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公开(公告)号：CN105957934B
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201610263454.7
申请日：2016-04-26
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种n‑SiC衬底AlGaN基垂直结构谐振腔紫外LED芯片及其制备方法，属于半导体发光器件领域。其依次由下电极层、n‑SiC衬底、n‑Alx0Ga1‑x0N导电缓冲层、n‑AlGaN基DBR下反射层、n‑Alx1Ga1‑x1N电流扩展层、AlGaN基极化诱导隧道结、p‑Alx2Ga1‑x2N空穴注入层、AlGaN基量子阱有源区、n‑Alx3Ga1‑x3N电子注入层、n‑AlGaN基DBR上反射层和上电极层构成，0.1≤x0、x1、x2、x3≤0.9。采用与AlGaN晶格更匹配的SiC衬底，改善AlGaN质量，提高内量子效率；利用谐振腔结构，增强TE模偏振光，提高器件光提取效率；通过隧道结实现结构倒置，减弱了极化电场的影响，提高量子阱内载流子复合发光效率。本发明进一步拓展了半导体紫外发光器件的应用范围。
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公开(公告)号：CN104091864B
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201410345455.7
申请日：2014-07-19
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L33/00 , G01N21/3504 , G01N21/359
Abstract: 本发明公开了一种基于PbSe量子点多波长近红外LED的制备方法及气体检测方法。制备方法分为计算PbSe量子点的尺寸，制备PbSe量子点，制备PbSe量子点与无影胶的混合溶液，沉积混合溶液、制备近红外多波长LED(1)等四个步骤。应用该装置的气体检测方法为：制备近红外多波长LED(1)，将所要检测的气体填充进气室光线透过凸透镜(2)、通过气室(3)和凸透镜(4)并由红外光谱仪(5)接收，对被测气体进行标定，测量气体浓度。本发明所设计的装置可实现多种气体的同时检测，灵敏度高、稳定性好、价格低廉、荧光产率高。(3)，近红外多波长LED(1)接通电源后发出光线，
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106323900A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201610860545.9
申请日：2014-07-19
Applicant: 吉林大学
IPC: G01N21/35
Abstract: 本发明公开了一种基于PbSe量子点多波长近红外LED的气体检测方法。包括五个步骤：第一步、制备近红外多波长LED(1)，第二步、将所要检测的气体填充进气室(3)，第三步、近红外多波长LED(1)接通电源后发出光线，光线透过凸透镜(5)接收，第四步、对被测气体进行标定，第五步、利用上述标定后的系统，对被测气体浓度进行检测，实现气体浓度的测量。本发明可实现多种气体的同时检测，灵敏度高、稳定性好、价格低廉、荧光产率高。(2)、通过气室(3)和凸透镜(4)并由红外光谱仪
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公开(公告)号：CN107978661B
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201711092025.9
申请日：2017-11-08
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种带有极化诱导p型掺杂层的氮极性蓝紫光LED芯片及制备方法，属于半导体发光器件技术领域。由(0001)面蓝宝石衬底、低温GaN缓冲层、氮极性GaN模板层、n‑GaN电子注入层、多量子阱有源层、极化诱导p型掺杂空穴注入层组成，其中氮极性GaN模板层中有SiNx掩膜层，极化诱导p型掺杂空穴注入层上设置有p电极，n‑GaN电子注入层有一裸露台面，在其上设置有n电极；本发明采用斜切的蓝宝石衬底，提高外延片的晶体质量及表面平整度；氮极性GaN模板层中原位插入SiNx掩膜，有效阻挡位错同时降低非故意掺杂的浓度，提高内量子效率；采用Al组分线性增加的掺Mg的AlGaN制作形成为极化诱导p型掺杂空穴注入层，提高空穴的浓度，提高电注入效率。
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公开(公告)号：CN107978661A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201711092025.9
申请日：2017-11-08
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种带有极化诱导p型掺杂层的氮极性蓝紫光LED芯片及制备方法，属于半导体发光器件技术领域。由(0001)面蓝宝石衬底、低温GaN缓冲层、氮极性GaN模板层、n-GaN电子注入层、多量子阱有源层、极化诱导p型掺杂空穴注入层组成，其中氮极性GaN模板层中有SiNx掩膜层，极化诱导p型掺杂空穴注入层上设置有p电极，n-GaN电子注入层有一裸露台面，在其上设置有n电极；本发明采用斜切的蓝宝石衬底，提高外延片的晶体质量及表面平整度；氮极性GaN模板层中原位插入SiNx掩膜，有效阻挡位错同时降低非故意掺杂的浓度，提高内量子效率；采用Al组分线性增加的掺Mg的AlGaN制作形成为极化诱导p型掺杂空穴注入层，提高空穴的浓度，提高电注入效率。
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公开(公告)号：CN105957934A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201610263454.7
申请日：2016-04-26
Applicant: 吉林大学
CPC classification number: H01L33/04 , H01L33/007 , H01L33/025 , H01L33/105
Abstract: 一种n‑SiC衬底AlGaN基垂直结构谐振腔紫外LED芯片及其制备方法，属于半导体发光器件领域。其依次由下电极层、n‑SiC衬底、n‑Alx0Ga1‑x0N导电缓冲层、n‑AlGaN基DBR下反射层、n‑Alx1Ga1‑x1N电流扩展层、AlGaN基极化诱导隧道结、p‑Alx2Ga1‑x2N空穴注入层、AlGaN基量子阱有源区、n‑Alx3Ga1‑x3N电子注入层、n‑AlGaN基DBR上反射层和上电极层构成，0.1≤x0、x1、x2、x3≤0.9。采用与AlGaN晶格更匹配的SiC衬底，改善AlGaN质量，提高内量子效率；利用谐振腔结构，增强TE模偏振光，提高器件光提取效率；通过隧道结实现结构倒置，减弱了极化电场的影响，提高量子阱内载流子复合发光效率。本发明进一步拓展了半导体紫外发光器件的应用范围。
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公开(公告)号：CN104091864A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201410345455.7
申请日：2014-07-19
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L33/00 , G01N21/3504 , G01N21/359
CPC classification number: H01L33/0091 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , G01N21/3504 , G01N21/359
Abstract: 本发明公开了一种基于PbSe量子点多波长近红外LED的制备方法及气体检测方法。制备方法分为计算PbSe量子点的尺寸，制备PbSe量子点，制备PbSe量子点与无影胶的混合溶液，沉积混合溶液、制备近红外多波长LED(1)等四个步骤。应用该装置的气体检测方法为：制备近红外多波长LED(1)，将所要检测的气体填充进气室(3)，近红外多波长LED(1)接通电源后发出光线，光线透过凸透镜(2)、通过气室(3)和凸透镜(4)并由红外光谱仪(5)接收，对被测气体进行标定，测量气体浓度。本发明所设计的装置可实现多种气体的同时检测，灵敏度高、稳定性好、价格低廉、荧光产率高。
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