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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118374875A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202311079357.9
申请日：2023-08-25
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)
Abstract: 本发明属于半导体材料与半导体微电子器件技术领域，具体涉及一种一维铋硫氯单晶及其制备方法、一种铋硫氯光电探测器及其制备方法。本发明沿着保护气体流动的方向，间隔设置硫粉和氯氧化铋粉体，所述硫粉位于所述氯氧化铋粉体的上游，在所述氯氧化铋粉体的上方设置衬底；加热所述硫粉和所述氯氧化铋粉体，在所述衬底的表面通过化学气相沉积得到一维铋硫氯单晶。本发明提供的制备方法原料易得，采用的化学气相沉积(CVD)的方法具有反应温度低的特点，同时能够大规模的合成BiSCl纳米线单晶，且畴长可调，结晶性好，可以很好地运用于一维纳米线的偏振光电探测器中。
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公开(公告)号：CN117317269A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311449849.2
申请日：2023-11-02
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)
Abstract: 本发明提供了一种棒状Pt/Co‑N‑C氢氧化反应电催化剂及其制备方法和应用，所述棒状Pt/Co‑N‑C氢氧化反应电催化剂中钴以单原子形式分散于氮掺杂的碳纳米棒中，铂以单原子和团簇形式分散于氮掺杂的碳纳米棒中。所述棒状Pt/Co‑N‑C氢氧化反应电催化剂中钴元素含量为0.1～1wt％，铂元素含量为1～3wt％，氮元素含量为1～5wt％。以克服传统电催化材料形态不规则、活性位点低、电子传输率低、活性中心分布不均匀等缺点。属于可持续能源技术领域。
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公开(公告)号：CN119310676A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411747211.1
申请日：2024-12-02
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)
Abstract: 本发明涉及微电子器件技术领域，提供了一种柔性自支撑垂直光波导阵列及其制备方法和应用。本发明采用可紫外固化的SU‑8聚合物作为光波导材料，利用简单的涂覆、光刻和ICP刻蚀工艺，在衬底上制备出垂直光波导阵列，之后制备柔性支撑层并将衬底去除，即得到柔性自支撑垂直光波导阵列。本发明提供的柔性自支撑垂直光波导阵列能够解决图像传感器的光电串扰问题，提高弱光环境中的探测灵敏度，还具有极佳的柔性，能够与图像传感器表面实现共形贴合；并且，本发明的柔性自支撑垂直光波导阵列不依赖图像传感器的像素尺寸，制备过程独立于图像传感器的制备过程，通用性强，灵活性好。
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公开(公告)号：CN119542128A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411622354.X
申请日：2024-11-14
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)
IPC: H01L21/205 , H01L21/78 , H10F77/124 , H10F77/169 , H10F71/00
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，提供了一种磷化铟单晶薄膜的高质量定向远程外延方法和剥离转移方法。本发明在磷化铟单晶衬底表面覆盖单层石墨烯膜，再采用两段式气相外延法制备磷化铟单晶薄膜；之后将磷化铟单晶薄膜剥离并转移到硅基底表面。本发明采用两段式气相外延法，能够保护石墨烯不受破坏，提高外延膜的晶体质量；利用单层石墨烯的薄层特性及电穿透性，可以通过更换不同晶面的衬底制备定向晶面的磷化铟单晶薄膜；同时，石墨烯/外延层界面为范德华力，利用机械力即可剥离，进而实现磷化铟单晶薄膜的转移。综上，本发明能够实现特定取向磷化铟单晶薄膜、异质结薄膜乃至器件的剥离转移和硅基异质集成，应用前景广阔。
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公开(公告)号：CN117352754A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311449851.X
申请日：2023-11-02
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)
Abstract: 本发明提供一种含铁双金属氮化物/Fe1‑N‑C棒状耦合型电催化剂及其合成方法，该棒状耦合型电催化剂为包覆有MFeN纳米点的棒状耦合型催化剂MFeN/Fe1‑N‑C，其中，M为Fe以外的另一种金属，MFeN纳米点的含量在5～60wt％，M:Fe的原子比例为0.1～10，颗粒尺寸在0.5～10nm。包覆有MFeN纳米点的棒状耦合型催化剂MFeN/Fe1‑N‑C，相较于传统电催化材料，具有活性位点分布均匀且密集、电荷转移效率高、气体产物释放快速、双功能性能优异等优点。本发明属于可持续能源技术领域。
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