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公开(公告)号：CN109207953B
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN201811268005.7
申请日：2018-10-29
Applicant: 四川大学
Abstract: 本发明公开了一种锆合金表面抗高温氧化ZrNx/(ZrAlFe)N/(ZrAlFeM)N复合梯度涂层制备工艺，其中M是Ti，V，Nb任意两种金属元素。本发明采用多靶共溅技术，在锆合金基体表面制备了ZrNx/(ZrAlFe)N/(ZrAlFeM)N复合梯度涂层。制备复合涂层分两个步骤进行：第一步骤制备ZrNx/(ZrAlFe)N梯度过渡层，首先在基底沉积Zr涂层；接着以流速为2sccm/min通入N2沉积ZrNx；然后连续过渡到(ZrAlFe)N；第二步骤制备(ZrAlFeM)N(M＝Ti,V,Nb任意两种金属)涂层。在(ZrAlFe)N过渡层中，Zr原子百分比沿厚度方向从100at％～30at％梯度变化，Al和Fe原子百分比沿厚度方向从0at％～35at％梯度变化；在(ZrAlFeM)N氮化物涂层中N原子百分比介于5at％～20at％，其他原子百分比介于10at％～35at％。本工艺通过设计涂层的梯度变化结构，具有缓解复合涂层内残余应力、耐高温抗氧化性能以及力学性能优异等特点。
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公开(公告)号：CN102400217A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201110344679.2
申请日：2011-11-04
Applicant: 四川大学
Abstract: 本发明公开了一种新型多孔硅及其制备方法：多孔硅结构为在低掺杂、N型单晶硅片基体内，形成柱形纳米多孔硅并封闭直孔空腔，表面为纳米多孔硅；采用电化学腐蚀的方法，在HF酸和有机溶剂混合溶液中，通过控制混合溶液配比、直流电源的电压和电流制备这种新型多孔硅结构。这种新型多孔硅结构及制备方法，为传感器、自爆芯片、发光器件等与硅基微纳器件的整合提供新的技术途径和方法。
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公开(公告)号：CN112786539A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202110169844.9
申请日：2021-02-08
Applicant: 四川大学
IPC: H01L23/00
Abstract: 本发明公开了一种基于阵列式孔道的二级激发自毁芯片及其制备方法，该二级激发自毁芯片包括基底层和自毁结构；基底层为目标芯片；自毁结构设置于目标芯片的背面，包括加热电路、若干孔道以及含能材料层，道阵列式排布于目标芯片上的拟损毁区域，含能材料层覆盖加热电路的加热区以及孔道阵列区域，加热电路串联于外部控制单元和供电单元构成的电路回路中。该自毁芯片通过常规芯片制备工艺即可制备。该自毁芯片采用弱电流激发‑化学燃爆的二级激发结构，在半导体基体上设置阵列式孔道、深孔等三维结构以降低基体强度，从而实现目标芯片的粉碎性损伤，通过两种技术手段实现了低功耗工况条件下对目标芯片的彻底销毁，从而确保了芯片的信息安全。
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公开(公告)号：CN107513694B
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201710725488.8
申请日：2017-08-22
Applicant: 四川大学
Abstract: 本发明公开了一种用于锆合金包壳表面抗高温氧化ZrCrFe/AlCrFeTiZr复合梯度合金涂层制备工艺。本发明采用超高真空多靶共溅射技术，在锆合金基体表面制备了ZrCrFe/AlCrFeTiZr复合梯度合金抗高温氧化保护涂层，包括沉积前处理、偏压反溅清洗和沉积ZrCrFe/AlCrFeTiZr复合梯度合金涂层等步骤。复合涂层的制备过程分为两个步骤进行：第一步骤制备ZrCrFe梯度过渡层涂层，沉积的ZrCrFe过渡层中，Zr元素原子百分比含量沿厚度方向从100at％～35at％梯度变化，Cr元素原子百分比含量沿厚度方向从0at％～33at％梯度变化，Fe元素原子百分比含量沿厚度方向从0at％～33at％梯度变化；第二步骤制备AlCrFeTiZr高熵合金涂层，沉积的AlCrFeTiZr高熵合金涂层中Al元素原子百分比含量控制在0.5at％～1.0at％，其他元素原子百分比介于10at％～35at％。本工艺制备出的涂层结合力良好，表面致密均匀，具有高强度、抗高温氧化以及耐辐照等优异性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102400217B
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201110344679.2
申请日：2011-11-04
Applicant: 四川大学
Abstract: 本发明公开了一种新型多孔硅及其制备方法：多孔硅结构为在低掺杂、N型单晶硅片基体内，形成柱形纳米多孔硅并封闭直孔空腔，表面为纳米多孔硅；采用电化学腐蚀的方法，在HF酸和有机溶剂混合溶液中，通过控制混合溶液配比、直流电源的电压和电流制备这种新型多孔硅结构。这种新型多孔硅结构及制备方法，为传感器、自爆芯片、发光器件等与硅基微纳器件的整合提供新的技术途径和方法。
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公开(公告)号：CN103972216A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410199784.5
申请日：2014-05-13
Applicant: 四川大学
IPC: H01L23/532 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种在超深亚微米集成电路铜互连技术中应用的可控自形成MnSixOy/Cu3Ge双层阻挡层制备工艺。本工艺采用气相物理共溅射技术，包括镀前处理、偏压反溅清洗、沉积Cu（Ge，Mn）合金层和控温退火等步骤。本发明利用Cu（Ge，Mn）合金层中各元素在高温退火过程中能自发选择性在Si/Cu（Ge，Mn）/Cu界面反应自形成MnSixOy/Cu3Ge双层阻挡层，其在高温（>650℃）条件下仍能有效阻挡Cu与Si基体的相互扩散。采用Cu（Ge，Mn）合金可控自形成MnSixOy/Cu3Ge双层阻挡层能有效降低互连膜系电阻率，降低互连电路的阻容耦合（RC）延迟效应，提高半导体器件的运行速度和稳定性。
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公开(公告)号：CN107513694A
公开(公告)日：2017-12-26
申请号：CN201710725488.8
申请日：2017-08-22
Applicant: 四川大学
CPC classification number: C23C14/352 , C23C14/022 , C23C14/165
Abstract: 本发明公开了一种用于锆合金包壳表面抗高温氧化ZrCrFe/AlCrFeTiZr复合梯度合金涂层制备工艺。本发明采用超高真空多靶共溅射技术，在锆合金基体表面制备了ZrCrFe/AlCrFeTiZr复合梯度合金抗高温氧化保护涂层，包括沉积前处理、偏压反溅清洗和沉积ZrCrFe/AlCrFeTiZr复合梯度合金涂层等步骤。复合涂层的制备过程分为两个步骤进行：第一步骤制备ZrCrFe梯度过渡层涂层，沉积的ZrCrFe过渡层中，Zr元素原子百分比含量沿厚度方向从100 at%~35 at%梯度变化，Cr元素原子百分比含量沿厚度方向从0 at%~33 at%梯度变化，Fe元素原子百分比含量沿厚度方向从0 at%~33 at%梯度变化；第二步骤制备AlCrFeTiZr高熵合金涂层，沉积的AlCrFeTiZr高熵合金涂层中Al元素原子百分比含量控制在0.5 at%~1.0 at%，其他元素原子百分比介于10 at%~35 at%。本工艺制备出的涂层结合力良好，表面致密均匀，具有高强度、抗高温氧化以及耐辐照等优异性能。
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公开(公告)号：CN106567050A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201610901542.5
申请日：2016-10-18
Applicant: 四川大学
CPC classification number: C23C14/0036 , C23C14/081
Abstract: 本发明公开了一种基于Cr2O3模板低温制备Zr掺杂α‑Al2O3纳米多层阻氚涂层工艺。本发明采用射频反应磁控溅射技术，先制备一层Cr2O3作为模板层，随后利用模板效应再制备一层Zr掺杂α‑Al2O3，重复上述步骤多步沉积获得Zr掺杂α‑Al2O3/Cr2O3纳米多层阻氚涂层：预抽真空度＜7.0×10‑4 Pa，气氛中氩气/氧气的流量比为9:1~7:1，溅射功率为100~150 W。本发明的优点在于能在400℃温度下制备Zr掺杂α‑Al2O3/Cr2O3纳米多层阻氚涂层，并通过组织和结构调控设计使其具有优异的抗辐照性能、热兼容性和阻氚渗透性能。
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公开(公告)号：CN103972162B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201410201533.6
申请日：2014-05-13
Applicant: 四川大学
IPC: H01L21/768 , H01L21/3205
Abstract: 本发明公开了一种碳化钼掺杂钌基合金（RuMoC）扩散阻挡层制备工艺，它涉及超深亚微米集成电路后端互连结构中铜（Cu）与氧化硅基绝缘介质（SiOC：H）之间一种新型扩散阻挡层的制备工艺。本发明沉积的RuMoC (5 nm)阻挡层热稳定温度可达600℃以上，能有效地抑制铜原子朝氧化硅基介质体内扩散。采用该工艺制备的RuMoC (5 nm)扩散阻挡层能有效降低互连膜系电阻率，降低互连电路的阻容耦合（RC）延迟效应，提高半导体器件的运行速度和稳定性。
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