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公开(公告)号：CN113753957B
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202111191639.9
申请日：2021-10-13
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种MgMn3(OH)6Cl2纳米材料及其制备方法属于纳米材料制备技术领域。以氯化锰颗粒、氧化锰粉末和氢氧化镁为原料，首先将氯化锰晶体颗粒研磨1小时，然后加入氢氧化镁粉末继续研磨1‑2小时，最后加入氧化锰粉末充分混合研磨2‑3小时；然后在180‑240℃下密封加热6‑12小时，反应结束后，待其冷却至室温，得到棕色的MgMn3(OH)6Cl2纳米材料，产物是菱方晶系晶体，空间群R‑3m(No.166)，晶粒具有纳米片形貌，厚度10‑70nm，颗粒大小50‑900nm。本发明具有方法简单易于实现，花费成本低，产量丰富，结晶度好等优点。
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公开(公告)号：CN113526540B
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202110748147.9
申请日：2021-07-02
Applicant: 吉林大学
IPC: C01G9/00
Abstract: 本发明的一种Cu3Zn(OH)6Cl2晶体及其制备方法，属于磁性材料制备的技术领域。首先将碱式碳酸铜粉末和氯化锌粉末加入乙醇和水的混合溶剂中，搅拌器形成均匀的混浊液，然后加入浓盐酸继续搅拌10～15分钟，将得到的混浊液在180～200℃下密封反应4～8小时；待其冷却至室温，将固液分离、研磨后得到菱形类八面体Cu3Zn(OH)6Cl2晶体材料。制备的Cu3Zn(OH)6Cl2形貌为菱形类八面体晶体，晶体边长大小控制在200‑500纳米范围内。本发明的方法操作简单易行、重复性好、成本低廉；制备出的Cu3Zn(OH)6Cl2纳米晶体具有尺寸均匀，粒径小等优点。
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公开(公告)号：CN112897568B
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202110323216.1
申请日：2021-03-26
Applicant: 吉林大学
IPC: C01G3/05
Abstract: 本发明的一种层状羟基氯化铜粉体材料及其制备方法，属于准二维层状金属羟基卤化物晶体材料制备的技术领域。以纯的具有层状单斜结构的羟基氯化铜(Cu(OH)Cl)晶体粉末为初始原料，在高压装置(DAC)中对初始原料加压至18.7～28.4GPa，卸压至常压，得到两种不同结构的羟基氯化铜(Cu(OH)Cl)混合共存的粉末材料。本发明首次通过高压合成的方法得到了在常压下仍然能稳定存在的具有层状正交结构的羟基氯化铜Cu(OH)Cl晶体材料，有望在量子自旋液体、自旋电子学、阻挫磁性材料等领域获得应用；并且具有过程简单、室温合成、合成时间短、可重复性高等优点。
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公开(公告)号：CN113526575A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202111043034.5
申请日：2021-09-07
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种羟基氯化镍纳米材料及其制备方法属于Ⅷ族羟基氯化物纳米材料的制备领域。所述的羟基氯化镍纳米材料，是由镍、羟基与氯以化学计量数为1:1:1的比例构成的化合物NiOHCl，具有纳米片状形貌，纳米片具有平直规则的表面。制备方法为以六水合氯化镍结晶性粉末、氢氧化镍粉末为原料，首先将两种原料充分混合并研磨30‑60分钟，然后在温度为130～170℃密封加热5～7小时，反应结束后，冷却至室温，将产物继续研磨10‑30分钟，得到羟基氯化镍纳米材料。该方法克服以往制备过程中的缺点，方法简单，成本低，易于控制。
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公开(公告)号：CN113353966A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110748162.3
申请日：2021-07-02
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种羟基氟氯化铜纳米片及其制备方法，属于IB族羟基氟氯化铜纳米片材料的制备领域。所述的羟基氟氯化铜纳米片，是以化学计量数为4:6:1:1的比例构成的化合物Cu4(OH)6FCl，具有六边形纳米片形貌。制备方法包括：首先将氯化铜固体颗粒和六次甲基四胺颗粒加入到去离子水中，搅拌10分钟，然后加入氟化钠颗粒继续搅拌10分钟，将得到的混合溶液在135～195℃下密封反应2～3小时；冷却至室温，将产物离心清洗、干燥、研磨后得到蓝色的羟基氟氯化铜纳米片粉末。本发明的方法流程简单、成本低廉；制备出样品具有产量高、分散性好等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112897568A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202110323216.1
申请日：2021-03-26
Applicant: 吉林大学
IPC: C01G3/05
Abstract: 本发明的一种层状羟基氯化铜粉体材料及其制备方法，属于准二维层状金属羟基卤化物晶体材料制备的技术领域。以纯的具有层状单斜结构的羟基氯化铜(Cu(OH)Cl)晶体粉末为初始原料，在高压装置(DAC)中对初始原料加压至18.7～28.4GPa，卸压至常压，得到两种不同结构的羟基氯化铜(Cu(OH)Cl)混合共存的粉末材料。本发明首次通过高压合成的方法得到了在常压下仍然能稳定存在的具有层状正交结构的羟基氯化铜Cu(OH)Cl晶体材料，有望在量子自旋液体、自旋电子学、阻挫磁性材料等领域获得应用；并且具有过程简单、室温合成、合成时间短、可重复性高等优点。
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公开(公告)号：CN113666402A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110929692.8
申请日：2021-08-13
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种羟基氧化铝纳米材料及其制备方法属于ⅢA族羟基氧化物纳米材料的制备领域。所述的羟基氧化铝纳米材料，是由羟基氧化铝纳米锥以及由所述纳米锥自组装而成的纳米花构成。制备方法为：将无水氯化铝加入无水乙醇，采用磁力搅拌器将其混合均匀；然后将油酸添加到无水氯化铝和无水乙醇混合溶液中，继续采用磁力搅拌器将其混合均匀；之后将混合溶液倒入反应釜，在温度为180～200℃密封保温24～48h；反应结束后，自然冷却至室温，将产物清洗、烘干、研磨后得到白色羟基氧化铝粉末。本发明操作方法简单，易于控制，重复性好，样品纯度高，结晶性好。
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公开(公告)号：CN112174212A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202011252038.X
申请日：2020-11-11
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种羟基氯化锰纳米材料及其制备方法属于VIIB族羟基氯化物材料的制备领域。以氯化锰晶体颗粒和氧化锰粉末为原料，首先将原料混合后研磨2～3小时；然后在100～180℃下密封加热2～8小时，反应结束后，冷却至室温，将产物继续研磨，即得到羟基氯化锰Mn2(OH)3Cl纳米材料。所述的羟基氯化锰纳米材料是锰、羟基、氯以计量数为2:3:1的比例构成的化合物Mn2(OH)3Cl。本发明方法简单易于实现，成本低，重复性好，不产生任何副产物和有害物质，制备出的Mn2(OH)3Cl晶体具有产量高，分布均匀等优点。
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公开(公告)号：CN113353966B
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202110748162.3
申请日：2021-07-02
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种羟基氟氯化铜纳米片及其制备方法，属于IB族羟基氟氯化铜纳米片材料的制备领域。所述的羟基氟氯化铜纳米片，是以化学计量数为4:6:1:1的比例构成的化合物Cu4(OH)6FCl，具有六边形纳米片形貌。制备方法包括：首先将氯化铜固体颗粒和六次甲基四胺颗粒加入到去离子水中，搅拌10分钟，然后加入氟化钠颗粒继续搅拌10分钟，将得到的混合溶液在135～195℃下密封反应2～3小时；冷却至室温，将产物离心清洗、干燥、研磨后得到蓝色的羟基氟氯化铜纳米片粉末。本发明的方法流程简单、成本低廉；制备出样品具有产量高、分散性好等优点。
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公开(公告)号：CN113753957A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202111191639.9
申请日：2021-10-13
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种MgMn3(OH)6Cl2纳米材料及其制备方法属于纳米材料制备技术领域。以氯化锰颗粒、氧化锰粉末和氢氧化镁为原料，首先将氯化锰晶体颗粒研磨1小时，然后加入氢氧化镁粉末继续研磨1‑2小时，最后加入氧化锰粉末充分混合研磨2‑3小时；然后在180‑240℃下密封加热6‑12小时，反应结束后，待其冷却至室温，得到棕色的MgMn3(OH)6Cl2纳米材料，产物是菱方晶系晶体，空间群R‑3m(No.166)，晶粒具有纳米片形貌，厚度10‑70nm，颗粒大小50‑900nm。本发明具有方法简单易于实现，花费成本低，产量丰富，结晶度好等优点。
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