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公开(公告)号：CN103887330B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201410136051.7
申请日：2014-04-04
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 中国航天标准化研究所
IPC: H01L29/73 , H01L29/47 , H01L21/331 , H01L21/28
Abstract: 一种基于发射极电极接触方式的抗辐照双极器件及该双极器件的制备方法，属于电子技术领域。本发明是为了解决现有的双极器件在空间辐射环境下会产生电离及位移效应，双极器件受辐射损伤后电性能指标下降的问题。本发明所述的一种基于发射极电极接触方式的抗辐照双极器件通过多晶硅连接双极器件的金属层与发射区的方式进行连接，从而达到抑制双极器件在空间辐射环境产生电离及位移辐射损伤的目的；本发明所述的一种基于发射极电极接触方式的抗辐照双极器件的制备方法，在保留了传统的双极器件制备工艺的同时，制备出了能够大幅度降低辐射损伤的双极器件。本发明适用于双极器件抗辐照加固技术应用中。
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公开(公告)号：CN108346693A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201810136618.9
申请日：2018-02-09
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 中国电子科技集团公司第二十四研究所 , 中国航天标准化研究所
IPC: H01L29/739 , H01L21/331
Abstract: 一种用于提取氧化物电荷和界面态的栅控纵向双极器件结构单元及其制备方法，属于核科学与技术领域，为了解决纵向双极晶体管无法定量分离氧化物俘获正电荷和界面态。本发明通过增加栅极单元，以便定量表征以及分离氧化物电荷和界面态；栅极单元设置在发射区接触孔和基区接触孔之间的氧化物上方；栅极单元的外边缘距发射区接触孔的距离大于或等于0.2μm；栅极单元距基区发射孔的距离大于或等于0.2μm；并且栅极单元的面积小于或等于整个基区面积的1/4。有益效果为准确定量表征辐射诱导氧化物和界面态缺陷的状态。
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公开(公告)号：CN106645216A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201611031477.1
申请日：2016-11-18
Applicant: 中国航天标准化研究所 , 哈尔滨工业大学
IPC: G01N23/00
CPC classification number: G01N23/00 , G01N2223/632
Abstract: 本发明提供了一种绝缘材料在轨性能退化的预测方法，包括如下步骤：提供辐射源及绝缘材料；用所述辐射源对所述绝缘材料进行辐照；对所述绝缘材料进行特征性能测试，获得特征曲线；对所述绝缘材料进行空间环境模拟计算，获得所述绝缘材料在预计寿命内的累积电离吸收剂量；根据所述累积电离吸收剂量在所述特征曲线内查找所述绝缘材料对应的特征性能参数值，预测所述绝缘材料在轨性能退化状况。本发明建立了合理统一的机电元件用绝缘材料在轨性能退化的预测方法，支撑航天工程星箭系统配套电线电缆、继电器、电连接器元件的考核评价工作，对航天器寿命预测和可靠性研究有着重要的意义。
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公开(公告)号：CN103887330A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201410136051.7
申请日：2014-04-04
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 中国航天标准化研究所
IPC: H01L29/73 , H01L29/47 , H01L21/331 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/7325 , H01L21/28 , H01L29/41708 , H01L29/66272
Abstract: 一种基于发射极电极接触方式的抗辐照双极器件及该双极器件的制备方法，属于电子技术领域。本发明是为了解决现有的双极器件在空间辐射环境下会产生电离及位移效应，双极器件受辐射损伤后电性能指标下降的问题。本发明所述的一种基于发射极电极接触方式的抗辐照双极器件通过多晶硅连接双极器件的金属层与发射区的方式进行连接，从而达到抑制双极器件在空间辐射环境产生电离及位移辐射损伤的目的；本发明所述的一种基于发射极电极接触方式的抗辐照双极器件的制备方法，在保留了传统的双极器件制备工艺的同时，制备出了能够大幅度降低辐射损伤的双极器件。本发明适用于双极器件抗辐照加固技术应用中。
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公开(公告)号：CN113109645B
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202110277632.2
申请日：2021-03-15
Applicant: 中国航天标准化研究所
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明涉及一种倒封装器件单粒子评估方法，包括：样品准备；试验装置安装调试；选择离子能量；确定离子到达有源区时的有效LET和射程，如果到达有源区有效，LET值满足试验所要的LET值要求，则采用直接辐照方法开始辐照，否则按照一定原则，选择如下辐照方法：衬底减薄；正封装替代；敏感区评估；局部裸露制样；键合封装制样；单元库推导；离子辐照：按试验方案要求，选择合适的离子，进行辐照；效应检测；绘制单粒子事件截面与入射离子有效LET值的关系曲线。本发明提出七种评估方法，适应各类倒装焊器件特点，可以对宇航用倒装焊器件的单粒子效应做出评价，服务于航天型号，解决宇航倒装焊器件单粒子评估方法缺失问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106568999A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201610986061.9
申请日：2016-11-09
Applicant: 中国航天标准化研究所
IPC: G01R15/22
CPC classification number: G01R15/22
Abstract: 本发明公开了一种提高光电耦合器电流传输比温度稳定性的方法，包括：随机选择一个第一发光二级管；随机选择一个第一光敏三极管；当基于第一发光二级管和第一光敏三极管生成的电流传输比与温度的关系曲线与预设曲线不匹配时，重新选择第二发光二级管和/或重新选择第二光敏三极管，直至生成的电流传输比与温度的关系曲线与预设曲线匹配，将电流传输比与温度的关系曲线与预设曲线匹配时对应的发光二级管作为光电耦合器的输入端，将电流传输比与温度的关系曲线与预设曲线匹配时对应的光敏三极管作为光电耦合器的输出端。通过本发明可以准确得到符合电流传输比温度稳定性要求的发光二级管和光敏三极管，提高了光电耦合器电流传输比温度稳定性。
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公开(公告)号：CN119761020A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411848061.3
申请日：2024-12-16
Applicant: 中国航天标准化研究所
IPC: G06F30/20 , G06F119/02
Abstract: 本申请提供一种元器件产品详细规范的正向设计方法，该方法包括：获取生产厂目标和/或用户需求；根据生产厂目标和/或用户需求，确定元器件目标定义，元器件目标定义包括关键指标要求、质量可靠性要求、环境适应性要求、用户特殊要求中至少一种；根据元器件目标定义，进行初步设计，初步设计包括确定元器件的功能性能指标、检验项目及试验应力和判据要求；基于初步设计，制定元器件的详细规范草案；基于元器件的详细规范草案，确定可靠性摸底数据；根据可靠性摸底数据和元器件目标定义，确定元器件产品详细规范。该方案可以从产品源头进行系统性规划和差异化设计元器件产品详细规范。
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公开(公告)号：CN119355480A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411809071.6
申请日：2024-12-10
Applicant: 中国航天标准化研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种基于β值退化的晶体管可靠寿命预测方法，晶体管可靠寿命预测是基于失效物理模型的，与基于数理统计的传统可靠寿命预测方法相比，能够从晶体管微观失效物理入手，更加精准的反映晶体管的敏感参数退化情况，从而提高晶体管可靠寿命预测的精准度；晶体管可靠寿命预测考虑了敏感参数β的初始分布，更加符合晶体管外特性参数的实际情况，并基于此给出了指定可靠度下的寿命预测，对于晶体管的工程应用更加具有指导意义。
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公开(公告)号：CN102590659A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210021861.9
申请日：2012-01-31
Applicant: 中国航天标准化研究所
Inventor： 刘文宝
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明提供一种利用加速试验来评价电容器贮存寿命的方法，包括1)在被评价电容器中抽取一定数量样本，给每只电容器编号后测量并记录被测电容器的电容值，后随机分为若干组；2)取其中一组进行室温贮存试验，间隔一定时间取出一批样品测试并记录贮存后的电容值变化，得到室温贮存电容随时间变化曲线；步骤3)在不同温度下进行贮存试验，通过摸底试验确定合适的温度作为加速应力；4)在步骤3)确定的合适的较高温度下进行贮存试验，与步骤2)一样间隔一定时间测试并记录贮存后的电容值变化，得到高温下的贮存电容随时间变化曲线；5)利用曲线拟合，验证不同温度下变化趋势是否相同；6)进行数据分析，推算出常温下器件贮存寿命。
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公开(公告)号：CN113109645A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110277632.2
申请日：2021-03-15
Applicant: 中国航天标准化研究所
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明涉及一种倒封装器件单粒子评估方法，包括：样品准备；试验装置安装调试；选择离子能量；确定离子到达有源区时的有效LET和射程，如果到达有源区有效，LET值满足试验所要的LET值要求，则采用直接辐照方法开始辐照，否则按照一定原则，选择如下辐照方法：衬底减薄；正封装替代；敏感区评估；局部裸露制样；键合封装制样；单元库推导；离子辐照：按试验方案要求，选择合适的离子，进行辐照；效应检测；绘制单粒子事件截面与入射离子有效LET值的关系曲线。本发明提出七种评估方法，适应各类倒装焊器件特点，可以对宇航用倒装焊器件的单粒子效应做出评价，服务于航天型号，解决宇航倒装焊器件单粒子评估方法缺失问题。
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