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公开(公告)号：CN112185950A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201910589696.9
申请日：2019-07-02
Applicant: 国电南瑞科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种半桥IGBT模块的芯片布局结构，包括上桥IGBT芯片和下桥IGBT芯片分别与FRD芯片通过键合线组实现芯片正面连接，栅极均位于IGBT芯片的左侧位置，上桥FRD芯片和下桥FRD芯片反面均焊接于上桥DCB衬底上；下桥IGBT芯片栅极均位于IGBT芯片的右侧位置，上、下半桥的IGBT芯片与FRD芯片分别关于模块呈中心对称分布。上、下半桥信号端子键合线的落点分别在上、下半桥的栅极信号铜层上，其落点位于在栅极信号铜层上的非相邻两颗IGBT芯片的栅极键合线落点的中间位置。通过仿真得出，本发明的三颗IGBT芯片的峰值电流差异率由30％降低至9.3％，使芯片的均流性能得到提升；芯片最大峰值电流的降低减小了开通电流对芯片的冲击，有利于芯片的长期稳定运行。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110112122A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910361350.3
申请日：2019-04-30
Applicant: 国电南瑞科技股份有限公司
IPC: H01L25/07 , H01L23/49 , H01L23/495
Abstract: 本发明公开了一种多芯片并联的半桥型IGBT模块，包含上下两个桥臂，每个桥臂由三组IGBT芯片组构成，每组IGBT芯片组由一颗IGBT芯片和与之反并联的续流二极管FRD构成，构成上桥臂的IGBT芯片和反并联的续流二极管FRD芯片背面焊接在上桥臂覆铜陶瓷衬板上，正面通过键合线蔟实现连接；构成下桥臂的IGBT芯片和反并联的续流二极管FRD芯片背面焊接在下桥臂覆铜陶瓷衬板上，正面通过键合线蔟实现连接。本发明能够通过改变IGBT芯片和FRD芯片的相对排列位置、IGBT芯片的栅极朝向和栅极信号回路的方式，解决了现有技术中存在的多芯片并联IGBT半桥模块开通过程中电流不均衡的问题，明显缩小模块芯片间的开通峰值电流差异，开通过程对芯片的电流冲击减小，有利于模块长期可靠运行。
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公开(公告)号：CN112185950B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN201910589696.9
申请日：2019-07-02
Applicant: 国电南瑞科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种半桥IGBT模块的芯片布局结构，包括上桥IGBT芯片和下桥IGBT芯片分别与FRD芯片通过键合线组实现芯片正面连接，栅极均位于IGBT芯片的左侧位置，上桥FRD芯片和下桥FRD芯片反面均焊接于上桥DCB衬底上；下桥IGBT芯片栅极均位于IGBT芯片的右侧位置，上、下半桥的IGBT芯片与FRD芯片分别关于模块呈中心对称分布。上、下半桥信号端子键合线的落点分别在上、下半桥的栅极信号铜层上，其落点位于在栅极信号铜层上的非相邻两颗IGBT芯片的栅极键合线落点的中间位置。通过仿真得出，本发明的三颗IGBT芯片的峰值电流差异率由30％降低至9.3％，使芯片的均流性能得到提升；芯片最大峰值电流的降低减小了开通电流对芯片的冲击，有利于芯片的长期稳定运行。
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公开(公告)号：CN110112122B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN201910361350.3
申请日：2019-04-30
Applicant: 国电南瑞科技股份有限公司
IPC: H01L25/07 , H01L23/49 , H01L23/495
Abstract: 本发明公开了一种多芯片并联的半桥型IGBT模块，包含上下两个桥臂，每个桥臂由三组IGBT芯片组构成，每组IGBT芯片组由一颗IGBT芯片和与之反并联的续流二极管FRD构成，构成上桥臂的IGBT芯片和反并联的续流二极管FRD芯片背面焊接在上桥臂覆铜陶瓷衬板上，正面通过键合线蔟实现连接；构成下桥臂的IGBT芯片和反并联的续流二极管FRD芯片背面焊接在下桥臂覆铜陶瓷衬板上，正面通过键合线蔟实现连接。本发明能够通过改变IGBT芯片和FRD芯片的相对排列位置、IGBT芯片的栅极朝向和栅极信号回路的方式，解决了现有技术中存在的多芯片并联IGBT半桥模块开通过程中电流不均衡的问题，明显缩小模块芯片间的开通峰值电流差异，开通过程对芯片的电流冲击减小，有利于模块长期可靠运行。
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公开(公告)号：CN210694700U
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN201920942689.8
申请日：2019-06-21
Applicant: 国电南瑞科技股份有限公司
IPC: H05K7/20
Abstract: 本实用新型涉及一种电动汽车控制器液冷散热机箱，包括控制器箱体、液冷回路盖板、冷却液进口流到和冷却液出口流道。控制器箱体与液冷回路的散热翅片、冷却液进\出口流道为一体式结构，材质为铝合金，箱体底部为内、外双层不同结构。发热功率器件安装于箱体内部底面安装凸台上，凸台结构下方的箱体外部底面为液冷回路翅片。控制器箱体通过密封圈与液冷回路盖板实现密封安装。本实用新型安装简单，防水、防尘性能好，冷却效率高，能够满足电动汽车控制器高发热量的功率器件的冷却要求，保证了电动汽车控制器稳定工作的硬件需求。
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公开(公告)号：CN209896059U
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201920616357.0
申请日：2019-04-30
Applicant: 国电南瑞科技股份有限公司
IPC: H01L25/07 , H01L23/49 , H01L23/495
Abstract: 本实用新型公开了一种多芯片并联的半桥型IGBT模块，包含上下两个桥臂，每个桥臂由三组IGBT芯片组构成，每组IGBT芯片组由一颗IGBT芯片和与之反并联的续流二极管FRD构成，构成上桥臂的IGBT芯片和反并联的续流二极管FRD芯片背面焊接在上桥臂覆铜陶瓷衬板上，正面通过键合线蔟实现连接；构成下桥臂的IGBT芯片和反并联的续流二极管FRD芯片背面焊接在下桥臂覆铜陶瓷衬板上，正面通过键合线蔟实现连接。本模块能够通过改变IGBT芯片和FRD芯片的相对排列位置、IGBT芯片的栅极朝向和栅极信号回路的方式，解决了现有技术中存在的多芯片并联IGBT半桥模块开通过程中电流不均衡的问题，缩小模块芯片间的开通峰值电流差异，开通过程对芯片的电流冲击减小，有利于模块长期可靠运行。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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