×1020cm-3以上的导电性钙铝石化合物的制造方法，该方法包括以下工序：工序(1)，制备包含钙铝石化合物或钙铝石化合物的前体的被处理体；和工序(2)，在前述被处理体的表面的至少一部分配置铝箔，在低氧分压的气氛下、1080℃～1450℃的范围的温度下保持前述被处理体。
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公开(公告)号：CN103547547B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201280023381.4
申请日：2012-05-07
Applicant: 旭硝子株式会社
CPC classification number: C01F7/164 , C01B32/914 , C01P2004/61 , C01P2006/40 , C04B35/44 , C04B35/64 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3241 , C04B2235/3262 , C04B2235/3272 , C04B2235/3275 , C04B2235/3279 , C04B2235/3286 , C04B2235/3287 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/402 , C04B2235/652 , C04B2235/6581 , C04B2235/6587 , C04B2235/77 , H01B1/08
Abstract: 一种制造方法，其为导电性钙铝石化合物的制造方法，其特征在于，包括：(1)准备以13:6～11:8(换算成CaO:Al2O3的摩尔比)的比例含有氧化钙和氧化铝的煅烧粉末的工序；和(2)在一氧化碳气体及由铝源供给的铝蒸气的存在下以不与所述铝源接触的状态配置含有所述工序(1)中准备的煅烧粉末的被处理体并在还原性气氛下将所述被处理体保持在1220℃～1350℃范围的温度的工序。
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公开(公告)号：CN107078222A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580050438.3
申请日：2015-09-16
Applicant: 国立研究开发法人科学技术振兴机构 , 国立大学法人东京工业大学 , 旭硝子株式会社
CPC classification number: H01L51/5092 , H01L27/3244 , H01L27/3276 , H01L27/3281 , H01L51/0096 , H01L51/5012 , H01L51/5048 , H01L51/5056 , H01L51/5072 , H01L51/5088 , H01L51/5203 , H01L51/56 , H01L2251/5392 , H01L2251/558 , H05B33/06 , H05B33/26
Abstract: 一种发光元件，其具有以相互分离地对置的方式配置在基板的第一表面上的一对第一电极、配置在所述第一电极的至少一个上的发光层、配置在所述发光层上的第二电极、和将所述第一电极的各个电极连接的桥接层，所述桥接层由具有100kΩ～100MΩ范围的电阻的材料构成。
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