公开(公告)号：CN114442629B

公开(公告)日：2022-08-09

申请号：CN202210087144.X

申请日：2022-01-25

Applicant: 吉林大学

Inventor： 崔岸 ,  梁添锰钰 ,  刘立源 ,  马耀辉 ,  续迎萍 ,  杨萌萌

IPC: G05D1/02

Abstract: 本发明公开了一种基于图像处理的移动机器人路径规划方法，包括以下步骤：S1.对地图图像进行预处理：基于移动机器人外部几何特征，计算所述移动机器人运动过程中与周围障碍物的安全距离s，在所述地图图像上以扩张点为中心、以安全距离s为扩张半径形成圆形范围设置安全范围，并对所述安全范围进行标记；对标记后的所述地图图像进行骨骼特征提取，获得参考路径地图；S2.获得初始路径；S3.对所述初始路径进行优化。本发明提高了算法的灵活性，具有较高的鲁棒性、运行效率，并且得到的最优路径能够保证移动机器人的运动安全性。

公开(公告)号：CN117055560A

公开(公告)日：2023-11-14

申请号：CN202311104235.0

申请日：2023-08-30

Applicant: 吉林大学

Inventor： 崔岸 ,  郭帅 ,  续迎萍 ,  张新颖 ,  梁添锰钰 ,  杨萌萌

IPC: G05D1/02

Abstract: 本发明公开了一种基于障碍物运动预测的AGV局部路径规划方法，涉及运输管理技术领域，包括以下步骤：步骤1：构建待规划路径AGV的运动学模型；步骤2：采集AGV激光雷达数据，并采用曲线拟合点云数据方法识别障碍物，并获取障碍物信息；步骤3：根据障碍物信息进行障碍物运动预测，获得障碍物预测轨迹；步骤4：根据障碍物预测轨迹，采用优化的DWA局部路径规划算法，结合运动学模型对待规划路径AGV进行路径规划，获得最优路径。本发明包括动态障碍物运动预测与局部路径规划，在工厂环境下AGV局部路径规划中引入动态障碍物运动预测机制，评估AGV最优避障路径，提高AGV动态环境下路径规划避障效率和安全性。

公开(公告)号：CN114438463B

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202210086876.7

申请日：2022-01-25

Applicant: 吉林大学

Inventor： 崔岸 ,  续迎萍 ,  王振东 ,  王宇 ,  马耀辉 ,  梁添锰钰 ,  杨萌萌

IPC: C23C14/35 ,  H01L21/203

Abstract: 本发明涉及一种芯片真空镀膜装置及镀膜方法，装置包括真空箱体，其内连通有顶部电子发射腔体和底部溅射腔体，顶部电子发射腔体顶部有初级电子发射器；顶部电子发射腔体内，位于初级电子发射器下方设置有用于供初级电子发射器发射电子增加动能的电子动能加速器；阴极机构设置于底部溅射腔体内，其内部具有与外部循环的冷却水，且位于电子动能加速器下方，底部溅射腔体内充有氩气，阴极机构中部安装有靶材，靶材下部设置有供工件冷却的冷却基台，电子动能加速器至工件之间形成增速溅射离子通道；电器柜与初级电子发射器、电子动能加速器、阴极机构、真空系统及氩气供给系统电性连接。本发明满足芯片孔50：1深宽比以上的真空镀膜要求。

公开(公告)号：CN114442629A

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN202210087144.X

申请日：2022-01-25

Applicant: 吉林大学

Inventor： 崔岸 ,  梁添锰钰 ,  刘立源 ,  马耀辉 ,  续迎萍 ,  杨萌萌

IPC: G05D1/02

Abstract: 本发明公开了一种基于图像处理的移动机器人路径规划方法，包括以下步骤：S1.对地图图像进行预处理：基于移动机器人外部几何特征，计算所述移动机器人运动过程中与周围障碍物的安全距离s，在所述地图图像上以扩张点为中心、以安全距离s为扩张半径形成圆形范围设置安全范围，并对所述安全范围进行标记；对标记后的所述地图图像进行骨骼特征提取，获得参考路径地图；S2.获得初始路径；S3.对所述初始路径进行优化。本发明提高了算法的灵活性，具有较高的鲁棒性、运行效率，并且得到的最优路径能够保证移动机器人的运动安全性。

公开(公告)号：CN114438463A

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN202210086876.7

申请日：2022-01-25

Applicant: 吉林大学

Inventor： 崔岸 ,  续迎萍 ,  王振东 ,  王宇 ,  马耀辉 ,  梁添锰钰 ,  杨萌萌

IPC: C23C14/35 ,  H01L21/203

Abstract: 本发明涉及一种芯片真空镀膜装置及镀膜方法，装置包括真空箱体，其内连通有顶部电子发射腔体和底部溅射腔体，顶部电子发射腔体顶部有初级电子发射器；顶部电子发射腔体内，位于初级电子发射器下方设置有用于供初级电子发射器发射电子增加动能的电子动能加速器；阴极机构设置于底部溅射腔体内，其内部具有与外部循环的冷却水，且位于电子动能加速器下方，底部溅射腔体内充有氩气，阴极机构中部安装有靶材，靶材下部设置有供工件冷却的冷却基台，电子动能加速器至工件之间形成增速溅射离子通道；电器柜与初级电子发射器、电子动能加速器、阴极机构、真空系统及氩气供给系统电性连接。本发明满足芯片孔50：1深宽比以上的真空镀膜要求。