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公开(公告)号：CN102709139B
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201210161962.6
申请日：2012-05-23
Applicant: 四川大学
Abstract: 一种用于输出单原子氢离子束的场发射离子源，属于小型特种离子源技术领域。主要包括：场发射阵列、泡沫金属活性薄板和加速极。泡沫金属活性薄板通过绝缘材料隔离后，放置于场发射阵列之上，其表面与场发射阵列表面平行，加速极置于泡沫金属活性薄板之上。工作时，场发射阵列的工作电压小于1kV，使尖端表面电场处于15~20V/nm即可。泡沫金属活性薄板相对于场发射阵列的上表面外接-700V左右的低压电源，加速极相对于泡沫金属活性薄板外接-10kV以上的高压脉冲电源。采用本发明后可以从加速极输出高比例氢（包括其同位素氘或氚）原子离子束，并且降低场发射阵列工作电压使其不至于烧毁。
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公开(公告)号：CN102569042A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210063021.9
申请日：2012-03-12
Applicant: 四川大学
IPC: H01L21/203 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种在超深亚微米集成电路铜（Cu）互连技术中应用的超薄、高热稳定性ZrGeN/CuGe复合梯度阻挡层的制备工艺。本发明沉积的梯度ZrGeN(5nm)/CuGe(10nm)阻挡层热稳定温度可达750℃以上。采用该方法制备的梯度ZrGeN(5nm)/CuGe(10nm)扩散阻挡层能有效降低互连膜系电阻率，降低互连电路的阻容耦合（RC）延迟效应，提高半导体器件的运行速度和稳定性。
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公开(公告)号：CN102280332B
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201110184514.3
申请日：2011-07-04
Applicant: 四川大学
IPC: H01J1/312
Abstract: 本发明的阴极属于真空电子学和材料学领域，尤其涉及一种MIPM型内场发射阴极。本发明的MIPM型内场发射阴极由底电极层、绝缘层、电子储存传输层和顶电极层组成，其主要特征在于电子储存传输层采用多孔硅薄膜材料。在交流驱动模式下，该功能层不仅能输运电子而且能储存电子，从而提高发射效率。与现有技术相比，本发明具有发射电流大、稳定性好等优点，并且这种阴极环境适应能力强，不仅可在气体中工作，也可在液体中工作。
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公开(公告)号：CN102709139A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210161962.6
申请日：2012-05-23
Applicant: 四川大学
Abstract: 一种用于输出单原子氢离子束的场发射离子源，属于小型特种离子源技术领域。主要包括：场发射阵列、泡沫金属活性薄板和加速极。泡沫金属活性薄板通过绝缘材料隔离后，放置于场发射阵列之上，其表面与场发射阵列表面平行，加速极置于泡沫金属活性薄板之上。工作时，场发射阵列的工作电压小于1kV，使尖端表面电场处于15~20V/nm即可。泡沫金属活性薄板相对于场发射阵列的上表面外接-700V左右的低压电源，加速极相对于泡沫金属活性薄板外接-10kV以上的高压脉冲电源。采用本发明后可以从加速极输出高比例氢（包括其同位素氘或氚）原子离子束，并且降低场发射阵列工作电压使其不至于烧毁。
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公开(公告)号：CN101464530A
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200810045242.7
申请日：2008-01-23
Applicant: 四川大学
Abstract: 一种红外增透膜及其制备方法，属于薄膜技术领域。以3～12μm为中心波长λ0，在ZnSe基体(1)上顺次制备高折射率(2)和低折射率(3)的λ0/4～λ0/4双层增透膜系。高折射率薄膜(2)的折射率为3.0～4.0，光学厚度为1～3μm，低折射率薄膜(3)的折射率为2.1～2.6，光学厚度为0.75～3μm。制备方法是采用中频和直流的双靶磁控溅射法，以Ge和C为靶源，CH4和Ar的混合气体作为辅助放电气体，在ZnSe基体单面或双面上沉积GexC1－x增透膜。通过控制Ge和C靶的溅射电流大小比例，以及控制CH4/Ar的分压比，制备出折射率不同的两层GexC1－x薄膜，通过控制时间等参数使每层薄膜的厚度达到λ0/4。本发明方法参数牵制性小、控制简单、增透效果优良。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111354501B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202010170266.6
申请日：2020-03-12
Applicant: 四川大学
Abstract: 本发明公开了一种基于回旋加速器的乏燃料萃取剂α粒子辐照系统及其辐照方法，该辐照系统包括依次连接的回旋加速器、束流降能与传输系统、固体/液体萃取剂辐照靶室以及在线测量与控制系统；固体/液体萃取剂辐照靶室包括真空室以及安装于真空室中的固体/液体萃取剂样品室；在线测量与控制系统包括束流测量室、与固体/液体萃取剂样品室连接的温度控制组件、与固体萃取剂样品室连接的气相质谱仪、与液体萃取剂样品室连接的液体循环控制组件以及与液体循环组件连接的液相质谱仪。本发明能够准确模拟真实工况下的乏燃料萃取剂α粒子辐照效应，对液体与固体两种萃取剂都能进行α粒子辐照，达到萃取剂辐解产物在线测量与分析的目的。
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公开(公告)号：CN102400217B
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201110344679.2
申请日：2011-11-04
Applicant: 四川大学
Abstract: 本发明公开了一种新型多孔硅及其制备方法：多孔硅结构为在低掺杂、N型单晶硅片基体内，形成柱形纳米多孔硅并封闭直孔空腔，表面为纳米多孔硅；采用电化学腐蚀的方法，在HF酸和有机溶剂混合溶液中，通过控制混合溶液配比、直流电源的电压和电流制备这种新型多孔硅结构。这种新型多孔硅结构及制备方法，为传感器、自爆芯片、发光器件等与硅基微纳器件的整合提供新的技术途径和方法。
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公开(公告)号：CN102709140A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210161961.1
申请日：2012-05-23
Applicant: 四川大学
IPC: H01J27/04
Abstract: 一种用于中子管的气体放电型离子源，属于加速器技术领域。从下到上包括磁钢、下阴极板、阳极筒、上阴极板、磁环、泡沫金属活性薄板和引出电极。工作时，阳极筒和上阴极、下阴极（上下阴极串联）外接一脉冲电源电压。泡沫金属活性薄板相对于上阴极接低压电源，引出电极相对于栅极外接高压脉冲电源。由于泡沫金属活性薄板的催化作用，从下阴极发射的氘分子离子会在泡沫金属内转变成为氘原子离子，经引出电极加速后可用回旋质谱仪测试氘原子和分子离子束比例。采用本发明离子源可以从引出电极输出高比率氢（包括其同位素氘或氚）原子离子束，将它用于中子管可以延长中子管的工作寿命、提高中子产额。
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公开(公告)号：CN119064981A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202411229673.4
申请日：2024-09-03
Applicant: 四川大学
IPC: G01T1/36 , G01T7/00 , G01N23/22 , G01N23/2202 , G01N23/203
Abstract: 本发明涉及核分析和测试标定领域，公开了一种氘化物快速离子束分析装置，包括用于产生3He离子束的加速器，以及束流管道和分析室，分析室内设置有背散射探测器、核反应探测器、第一过滤器、第二过滤器和样品台；加速器与分析室通过束流管道连接，样品台设置在分析室内，且样品台用于放置样品的一侧朝向束流管道，加速器产生的3He离子束经束流管道入射到样品上；背散射探测器、核反应探测器分别位于3He离子束经样品后的背散射方向上。本发明还公开了一种氘化物快速离子束分析系统及分析方法。本发明可以在短时间内完成信号采集，只需要获取背散射测试能谱和核反应测试能谱即可实现对氘化物中氘含量的测定，不会破坏样品。
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