一种电机冷却机构
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110365137A

    公开(公告)日:2019-10-22

    申请号:CN201910515899.3

    申请日:2019-06-14

    Abstract: 本发明公开了一种电机冷却机构,包括机壳,所述机壳内设有能够容纳定子铁芯的空腔;所述机壳的内表面设有多个中间导流槽,定子铁芯的外表面与所述中间导流槽形成中间冷却通道,相邻中间冷却通道首尾相接;所述机壳内部与电机端部绕组相对应位置处设有凹槽环,所述凹槽环的凹槽与机壳内表面形成端部冷却通道;所述端部冷却通道与中间冷却通道相连通,形成一条完整的冷却通道;所述机壳上设有与冷却通道首端相连的冷却液入口,还设有与冷却通道尾端相连的冷却液出口;所述凹槽环底部与端部绕组之间填充导热绝热材料。本发明能够提高端部绕组和定子铁芯的散热性能。

    一种IGBT沟槽栅末端结构
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111009578A

    公开(公告)日:2020-04-14

    申请号:CN201911043605.8

    申请日:2019-10-30

    Abstract: 本发明公开了一种IGBT沟槽栅末端结构,包括衬底、虚拟沟槽区、多晶硅块、介质层、接触窗口、发射极金属层。虚拟沟槽区设于衬底端面上,虚拟沟槽区包括两条以上相互平行的虚拟沟槽,虚拟沟槽内填充有多晶硅,多晶硅块设于衬底端面上,用于并联虚拟沟槽区内的虚拟沟槽,介质层覆设于衬底端面上,且多晶硅块位于衬底与介质层之间,接触窗口贯穿介质层并延伸至多晶硅块上,接触窗口中填充有导体,发射极金属层覆设于介质层外表面,并通过接触窗口中的导体使得位于介质层上方的发射极金属层和介质层下方的多晶硅块及虚拟沟槽相连。由于采用添加多晶硅块并直接在多晶硅块上方开接触窗口保证了足够的接触面积,使得电场更加分散,增加了门极击穿电压。

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