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公开(公告)号：CN101762623B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201010300140.2
申请日：2010-01-08
Applicant: 哈尔滨理工大学 , 哈尔滨源创微纳科技开发有限公司
Abstract: 一种AlN热隔离平板双面微结构的半导体式气体传感器及其制造方法，涉及一种自热隔离平板双面微结构气体传感器及其制造方法。解决了现有的Si材料的气体传感器存在工艺开发成本高、工艺复杂等问题。基片对角线的四个方位上刻蚀有热隔离槽，基片背面设置有加热电极和信号电极，通过通孔基片正面与背面的加热电极相连通，加热电极为蛇形排列结构，敏感膜附在信号电极上，制造方法如下：一选择基片；二传感器Pt金属薄膜信号电极制备：首先光刻，其次镀膜，最后金属膜剥离；三异面加热电极制备：首先镀膜，然后激光刻蚀；四热隔离；五退火；六附敏感膜。本发明可以作为半导体式Cl2、NOX、CO等气体传感器。
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公开(公告)号：CN101769888B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201010032466.1
申请日：2010-01-14
Applicant: 哈尔滨理工大学 , 哈尔滨源创微纳科技开发有限公司
IPC: G01N27/12
Abstract: 复合纳米半导体Cl2敏感材料In2O3/Nb2O5/Pt的制备方法，它涉及一种Cl2敏感材料的合成方法。本发明解决了现有方法制作得到的敏感材料敏感性差，使得Cl2传感器普遍存在着功耗高，体积大，只能进行低浓度检测的问题。方法：一、原料混合得到共沉积混合物；二、离心、抽滤、干燥；三、制作In2O3/Nb2O5纳米粉体；四、制作Cl2敏感材料In2O3/Nb2O5/Pt。本发明得到复合纳米半导体材料In2O3/Nb2O5/Pt对Cl2敏感性好，使用本发明制备的Cl2敏感材料In2O3/Nb2O5/Pt的Cl2传感器能检测Cl2的量程为0～500ppm，且功耗低，体积小。
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公开(公告)号：CN101767994B
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201010032479.9
申请日：2010-01-18
Applicant: 哈尔滨理工大学 , 哈尔滨源创微纳科技开发有限公司
IPC: C04B35/491 , C04B35/626
Abstract: 一种改性锆钛酸铅压电陶瓷粉体的制备方法，它涉及一种压电陶瓷粉体的制备方法。本发明解决了现有固相合成法制备压电陶瓷粉体存在化学配比不能精确控制、粉体活性低、所需烧结温度高、材料均匀性差的问题。方法：一、取Pb(Ac)2·3H2O、TiCl4、MnCl2、NiCl2·6H2O和ZrOCl2·8H2O的可溶性盐溶液混合并搅拌，得混合溶液；二、向混合溶液中加入Sb2O3并搅拌，得悬浊液；三、向悬浊液中加入氨水，得氢氧化物胶体，离心后弃上清液，清洗沉淀，干燥后研磨，得微粉；四、微粉烧结后即得改性锆钛酸铅压电陶瓷粉体。本发明各元素配比得到了精确控制，反应在低温下进行，粉体活性高，粉体均匀性好。
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公开(公告)号：CN101767992B
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201010032467.6
申请日：2010-01-14
Applicant: 哈尔滨理工大学 , 哈尔滨源创微纳科技开发有限公司
IPC: C04B35/49 , C04B35/624
Abstract: 一种溶胶凝胶法制备Zr(BiNa)BaTiO无铅压电陶瓷纳米粉体的方法，它涉及一种制备无铅压电陶瓷纳米粉体的方法。本发明解决了传统固相烧结法制得的粉体粒径分布范围宽、纯度低、掺杂元素不均匀、活性低、性能不稳定的问题。方法：一、称取原料；二、制备混合溶液；三、制备凝胶；四、经真空干燥、烧结即得到Zr(BiNa)BaTiO无铅压电陶瓷纳米粉体。本发明方法制作得到的Zr(BiNa)BaTiO无铅压电陶瓷纳米粉体粒径分布范围小、纯度高、掺杂元素均匀、活性高、性能稳定。
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公开(公告)号：CN119954200A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202411953182.4
申请日：2024-12-27
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种Ru修饰的SnS2/SnO2花状复合材料的制备方法、硫化氢气体传感器及其制备方法，属于半导体气体敏感型传感器技术领域。为了解决SnS2半导体气体传感器灵敏度低，电导率低和响应速率慢的技术问题，本发明气敏材料的制备：采用水热法合成SnS2敏感材料；采用二次水热法在SnS2纳米花状结构表面生长球形SnO2纳米颗粒，形成表面颗粒分布的二维花状结构材料；使用醋酸钌沉浸形式实现贵金属Ru对SnS2/SnO2材料的修饰，通过高温分解形成金属杂化修饰。本发明显著提高了气敏材料对H2S气体的灵敏度和响应恢复速率，特别是对H2S实现了超快响应。本发明制备的基于Ru修饰的SnS2/SnO2花状复合材料的气体传感器在H2S有毒气体监测方面具有广泛前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109633197B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN201910078142.2
申请日：2019-01-28
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种双加热电极宽量程风速传感器及其制造方法，用于提高检测灵敏度和速率，属于风速传感器领域。本发明包括：加热器电极位于八边形衬底的中心，加热器电极由双加热器围成中心为方形盘绕式结构和四个引用电极组成，四个引用电极分别从方形盘绕式结构的四个角引出，且每个引用电极的宽度逐渐变宽；每个温度探测器电极为对称结构，包括扇形本体及该本体边缘引出并延伸至八边形衬底边缘的两个探测电极，四个温度探测器电极分布在加热器电极周围的八边形衬底上，加热器电极的每相邻两个引出电极之间设置一个温度探测器电极；在每个温度探测器电极与加热器电极之间的八边形衬底上设置一个热隔离槽。
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公开(公告)号：CN117069165A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311025031.8
申请日：2023-08-15
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种Pd修饰二维多孔NiO/ZnO气敏材料的制备方法及其制备CO气体传感器的方法，本发明属于半导体化学量传感器敏感电子学领域。本发明为了解决ZnO半导体气体传感器灵敏度低，响应速率慢和易受干扰的技术问题。气敏材料的制备：采用水热法合成ZnO敏感材料；采用二次水热法在ZnO纳米结构表面原位生长NiO纳米颗粒，形成表面颗粒分布的二维多孔NiO/ZnO材料；使用稀盐酸溶解氯化钯沉浸形式进行贵金属Pd对NiO/ZnO材料进行修饰，通过高温分解形成金属杂化修饰和阳离子浓度提高。本发明显著提高了气敏材料对CO气体的灵敏度和响应恢复速率，特别是对CO实现了超快响应。本发明制备的基于酸性条件下Pd修饰的NiO/ZnO材料制备的气体传感器在CO有毒气体监测方面具有广泛前景。
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公开(公告)号：CN116353133A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310077812.5
申请日：2023-02-05
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明主要涉及液压冲压领域，具体为一种高速开关数字阀控制板料冲压系统及其控制方法。其中包括两个液压缸，所述两个液压缸均分别由4个速开关数字阀控制；所述两个液压缸分别带动冲头对冲压板料做功和拨杆机构做功；所述拨杆组件具有自动限位功能，可带动冲压板料自动前进；所述两个液压缸之间由一个减压阀连接。本发明利用4个高速开关数字阀控制液压缸带动冲压模具完成冲压工作，并利用4个高速开关数字阀控制液压缸带动连杆机构来完成冲压板料的自动前进过程。拨杆组件内部具有限位功能，可以保证整个冲压板料在冲压过程中前进的顺利进行。该系统能够实现高效、快速的冲压过程，自动化程度高，并节约资源。
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公开(公告)号：CN114835483B
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202210355886.6
申请日：2022-04-06
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: C04B35/40 , C04B35/26 , H01F1/01 , C04B35/622
Abstract: 一种低损耗高储能效率铁酸铋基无铅反铁电陶瓷材料及其制备方法，本发明涉及无铅铁电陶瓷材料领域，具体涉及一种低损耗高储能效率铁酸铋基无铅反铁电陶瓷材料及其制备方法。该陶瓷材料的化学组成为yBi1.05Fe0.995Mn0.005O3‑(1‑y)Sr1‑x(Na0.5Me0.5)xTiO3。本发明以BiFeO3‑SrTiO3为基体材料，采用普通原料和两步烧结方法，获得成分均匀结构可控的致密陶瓷。本发明的铁酸铋基储能陶瓷材料，在电场强度E 85％。其制备方法简单，工艺稳定，成本低廉，满足环保要求。本发明制备铁酸铋基陶瓷材料用于高能量密度和高功率输出的电子设备中。
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公开(公告)号：CN110048694B
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN201910325291.4
申请日：2019-04-22
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: H03H21/00
Abstract: 基于变元步长的随机傅里叶特征核最小均方算法，属于核自适应滤波器优化领域，本发明为解决现有核自适应滤波系统中性能最好的基于随机傅里叶特征的核最小均方算法采用固定步长的方法，算法的收敛速度收到限制的问题。本发明具体过程为：计算核自适应滤波器的输出，计算误差；将第n次迭代的权值向量更新为第n+1次迭代的权值向量；将第n次迭代的步长更新为第n+1次迭代的步长；判断第n+1次迭代的步长的值与预先设定的步长取值范围的最小值和最大值的大小，将第n次迭代的元步长更新为第n+1次迭代的元步长，获取第n+1次迭代的核自适应滤波器的输出。本发明用于核自适应滤波系统。
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