公开(公告)号：CN110142475A

公开(公告)日：2019-08-20

申请号：CN201910375182.3

申请日：2019-05-07

Applicant: 国电南瑞科技股份有限公司

Inventor： 杨金龙 ,  董长城 ,  骆健 ,  王立 ,  姚二现

IPC: B23K1/008 ,  B23K3/08

Abstract: 本发明公开了一种用于大功率IGBT模块的无工装固定焊接方法，在一次焊接焊片背面喷涂聚合物粘结剂，并放置于覆铜陶瓷衬板表面；在芯片背面喷涂聚合物粘结剂，并放置于一次焊接焊片表面，组装成衬板子单元，将衬板子单元放入焊接炉完成一次焊接；在基板表面涂覆有机硅胶，涂覆形状为矩形框，矩形框的尺寸大于二次焊接焊片的尺寸；将二次焊接焊片放置于有机硅胶的矩形框内；将衬板子单元背面喷涂聚合物粘结剂，并放置于二次焊接焊片表面，完成组装后放入焊接炉完成二次焊接。本发明无需工装固定，能够保证焊接可靠性，无需清洗，二次焊接中的有机硅胶不但能够固定焊片，还能避免由于大尺寸焊片融化后造成的基板表面焊料漫流以及短路等现象。

公开(公告)号：CN110112122B

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN201910361350.3

申请日：2019-04-30

Applicant: 国电南瑞科技股份有限公司

Inventor： 姚二现 ,  王立 ,  潘政薇 ,  李宇柱

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/49 ,  H01L23/495

Abstract: 本发明公开了一种多芯片并联的半桥型IGBT模块，包含上下两个桥臂，每个桥臂由三组IGBT芯片组构成，每组IGBT芯片组由一颗IGBT芯片和与之反并联的续流二极管FRD构成，构成上桥臂的IGBT芯片和反并联的续流二极管FRD芯片背面焊接在上桥臂覆铜陶瓷衬板上，正面通过键合线蔟实现连接；构成下桥臂的IGBT芯片和反并联的续流二极管FRD芯片背面焊接在下桥臂覆铜陶瓷衬板上，正面通过键合线蔟实现连接。本发明能够通过改变IGBT芯片和FRD芯片的相对排列位置、IGBT芯片的栅极朝向和栅极信号回路的方式，解决了现有技术中存在的多芯片并联IGBT半桥模块开通过程中电流不均衡的问题，明显缩小模块芯片间的开通峰值电流差异，开通过程对芯片的电流冲击减小，有利于模块长期可靠运行。

公开(公告)号：CN110112122A

公开(公告)日：2019-08-09

申请号：CN201910361350.3

申请日：2019-04-30

Applicant: 国电南瑞科技股份有限公司

Inventor： 姚二现 ,  王立 ,  潘政薇 ,  李宇柱

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/49 ,  H01L23/495

Abstract: 本发明公开了一种多芯片并联的半桥型IGBT模块，包含上下两个桥臂，每个桥臂由三组IGBT芯片组构成，每组IGBT芯片组由一颗IGBT芯片和与之反并联的续流二极管FRD构成，构成上桥臂的IGBT芯片和反并联的续流二极管FRD芯片背面焊接在上桥臂覆铜陶瓷衬板上，正面通过键合线蔟实现连接；构成下桥臂的IGBT芯片和反并联的续流二极管FRD芯片背面焊接在下桥臂覆铜陶瓷衬板上，正面通过键合线蔟实现连接。本发明能够通过改变IGBT芯片和FRD芯片的相对排列位置、IGBT芯片的栅极朝向和栅极信号回路的方式，解决了现有技术中存在的多芯片并联IGBT半桥模块开通过程中电流不均衡的问题，明显缩小模块芯片间的开通峰值电流差异，开通过程对芯片的电流冲击减小，有利于模块长期可靠运行。

公开(公告)号：CN110142475B

公开(公告)日：2021-01-26

申请号：CN201910375182.3

申请日：2019-05-07

Applicant: 国电南瑞科技股份有限公司

Inventor： 杨金龙 ,  董长城 ,  骆健 ,  王立 ,  姚二现

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  B23K1/008 ,  B23K3/08

Abstract: 本发明公开了一种用于大功率IGBT模块的无工装固定焊接方法，在一次焊接焊片背面喷涂聚合物粘结剂，并放置于覆铜陶瓷衬板表面；在芯片背面喷涂聚合物粘结剂，并放置于一次焊接焊片表面，组装成衬板子单元，将衬板子单元放入焊接炉完成一次焊接；在基板表面涂覆有机硅胶，涂覆形状为矩形框，矩形框的尺寸大于二次焊接焊片的尺寸；将二次焊接焊片放置于有机硅胶的矩形框内；将衬板子单元背面喷涂聚合物粘结剂，并放置于二次焊接焊片表面，完成组装后放入焊接炉完成二次焊接。本发明无需工装固定，能够保证焊接可靠性，无需清洗，二次焊接中的有机硅胶不但能够固定焊片，还能避免由于大尺寸焊片融化后造成的基板表面焊料漫流以及短路等现象。

公开(公告)号：CN209896059U

公开(公告)日：2020-01-03

申请号：CN201920616357.0

申请日：2019-04-30

Applicant: 国电南瑞科技股份有限公司

Inventor： 姚二现 ,  王立 ,  潘政薇 ,  李宇柱

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/49 ,  H01L23/495

Abstract: 本实用新型公开了一种多芯片并联的半桥型IGBT模块，包含上下两个桥臂，每个桥臂由三组IGBT芯片组构成，每组IGBT芯片组由一颗IGBT芯片和与之反并联的续流二极管FRD构成，构成上桥臂的IGBT芯片和反并联的续流二极管FRD芯片背面焊接在上桥臂覆铜陶瓷衬板上，正面通过键合线蔟实现连接；构成下桥臂的IGBT芯片和反并联的续流二极管FRD芯片背面焊接在下桥臂覆铜陶瓷衬板上，正面通过键合线蔟实现连接。本模块能够通过改变IGBT芯片和FRD芯片的相对排列位置、IGBT芯片的栅极朝向和栅极信号回路的方式，解决了现有技术中存在的多芯片并联IGBT半桥模块开通过程中电流不均衡的问题，缩小模块芯片间的开通峰值电流差异，开通过程对芯片的电流冲击减小，有利于模块长期可靠运行。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利