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公开(公告)号：CN119542128A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411622354.X
申请日：2024-11-14
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)
IPC: H01L21/205 , H01L21/78 , H10F77/124 , H10F77/169 , H10F71/00
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，提供了一种磷化铟单晶薄膜的高质量定向远程外延方法和剥离转移方法。本发明在磷化铟单晶衬底表面覆盖单层石墨烯膜，再采用两段式气相外延法制备磷化铟单晶薄膜；之后将磷化铟单晶薄膜剥离并转移到硅基底表面。本发明采用两段式气相外延法，能够保护石墨烯不受破坏，提高外延膜的晶体质量；利用单层石墨烯的薄层特性及电穿透性，可以通过更换不同晶面的衬底制备定向晶面的磷化铟单晶薄膜；同时，石墨烯/外延层界面为范德华力，利用机械力即可剥离，进而实现磷化铟单晶薄膜的转移。综上，本发明能够实现特定取向磷化铟单晶薄膜、异质结薄膜乃至器件的剥离转移和硅基异质集成，应用前景广阔。
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