公开(公告)号：CN1211857C

公开(公告)日：2005-07-20

申请号：CN00104636.5

申请日：2000-02-03

Applicant: 因芬尼昂技术北美公司 ,  国际商业机器公司

Inventor： J·A·曼德尔曼 ,  R·迪瓦卡鲁尼 ,  G·拉罗萨 ,  U·格吕宁 ,  C·拉登斯

IPC: H01L23/58 ,  H01L27/108 ,  H01L21/76

CPC classification number: H01L27/10861 ,  H01L21/763 ,  H01L21/765 ,  H01L27/10829 ,  H01L27/10897 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 动态随机存取存储器有多对存储单元，存储单元通过垂直电隔离沟槽相互隔离并与配套电路隔离。隔离沟槽具有侧壁及上和下部，并包围包含存储单元的半导体衬底的区域。这使多对存储单元相互电隔离并与位于半导体衬底内不位于环绕区内的配套电路电隔离。隔离沟槽的下部填充有导电半导体材料，导电材料有侧壁部分和下部，侧壁部分通过第一电绝缘体至少部分与沟槽下部的侧壁分离，下部与半导体衬底电接触。隔离沟槽的上部填充第二电绝缘体。

公开(公告)号：CN1267913A

公开(公告)日：2000-09-27

申请号：CN00104636.5

申请日：2000-02-03

Applicant: 因芬尼昂技术北美公司 ,  国际商业机器公司

Inventor： J·A·曼德尔曼 ,  R·迪瓦卡鲁尼 ,  G·拉罗萨 ,  U·格吕宁 ,  C·拉登斯

IPC: H01L23/58 ,  H01L27/108 ,  H01L21/76

CPC classification number: H01L27/10861 ,  H01L21/763 ,  H01L21/765 ,  H01L27/10829 ,  H01L27/10897 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 动态随机存取存储器有多对存储单元,存储单元通过垂直电隔离沟槽相互隔离并与配套电路隔离。隔离沟槽具有侧壁及上和下部,并包围包含存储单元的半导体本体的区域。这使多对存储单元相互电隔离并与位于半导体本体内不位于环绕区内的配套电路电隔离。隔离沟槽的下部填充有导电材料,导电材料有侧壁部分和下部,侧壁部分通过第一电绝缘体至少部分与沟槽下部的侧壁分离,下部与半导体本体电接触。隔离沟槽的上部填充第二电绝缘体。