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公开(公告)号：CN106053541B
公开(公告)日：2019-02-19
申请号：CN201610561951.5
申请日：2016-08-25
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: G01N27/00
Abstract: 一种环形加热器的Al2O3‑AlN陶瓷微热板气体传感器，包括：衬底、导热介质层、加热器电极、信号电极、焊盘、热隔离通孔、敏感膜。传感器中心加热区采用环形加热器设计，环形加热器周围采用环形热隔离通孔设计，从而减小热传导损耗。传感器衬底采用Al2O3陶瓷基片，通过磁控溅射在Al2O3陶瓷基片表面形成AlN导热介质膜，在AlN介质膜上通过柔性机械光刻剥离工艺实现Pt膜加热电极和信号电极制备，通过激光微加工工艺实现热隔离通孔的刻蚀。本发明通过环形加热器和半环形热隔离通孔设计，解决了微热板气体传感器热损耗高问题。同时，通过高热导率AlN导热介质膜设计，降低了微热板加热区热梯度效应，提高热平衡响应速率。本发明传感器可兼容多种半导体敏感膜，实现多种有毒有害气体检测功能，对现代传感器智能终端微型化、低功耗、智能化发展具有重要意义。
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公开(公告)号：CN104390667B
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201410777315.7
申请日：2014-12-17
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: G01D21/02
Abstract: 一种渗B半导体加热温度可调环境参数集成传感器，适用于环境参数测量领域。本发明的目的是要解决现有的环境参数传感器测量参数单一、受环境温湿度影响较大、工作温度随环境变化、精度低、体积大、成本高等问题。一种渗B半导体加热温度可调环境参数集成传感器其特征在于：主要由硅基底、二氧化硅绝缘层、渗B半导体加热体，渗B半导体加热体焊盘、环境参数传感器单元焊盘、半导体加热电极、氧化铝绝缘层、环境参数传感器单元、环境温湿度传感器、加热体温度传感器单元、连接线和凹槽构成。一种渗B半导体加热温度可调环境参数集成传感器，内置渗B半导体加热体，可为传感器提供适应的工作温度，从而提高传感器的精度；悬臂梁式结构可大大减小热量的浪费；MEMS技术的应用，可将环境参数传感器单元、温湿度传感器单元和加热体温度传感器单元集成在一个传感器中，可使本传感
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公开(公告)号：CN106053541A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610561951.5
申请日：2016-08-25
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: G01N27/00
CPC classification number: G01N27/00
Abstract: 一种环形加热器的Al2O3‑AlN陶瓷微热板气体传感器，包括：衬底、导热介质层、加热器电极、信号电极、焊盘、热隔离通孔、敏感膜。传感器中心加热区采用环形加热器设计，环形加热器周围采用环形热隔离通孔设计，从而减小热传导损耗。传感器衬底采用Al2O3陶瓷基片，通过磁控溅射在Al2O3陶瓷基片表面形成AlN导热介质膜，在AlN介质膜上通过柔性机械光刻剥离工艺实现Pt膜加热电极和信号电极制备，通过激光微加工工艺实现热隔离通孔的刻蚀。本发明通过环形加热器和半环形热隔离通孔设计，解决了微热板气体传感器热损耗高问题。同时，通过高热导率AlN导热介质膜设计，降低了微热板加热区热梯度效应，提高热平衡响应速率。本发明传感器可兼容多种半导体敏感膜，实现多种有毒有害气体检测功能，对现代传感器智能终端微型化、低功耗、智能化发展具有重要意义。
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公开(公告)号：CN106912105B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201710133596.6
申请日：2017-03-08
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: H04W64/00
Abstract: 本发明设计了一种基于粒子群算法(Particle Swarm Optimizer,PSO)优化后的BP神经网络的终端三维定位方法，可广泛应用于无线定位领域。本方法过程为：测得某区域内多个基站与终端的距离数据。将实测距离从小到大排序，选择距离最近的四个基站，用这四个基站通过最小二乘法计算出含非视距影响的终端位置。再计算出所有含非视距的终端位置，并计算出每个基站到终端的三维方向角。最后把所得终端位置坐标、基站到终端距离以及三维方向角作为PSO_BP神经网络的特征值输入层，输出层是修正后的终端位置坐标。本发明利用PSO算法优化了BP神经网络，所得结果消除了非视距因素带来的终端位置测量误差，提出的算法具有性能稳定、算法收敛快、定位精度高等优点，适合推广使用。
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公开(公告)号：CN104482964A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201410779711.3
申请日：2014-12-17
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种渗B半导体加热的高精度风速风向集成传感器，适用于风速和风向测量领域。本发明的目的是要解决现有的风速风向传感器受环境温湿度影响较大、工作温度随环境变化、精度低、体积大、成本高等问题。一种渗B半导体加热的高精度风速风向集成传感器其特征在于：主要由硅基底、二氧化硅绝缘层、渗B半导体加热体，氧化铝绝缘层、镍铬合金膜传感器、连接线和凹槽构成。一种渗B半导体加热的高精度风速风向集成传感器，内置渗B半导体加热体，可为传感器提供适应的工作温度，从而提高精度；悬臂梁式结构可大大减小热量的浪费；MEMS技术的应用，可使本传感器体积变小、成本降低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106912105A
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201710133596.6
申请日：2017-03-08
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: H04W64/00
Abstract: 本发明设计了一种基于粒子群算法(Particle Swarm Optimizer,PSO)优化后的BP神经网络的终端三维定位方法，可广泛应用于无线定位领域。本方法过程为：测得某区域内多个基站与终端的距离数据。将实测距离从小到大排序，选择距离最近的四个基站，用这四个基站通过最小二乘法计算出含非视距影响的终端位置。再计算出所有含非视距的终端位置，并计算出每个基站到终端的三维方向角。最后把所得终端位置坐标、基站到终端距离以及三维方向角作为PSO_BP神经网络的特征值输入层，输出层是修正后的终端位置坐标。本发明利用PSO算法优化了BP神经网络，所得结果消除了非视距因素带来的终端位置测量误差，提出的算法具有性能稳定、算法收敛快、定位精度高等优点，适合推广使用。
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公开(公告)号：CN104482964B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201410779711.3
申请日：2014-12-17
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种渗B半导体加热的高精度风速风向集成传感器，适用于风速和风向测量领域。本发明的目的是要解决现有的风速风向传感器受环境温湿度影响较大、工作温度随环境变化、精度低、体积大、成本高等问题。一种渗B半导体加热的高精度风速风向集成传感器其特征在于：主要由硅基底、二氧化硅绝缘层、渗B半导体加热体、渗B半导体加热体焊盘、风速风向传感器单元焊盘、半导体加热电极、氧化铝绝缘层、风速风向传感器单元、环境温湿度传感器单元、加热体温度传感器单元、连接线和凹槽构成。一种渗B半导体加热的高精度风速风向集成传感器，内置渗B半导体加热体，可为传感器提供适应的工作温度，从而提高精度；悬臂梁式结构可大大减小热量的浪费；MEMS技术的应用，可使本传感器体积变小、成本降低。
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公开(公告)号：CN104374886B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201410779678.4
申请日：2014-12-17
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种渗B半导体加热温湿度自补偿气体集成传感器，适用于多气体测量领域。本发明的目的是要解决现有的气体传感器检测参数单一、受环境温湿度影响较大、传感器工作温度随环境变化、精度低、体积大、成本高等问题。一种渗B半导体加热的温湿度自补偿气体集成传感器其特征在于：主要有硅基底、二氧化硅绝缘层、渗B半导体加热体，氧化铝绝缘层、镍铬合金膜传感器、连接线和凹槽构成。一种渗B半导体加热的温湿度自补偿气体集成传感器，内置渗B半导体加热体，可为传感器提供适应的工作温度，从而提高精度，悬臂梁式结构可大大减小热量的浪费，MEMS技术的应用，不仅实现多传感器的集成，还可使本传感器体积变小、成本降低。
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公开(公告)号：CN104374886A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201410779678.4
申请日：2014-12-17
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种渗B半导体加热温湿度自补偿气体集成传感器，适用于多气体测量领域。本发明的目的是要解决现有的气体传感器检测参数单一、受环境温湿度影响较大、传感器工作温度随环境变化、精度低、体积大、成本高等问题。一种渗B半导体加热的温湿度自补偿气体集成传感器其特征在于：主要有硅基底、二氧化硅绝缘层、渗B半导体加热体，氧化铝绝缘层、镍铬合金膜传感器、连接线和凹槽构成。一种渗B半导体加热的温湿度自补偿气体集成传感器，内置渗B半导体加热体，可为传感器提供适应的工作温度，从而提高精度，悬臂梁式结构可大大减小热量的浪费，MEMS技术的应用，不仅实现多传感器的集成，还可使本传感器体积变小、成本降低。
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公开(公告)号：CN104390667A
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201410777315.7
申请日：2014-12-17
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: G01D21/02
Abstract: 一种渗B半导体加热温度可调环境参数集成传感器，适用于环境参数测量领域。本发明的目的是要解决现有的环境参数传感器测量参数单一、受环境温湿度影响较大、工作温度随环境变化、精度低、体积大、成本高等问题。一种渗B半导体加热温度可调的环境参数集成传感器其特征在于：主要由硅基底、二氧化硅绝缘层、渗B半导体加热体，氧化铝绝缘层、镍铬合金膜传感器、连接线和凹槽构成。一种渗B半导体加热温度可调的环境参数集成传感器，内置渗B半导体加热体，可为传感器提供适应的工作温度，从而提高传感器的精度；悬臂梁式结构可大大减小热量的浪费；MEMS技术的应用，可将环境参数传感器单元、温湿度传感器单元和加热体温度传感器单元和气体传感器单元集成在一个传感器中，可使本传感器体积变小、成本降低。
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