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公开(公告)号：CN103305791A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310252906.8
申请日：2013-06-25
Applicant: 四川大学
Abstract: 本发明公开了一种4H-SiC基半导体中子探测器用的6LiF/BC4复合中子转换膜制备方法，采用射频磁控溅射技术，主要包含镀前处理、偏压反溅射清洗、预溅射清洗以及沉积6LiF/BC4复合转换膜等步骤。镀前处理为采用丙酮、乙醇超声波清洗；反溅射和预溅射清洗去除4H-SiC基体及靶材杂质。采用本发明获得的6LiF/BC4转换膜层耐辐照损伤、耐高温、厚度能精确可控、与4H-SiC基体结合性能优良和制备工艺重复性强，易实现产业推广。本发明制备的6LiF/BC4复合转换膜层与半导体4H-SiC器件合成的中子探测器实测效果具有噪音小、探测中子效率高、以及高γ抑制性等优点。
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公开(公告)号：CN103972216A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410199784.5
申请日：2014-05-13
Applicant: 四川大学
IPC: H01L23/532 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种在超深亚微米集成电路铜互连技术中应用的可控自形成MnSixOy/Cu3Ge双层阻挡层制备工艺。本工艺采用气相物理共溅射技术，包括镀前处理、偏压反溅清洗、沉积Cu（Ge，Mn）合金层和控温退火等步骤。本发明利用Cu（Ge，Mn）合金层中各元素在高温退火过程中能自发选择性在Si/Cu（Ge，Mn）/Cu界面反应自形成MnSixOy/Cu3Ge双层阻挡层，其在高温（>650℃）条件下仍能有效阻挡Cu与Si基体的相互扩散。采用Cu（Ge，Mn）合金可控自形成MnSixOy/Cu3Ge双层阻挡层能有效降低互连膜系电阻率，降低互连电路的阻容耦合（RC）延迟效应，提高半导体器件的运行速度和稳定性。
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公开(公告)号：CN103972162B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201410201533.6
申请日：2014-05-13
Applicant: 四川大学
IPC: H01L21/768 , H01L21/3205
Abstract: 本发明公开了一种碳化钼掺杂钌基合金（RuMoC）扩散阻挡层制备工艺，它涉及超深亚微米集成电路后端互连结构中铜（Cu）与氧化硅基绝缘介质（SiOC：H）之间一种新型扩散阻挡层的制备工艺。本发明沉积的RuMoC (5 nm)阻挡层热稳定温度可达600℃以上，能有效地抑制铜原子朝氧化硅基介质体内扩散。采用该工艺制备的RuMoC (5 nm)扩散阻挡层能有效降低互连膜系电阻率，降低互连电路的阻容耦合（RC）延迟效应，提高半导体器件的运行速度和稳定性。
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公开(公告)号：CN103305791B
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201310252906.8
申请日：2013-06-25
Applicant: 四川大学
Abstract: 本发明公开了一种4H-SiC基半导体中子探测器用的6LiF/10B4C复合中子转换膜制备方法，采用射频磁控溅射技术，主要包含镀前处理、偏压反溅射清洗、预溅射清洗以及沉积6LiF/10B4C复合转换膜等步骤。镀前处理为采用丙酮、乙醇超声波清洗；反溅射和预溅射清洗去除4H-SiC基体及靶材杂质。采用本发明获得的6LiF/10B4C转换膜层耐辐照损伤、耐高温、厚度能精确可控、与4H-SiC基体结合性能优良和制备工艺重复性强，易实现产业推广。本发明制备的6LiF/10B4C复合转换膜层与半导体4H-SiC器件合成的中子探测器实测效果具有噪音小、探测中子效率高、以及高γ抑制性等优点。
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公开(公告)号：CN103132040A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201310077722.2
申请日：2013-03-12
Applicant: 四川大学
Abstract: 本发明公开了一种4H-SiC基半导体中子探测器用的BC4转换膜制备方法，主要包含以下步骤：将4H-SiC基体分别浸没于丙酮、酒精中进行超声波清洗；采用偏压反溅射清洗去除4H-SiC基体中杂质，预溅射清洗去除BC4靶材表面杂质；以BC4靶作为磁控靶在4H-SiC基体上沉积BC4涂层；溅射清洗和溅射沉积均以氩气为起辉气体；反应磁控溅射镀膜真空炉内真空度调整至不低于10-3Pa自然冷却后出炉，即得到在4H-SiC基体上沉积的BC4转换膜。采用本发明获得的BC4转换膜厚度精确可控、耐辐照损伤、耐高温、与4H-SiC基体结合性能优良和制备工艺重复性强，易实现产业推广。本发明制备的BC4转换膜层与半导体4H-SiC器件合成的中子探测器实测效果具有噪音小、探测中子效率高、以及高γ抑制性等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103000576A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201210439672.3
申请日：2012-11-07
Applicant: 四川大学
IPC: H01L21/768 , C23C14/34
Abstract: 本发明公开了一种在超深亚微米集成电路铜互连技术中应用的可控自形成阻挡层用Cu（Ge，Zr）合金的制备工艺。本工艺采用气相物理共溅射技术，包括镀前处理、偏压反溅清洗和沉积Cu（Ge，Zr）合金层等步骤。本发明沉积的Cu（Ge，Zr）合金层特点是能在高温退火(>500℃)过程中自发在Si/Cu（Ge，Zr）/Cu界面形成ZrGe2/Cu3Ge和ZrOx(ZrSiyOx)/Cu3Ge复合层，其在高温（>650℃）条件下仍能有效阻挡Cu与Si基体的相互扩散。采用该Cu（Ge，Zr）合金自发形成的阻挡层能有效降低互连膜系电阻率，降低互连电路的阻容耦合（RC）延迟效应，提高半导体器件的运行速度和稳定性。
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公开(公告)号：CN102569042A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210063021.9
申请日：2012-03-12
Applicant: 四川大学
IPC: H01L21/203 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种在超深亚微米集成电路铜（Cu）互连技术中应用的超薄、高热稳定性ZrGeN/CuGe复合梯度阻挡层的制备工艺。本发明沉积的梯度ZrGeN(5nm)/CuGe(10nm)阻挡层热稳定温度可达750℃以上。采用该方法制备的梯度ZrGeN(5nm)/CuGe(10nm)扩散阻挡层能有效降低互连膜系电阻率，降低互连电路的阻容耦合（RC）延迟效应，提高半导体器件的运行速度和稳定性。
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公开(公告)号：CN103000576B
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201210439672.3
申请日：2012-11-07
Applicant: 四川大学
IPC: H01L21/768 , C23C14/34
Abstract: 本发明公开了一种在超深亚微米集成电路铜互连技术中应用的可控自形成阻挡层用Cu（Ge，Zr）合金的制备工艺。本工艺采用气相物理共溅射技术，包括镀前处理、偏压反溅清洗和沉积Cu（Ge，Zr）合金层等步骤。本发明沉积的Cu（Ge，Zr）合金层特点是能在高温退火(>500℃)过程中自发在Cu/Cu（Ge，Zr）/Si界面形成ZrGe2/Cu3Ge和ZrOx(ZrSiyOx)/Cu3Ge复合层，其在高温（>650℃）条件下仍能有效阻挡Cu与Si基体的相互扩散。采用该Cu（Ge，Zr）合金自发形成的阻挡层能有效降低互连膜系电阻率，降低互连电路的阻容耦合（RC）延迟效应，提高半导体器件的运行速度和稳定性。
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公开(公告)号：CN104022075A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201410254176.X
申请日：2014-06-10
Applicant: 四川大学
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76856 , H01L21/321 , H01L2221/1073
Abstract: 本发明公开了一种在超深亚微米集成电路铜互连技术中应用的可控自形成Cu3Ge/TiN双层阻挡层制备方法。本发明先采用气相物理共溅射技术制备Cu（Ge，Ti）合金层，随后通过控温氮气（N2）氛退火等步骤，利用Cu（Ge，Ti）合金层中各元素在高温退火过程中能自发选择性反应特性，在Si/Cu（Ge，Ti）/Cu界面可控自形成Cu3Ge/TiN双层阻挡层，其在高温（750℃）条件下仍能有效阻挡Cu与Si基体的相互扩散。采用Cu（Ge，Ti）合金可控自形成Cu3Ge/TiN双层阻挡层能有效降低互连膜系电阻率，降低互连电路的阻容耦合（RC）延迟效应，提高半导体器件的运行速度和稳定性。
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公开(公告)号：CN103972162A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410201533.6
申请日：2014-05-13
Applicant: 四川大学
IPC: H01L21/768 , H01L21/3205
CPC classification number: H01L21/76885
Abstract: 本发明公开了一种碳化钼掺杂钌基合金（RuMoC）扩散阻挡层制备工艺，它涉及超深亚微米集成电路后端互连结构中铜（Cu）与氧化硅基绝缘介质（SiOC：H）之间一种新型扩散阻挡层的制备工艺。本发明沉积的RuMoC(5nm)阻挡层热稳定温度可达600℃以上，能有效地抑制铜原子朝氧化硅基介质体内扩散。采用该工艺制备的RuMoC(5nm)扩散阻挡层能有效降低互连膜系电阻率，降低互连电路的阻容耦合（RC）延迟效应，提高半导体器件的运行速度和稳定性。
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