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公开(公告)号：CN115458656B
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202211245699.9
申请日：2022-10-12
Applicant: 吉林大学
IPC: H10H20/822 , H10H20/812 , H10H20/01
Abstract: 一种p‑NiO为盖层的GaN单芯片白光发光管及其制备方法，属于半导体发光器件及其制备技术领域。器件依次由衬底、GaN缓冲层、n型掺Si的GaN电子注入层、多量子阱有源发光层、p型掺Mg的AlzGa1‑zN电子限制层、p‑NiO盖层、上电极和下电极构成。有源发光层依次由蓝光Aly1Ga1‑y1N载流子限制层、蓝光多量子阱Inx1Ga1‑x1N材料有源发光层、黄光Aly2Ga1‑y2N载流子限制层、黄光多量子阱Inx2Ga1‑x2N材料有源发光层组成。本发明利用了p‑NiO高空穴浓度、带隙宽和折射率低的特点，使器件有良好的空穴注入及光和载流子限制，减少高温生长对有源发光层的影响，提高了器件性能。
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公开(公告)号：CN115588720A
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202211245714.X
申请日：2022-10-12
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种p‑NiO为盖层的光通信波段InN红外光发光管和激光器及其制备方法，属于半导体发光器件及其制备技术领域。器件依次由衬底、n型掺Si的GaN外延下限制层、InN材料有源发光层、p型掺Mg的GaN电子限制层，p‑NiO盖层、上电极6和下电极7构成。本发明利用了InN材料是窄直接带隙材料，适合于制备应用于光纤通信领域的近红外1.55μm左右的LED和LD的特性，同时利用p‑NiO高空穴浓度、低电阻率、带隙宽和有比GaN材料折射率低，同时又有生长温度很低的特点，可以使器件有良好的空穴注入，同时有良好的光限制和载流子限制，制备出温度特性好的新型的光通信波段红外光发光管和激光器，可拓展器件的应用范围。
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公开(公告)号：CN106920849B
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201710263443.3
申请日：2017-04-21
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/267 , H01L23/373 , H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种散热性好的Ga2O3基金属氧化物半导体场效应晶体管及其制备方法，属于功率半导体器件及其制备技术领域，该器件由衬底、Ga2O3缓冲层、Ga2O3沟道层、Ga2O3源、漏区、Al2O3绝缘层、金属电极等部件构成；其特征在于：器件衬底是Si单晶，在衬底和Ga2O3缓冲层中间还制备有氮化物和氧化物混合多层结构；混合多层结构由GaN系多层结构薄膜、Ga2O3氧化薄层、非故意掺杂Ga2O3下缓冲层、镁掺杂Ga2O3半绝缘层构成。本发明解决了Ga2O3材料的异质外延问题，并克服了目前Ga2O3基MOSFET器件所使用的Ga2O3单晶衬底的散热性差，售价高等缺点；该发明还能够利用Si材料的工艺成熟、售价低、易集成、散热性好的优点，使Ga2O3基MOSFET器件接近实用化。
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公开(公告)号：CN108417488A
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201810213884.7
申请日：2018-03-15
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L21/28 , H01L29/423 , H01L29/51 , H01L29/786 , H01L21/34
Abstract: 本发明提供了一种复合绝缘结构、晶体管以及复合绝缘结构和晶体管的制作方法，所述复合绝缘结构由AlN薄膜层以及在所述AlN薄膜层表面氧化形成的氧化层构成，其中，AlN薄膜层用于抑制由隧穿引起较大漏电流的同时提高器件的散热能力，而氧化层由于具有较低的界面态密度和较高的致密平整度，有利于后续进行电器元件制作时使用；所述晶体管中的有源层生长于复合绝缘结构中的氧化层上，其利用复合绝缘结构中氧化层表面较低的界面态密度和较高的致密平整度特点，来改善晶体管中有源层与绝缘层之间的界面特性，进而降低晶体管的漏电流、提高工作速度以及散热能力。
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公开(公告)号：CN104953469A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201510217380.9
申请日：2015-04-30
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种GaAs衬底ZnO微米棒端面出光的发光管或激光器及其制备方法，属于半导体发光器件及其制备方法技术领域。由下电极、衬底、ZnO微米棒、空穴注入层和上电极构成，ZnO微米棒沿着衬底的 方向放置，并和衬底之间用焊料烧结在一起，ZnO微米棒周围用有机填充物填平，空穴注入层采用Li掺杂的p-NiO薄膜材料，沿垂直于衬底的 方向解理衬底和ZnO微米棒，解理形成的前、后端面构成激光器的前反射镜和后反射镜。本发明制备了GaAs或InP衬底ZnO微米棒端面出光的发光器件的增益区较长，可以提高器件的输出功率，其激光器件的谐振腔是法布里-珀罗谐振腔，激光的方向性变好，进一步拓展了器件的应用范围。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104681677A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201510086426.8
申请日：2015-02-17
Applicant: 吉林大学
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/0066 , H01L33/0075 , H01L33/14 , H01L33/20 , H01L33/32
Abstract: 本发明属于半导体发光器件及其制备技术领域，涉及一类具有微孔结构的NiO-AlGaN紫外发光管及其制备方法。器件由衬底、衬底上外延生长的AlN缓冲层和下限制层、下限制层上制备的相互分立的AlGaN材料系多量子阱发光层和下电极、发光层上制备的p型AlGaN上限制层、上限制层上制备的p型空穴注入层、空穴注入层上面制备的上电极构成，下限制层是两次完成生长的具有微孔结构的n-AlGaN外延层，p型空穴注入层是p型NiO薄膜，p型AlGaN上限制层的厚度为5～150nm。本发明利用微孔高效吸收应力与位错，提高外延层晶体质量，利用高空穴浓度的NiO薄膜提高空穴注入效率，以提高紫外发光管的输出功率和效率。
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公开(公告)号：CN102497517B
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201110381913.9
申请日：2011-11-25
Applicant: 吉林大学
IPC: H04N5/374 , H04N5/3745
CPC classification number: H04N5/35554
Abstract: 本发明属于半导体图像感测领域，具体涉及一种低工作电压宽动态范围图像传感器装置。图像传感器装置包括一个像素电路、一个模数转换电路、行读出控制电路和列读出控制电路。像素电路采用连续工作模式，提出一种电流源控制方式，不会引入复位噪声，输出电压直接输入模数转换电路进行模数转换，不需要集成相关双采样电路；同时像素电路输出电压摆幅大，不需要集成列放大器电路，简化了装置设计流程，节省芯片面积。该图像传感器装置采用1.8V低工作电压，适于低功耗应用；感光动态范围极宽，高达160dB；结构简单，像素尺寸小；输出电压摆幅大，可以直接被12-bitADC读取。
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公开(公告)号：CN103233210A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201310187221.X
申请日：2013-05-20
Applicant: 吉林大学
Abstract: 氧化物薄膜高温生长用有机金属化学气相沉积设备，属于氧化物薄膜材料制备技术领域，具体涉及一种在超高温（大于1100°C）和氧气气氛条件下氧化物半导体及其它氧化物薄膜功能材料生长的金属有机物化学气相沉积设备。其反应室由其由真空加热腔、内旋转系统、外旋转系统、带有水冷的U型法兰固定装置（1）、带水冷的火炬型中空轴（2）、带水冷的反应室侧壁（5）、喷淋头（6）和抽真空系统（18）组成；火炬型中空轴（2）分为炬体和炬把两部分，其炬把穿过U型法兰底座（1）。旋转电机通过皮带传送带动外旋转系统绕U型法兰底座（1）旋转，从而带动不锈钢旋转轴（7）及圆柱形石英支撑（10）和圆形石墨罩（12）绕真空加热腔旋转。
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公开(公告)号：CN102130107B
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201010584401.8
申请日：2010-12-13
Applicant: 吉林大学 , 大连理工大学 , 亚威朗光电(中国)有限公司
IPC: H01L25/075 , H01L33/40 , H01L33/48 , H01L33/62 , H01L33/00
Abstract: 本发明属于半导体发光器件及其制备技术领域，特别是涉及一类GaN基阵列式高压发光管及其制备方法。器件由支撑衬底1、支撑衬底1上的焊片2和焊片2上面的单元管芯3构成，其特征在于：单元管芯3是垂直结构，其上电极31为条形，下电极32覆盖全部单元管芯3的下面；支撑衬底1是一维方向的阶梯形结构，在每个台阶上有金属化薄膜11；支撑衬底1的每个台阶上有一个单元管芯3，通过焊片2将单元管芯3焊接固定在支撑衬底1上，同时将上面的一个单元管芯的下电极32焊接在下面一个单元管芯的上电极31上，多个单元管芯串联焊接组成阶梯阵列式高压发光管。本发明克服正装结构散热不好，侨接电极制备工艺复杂的缺点，进一步拓展高压发光管应用范围。
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公开(公告)号：CN102064251B
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN201010555083.2
申请日：2010-11-23
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属于半导体发光器件及其制备技术领域，特别是涉及一类GaN基发光管及其制备方法。器件由衬底、衬底上外延生长的n型GaN缓冲层和下限制层2、GaN材料系多量子阱发光层3、p型GaN上限制层4、p型InGaN盖层5、上电极6、下电极7构成，特征在于：衬底是n型SiC单晶衬底，其80％～95％面积的衬底面即出光面被打毛粗化或图形化，电极7被制备在其余5％～20％面积的衬底1上，上电极6全部覆盖在盖层5上面，并制备成兼有反射镜功能。本发明利用SiC衬底晶格和GaN匹配较好，导电和导热性能都比较好，价格适中的优点，提供一种新型大功率SiC衬底垂直结构发光管及其制备方法。
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