公开(公告)号：CN101762623B

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201010300140.2

申请日：2010-01-08

Applicant: 哈尔滨理工大学 ,  哈尔滨源创微纳科技开发有限公司

Inventor： 施云波 ,  赵文杰 ,  周真 ,  修德斌 ,  冯侨华 ,  何梦资

IPC: G01N27/04 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00

Abstract: 一种AlN热隔离平板双面微结构的半导体式气体传感器及其制造方法，涉及一种自热隔离平板双面微结构气体传感器及其制造方法。解决了现有的Si材料的气体传感器存在工艺开发成本高、工艺复杂等问题。基片对角线的四个方位上刻蚀有热隔离槽，基片背面设置有加热电极和信号电极，通过通孔基片正面与背面的加热电极相连通，加热电极为蛇形排列结构，敏感膜附在信号电极上，制造方法如下：一选择基片；二传感器Pt金属薄膜信号电极制备：首先光刻，其次镀膜，最后金属膜剥离；三异面加热电极制备：首先镀膜，然后激光刻蚀；四热隔离；五退火；六附敏感膜。本发明可以作为半导体式Cl2、NOX、CO等气体传感器。

公开(公告)号：CN101769888B

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN201010032466.1

申请日：2010-01-14

Applicant: 哈尔滨理工大学 ,  哈尔滨源创微纳科技开发有限公司

Inventor： 施云波 ,  赵文杰 ,  周真 ,  修德斌 ,  冯侨华 ,  何梦资

IPC: G01N27/12

Abstract: 复合纳米半导体Cl2敏感材料In2O3/Nb2O5/Pt的制备方法，它涉及一种Cl2敏感材料的合成方法。本发明解决了现有方法制作得到的敏感材料敏感性差，使得Cl2传感器普遍存在着功耗高，体积大，只能进行低浓度检测的问题。方法：一、原料混合得到共沉积混合物；二、离心、抽滤、干燥；三、制作In2O3/Nb2O5纳米粉体；四、制作Cl2敏感材料In2O3/Nb2O5/Pt。本发明得到复合纳米半导体材料In2O3/Nb2O5/Pt对Cl2敏感性好，使用本发明制备的Cl2敏感材料In2O3/Nb2O5/Pt的Cl2传感器能检测Cl2的量程为0～500ppm，且功耗低，体积小。

公开(公告)号：CN101767994B

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN201010032479.9

申请日：2010-01-18

Applicant: 哈尔滨理工大学 ,  哈尔滨源创微纳科技开发有限公司

Inventor： 施云波 ,  冯侨华 ,  修德斌 ,  赵文杰 ,  何梦资 ,  荣鹏志

IPC: C04B35/491 ,  C04B35/626

Abstract: 一种改性锆钛酸铅压电陶瓷粉体的制备方法，它涉及一种压电陶瓷粉体的制备方法。本发明解决了现有固相合成法制备压电陶瓷粉体存在化学配比不能精确控制、粉体活性低、所需烧结温度高、材料均匀性差的问题。方法：一、取Pb(Ac)2·3H2O、TiCl4、MnCl2、NiCl2·6H2O和ZrOCl2·8H2O的可溶性盐溶液混合并搅拌，得混合溶液；二、向混合溶液中加入Sb2O3并搅拌，得悬浊液；三、向悬浊液中加入氨水，得氢氧化物胶体，离心后弃上清液，清洗沉淀，干燥后研磨，得微粉；四、微粉烧结后即得改性锆钛酸铅压电陶瓷粉体。本发明各元素配比得到了精确控制，反应在低温下进行，粉体活性高，粉体均匀性好。

公开(公告)号：CN101767992B

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN201010032467.6

申请日：2010-01-14

Applicant: 哈尔滨理工大学 ,  哈尔滨源创微纳科技开发有限公司

Inventor： 施云波 ,  冯侨华 ,  修德斌 ,  赵文杰 ,  何梦资 ,  荣鹏志

IPC: C04B35/49 ,  C04B35/624

Abstract: 一种溶胶凝胶法制备Zr(BiNa)BaTiO无铅压电陶瓷纳米粉体的方法，它涉及一种制备无铅压电陶瓷纳米粉体的方法。本发明解决了传统固相烧结法制得的粉体粒径分布范围宽、纯度低、掺杂元素不均匀、活性低、性能不稳定的问题。方法：一、称取原料；二、制备混合溶液；三、制备凝胶；四、经真空干燥、烧结即得到Zr(BiNa)BaTiO无铅压电陶瓷纳米粉体。本发明方法制作得到的Zr(BiNa)BaTiO无铅压电陶瓷纳米粉体粒径分布范围小、纯度高、掺杂元素均匀、活性高、性能稳定。