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公开(公告)号：CN101762623B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201010300140.2
申请日：2010-01-08
Applicant: 哈尔滨理工大学 , 哈尔滨源创微纳科技开发有限公司
Abstract: 一种AlN热隔离平板双面微结构的半导体式气体传感器及其制造方法，涉及一种自热隔离平板双面微结构气体传感器及其制造方法。解决了现有的Si材料的气体传感器存在工艺开发成本高、工艺复杂等问题。基片对角线的四个方位上刻蚀有热隔离槽，基片背面设置有加热电极和信号电极，通过通孔基片正面与背面的加热电极相连通，加热电极为蛇形排列结构，敏感膜附在信号电极上，制造方法如下：一选择基片；二传感器Pt金属薄膜信号电极制备：首先光刻，其次镀膜，最后金属膜剥离；三异面加热电极制备：首先镀膜，然后激光刻蚀；四热隔离；五退火；六附敏感膜。本发明可以作为半导体式Cl2、NOX、CO等气体传感器。
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公开(公告)号：CN101769888B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201010032466.1
申请日：2010-01-14
Applicant: 哈尔滨理工大学 , 哈尔滨源创微纳科技开发有限公司
IPC: G01N27/12
Abstract: 复合纳米半导体Cl2敏感材料In2O3/Nb2O5/Pt的制备方法，它涉及一种Cl2敏感材料的合成方法。本发明解决了现有方法制作得到的敏感材料敏感性差，使得Cl2传感器普遍存在着功耗高，体积大，只能进行低浓度检测的问题。方法：一、原料混合得到共沉积混合物；二、离心、抽滤、干燥；三、制作In2O3/Nb2O5纳米粉体；四、制作Cl2敏感材料In2O3/Nb2O5/Pt。本发明得到复合纳米半导体材料In2O3/Nb2O5/Pt对Cl2敏感性好，使用本发明制备的Cl2敏感材料In2O3/Nb2O5/Pt的Cl2传感器能检测Cl2的量程为0～500ppm，且功耗低，体积小。
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公开(公告)号：CN101767994B
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201010032479.9
申请日：2010-01-18
Applicant: 哈尔滨理工大学 , 哈尔滨源创微纳科技开发有限公司
IPC: C04B35/491 , C04B35/626
Abstract: 一种改性锆钛酸铅压电陶瓷粉体的制备方法，它涉及一种压电陶瓷粉体的制备方法。本发明解决了现有固相合成法制备压电陶瓷粉体存在化学配比不能精确控制、粉体活性低、所需烧结温度高、材料均匀性差的问题。方法：一、取Pb(Ac)2·3H2O、TiCl4、MnCl2、NiCl2·6H2O和ZrOCl2·8H2O的可溶性盐溶液混合并搅拌，得混合溶液；二、向混合溶液中加入Sb2O3并搅拌，得悬浊液；三、向悬浊液中加入氨水，得氢氧化物胶体，离心后弃上清液，清洗沉淀，干燥后研磨，得微粉；四、微粉烧结后即得改性锆钛酸铅压电陶瓷粉体。本发明各元素配比得到了精确控制，反应在低温下进行，粉体活性高，粉体均匀性好。
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公开(公告)号：CN101767992B
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201010032467.6
申请日：2010-01-14
Applicant: 哈尔滨理工大学 , 哈尔滨源创微纳科技开发有限公司
IPC: C04B35/49 , C04B35/624
Abstract: 一种溶胶凝胶法制备Zr(BiNa)BaTiO无铅压电陶瓷纳米粉体的方法，它涉及一种制备无铅压电陶瓷纳米粉体的方法。本发明解决了传统固相烧结法制得的粉体粒径分布范围宽、纯度低、掺杂元素不均匀、活性低、性能不稳定的问题。方法：一、称取原料；二、制备混合溶液；三、制备凝胶；四、经真空干燥、烧结即得到Zr(BiNa)BaTiO无铅压电陶瓷纳米粉体。本发明方法制作得到的Zr(BiNa)BaTiO无铅压电陶瓷纳米粉体粒径分布范围小、纯度高、掺杂元素均匀、活性高、性能稳定。
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公开(公告)号：CN119715736A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411866862.2
申请日：2024-12-17
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: G01N27/327 , G01N27/48
Abstract: 本发明公开了一种人体尿液三甲胺快速检测的柔性电化学传感器的制备方法，属于电化学传感器领域。本发明是为了解决现有的尿液中三甲胺检测的电化学传感器成本高、装置体积大，所需试剂用量多的问题，提出了一种基于人体尿液三甲胺快速检测的柔性电化学传感器，包括从下至上依次层叠设计的加热电极层、三电极层，并且在三电极层工作电极上修饰有三氧化钨/聚苯胺(WO3/PANI)复合材料。制备方法包括：一、纳米材料三氧化钨的制备；二、有机敏感材料聚合物聚苯胺的制备；三、WO3/PANI复合材料的制备；四、柔性电化学传感器的制备；五、工作电极的修饰；本发明制备的电化学传感器可用于人体尿液三甲胺浓度的微量、快速、准确检测。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109781649A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201811635878.7
申请日：2018-12-29
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: G01N21/3504 , G01N21/01
Abstract: 一种适用于多种气体检测的非分光型红外气体传感器,涉及基于非分光型红外气体传感器领域,为了解决现有用于多种气体检测的非分光型红外气体传感器中光通量投射不均、检测误差大的问题。上壁透气板、六棱台气体腔室侧壁和探测器底板围合成六棱台气体腔室，上壁透气板和六棱锥形反射板上均打有透气孔；探测器底板的中央设有红外光源，红外光源的周围均匀分布6个探测器，红外光源发射的准直红外光依次经六棱锥形反射板的底面和六棱台气体腔室侧壁的内壁反射后形成的6路光分别入射至6个聚光透镜，经聚光透镜聚焦后再通过滤光片滤光，最终入射至相应探测器。适用于检测多种气体，本发明的检测精度高、体积小。
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公开(公告)号：CN104390667A
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201410777315.7
申请日：2014-12-17
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: G01D21/02
Abstract: 一种渗B半导体加热温度可调环境参数集成传感器，适用于环境参数测量领域。本发明的目的是要解决现有的环境参数传感器测量参数单一、受环境温湿度影响较大、工作温度随环境变化、精度低、体积大、成本高等问题。一种渗B半导体加热温度可调的环境参数集成传感器其特征在于：主要由硅基底、二氧化硅绝缘层、渗B半导体加热体，氧化铝绝缘层、镍铬合金膜传感器、连接线和凹槽构成。一种渗B半导体加热温度可调的环境参数集成传感器，内置渗B半导体加热体，可为传感器提供适应的工作温度，从而提高传感器的精度；悬臂梁式结构可大大减小热量的浪费；MEMS技术的应用，可将环境参数传感器单元、温湿度传感器单元和加热体温度传感器单元和气体传感器单元集成在一个传感器中，可使本传感器体积变小、成本降低。
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公开(公告)号：CN104482964B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201410779711.3
申请日：2014-12-17
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种渗B半导体加热的高精度风速风向集成传感器，适用于风速和风向测量领域。本发明的目的是要解决现有的风速风向传感器受环境温湿度影响较大、工作温度随环境变化、精度低、体积大、成本高等问题。一种渗B半导体加热的高精度风速风向集成传感器其特征在于：主要由硅基底、二氧化硅绝缘层、渗B半导体加热体、渗B半导体加热体焊盘、风速风向传感器单元焊盘、半导体加热电极、氧化铝绝缘层、风速风向传感器单元、环境温湿度传感器单元、加热体温度传感器单元、连接线和凹槽构成。一种渗B半导体加热的高精度风速风向集成传感器，内置渗B半导体加热体，可为传感器提供适应的工作温度，从而提高精度；悬臂梁式结构可大大减小热量的浪费；MEMS技术的应用，可使本传感器体积变小、成本降低。
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公开(公告)号：CN104374886B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201410779678.4
申请日：2014-12-17
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种渗B半导体加热温湿度自补偿气体集成传感器，适用于多气体测量领域。本发明的目的是要解决现有的气体传感器检测参数单一、受环境温湿度影响较大、传感器工作温度随环境变化、精度低、体积大、成本高等问题。一种渗B半导体加热的温湿度自补偿气体集成传感器其特征在于：主要有硅基底、二氧化硅绝缘层、渗B半导体加热体，氧化铝绝缘层、镍铬合金膜传感器、连接线和凹槽构成。一种渗B半导体加热的温湿度自补偿气体集成传感器，内置渗B半导体加热体，可为传感器提供适应的工作温度，从而提高精度，悬臂梁式结构可大大减小热量的浪费，MEMS技术的应用，不仅实现多传感器的集成，还可使本传感器体积变小、成本降低。
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公开(公告)号：CN103030094B
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201210551404.0
申请日：2012-12-18
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种红外光发射与分光集成芯片及其制备方法，涉及芯片及其制备方法的领域。本发明是要解决现有的分析仪器由于红外灯泡加上机械斩波器的光源调制模式很难实现仪器的微型化、现有的闪耀光栅制备方法存在成本高和难度大的问题。一种红外光发射与分光集成芯片，其特征在于：它是由芯片内芯、封装外壳、反射镜组成；芯片内芯是由硅基片、二氧化硅层、闪耀光栅、光源电极、测温电阻、光隔离梁和隔离槽制备方法：一、准备硅基片；二、制备二氧化硅层；三、制备光源电极、测温电阻和光隔离梁；四、制备闪耀光栅；五、制备隔离槽；六、制备反射镜；七、封装。本发明适用于光谱仪器的领域。
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