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公开(公告)号：CN111261549A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201911212387.6
申请日：2019-12-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本公开实施例涉及一种分配溶剂的方法。公开一种具有动态控制的多次喷洒光刻胶减量消耗工艺，以改善最终产出率且进一步地减少光刻胶成本。在一实施例中，一种分配溶剂的方法包括：在第一时段以第一速度旋转的同时，在半导体基板上分配溶剂的第一层；在第二时段以第二速度旋转的同时，在半导体基板上分配溶剂，以便将第一层转换成溶剂的第二层；在第三时段以第三速度旋转的同时，在半导体基板上分配溶剂，以便将第二层转换成溶剂的第三层；在第四时段以第四速度旋转的同时，在半导体基板上分配溶剂，以便将第三层转换成溶剂的第四层；以及在第五时段以第五速度旋转的同时，在溶剂的第四层上分配光刻胶的第一层。
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公开(公告)号：CN109256376A
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201810771911.2
申请日：2018-07-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/544
Abstract: 本发明的实施例提供了具有微型识别标记的半导体晶圆及其制造方法。晶圆包括具有第一中心的第一面和具有第二中心的第二面。第一中心和第二中心中的每一个均布置在穿过第一面和第二面的中心轴线上。第一面和第二面在圆周边缘处彼此邻接。对准凹口设置为沿着圆周边缘，并且从圆周边缘向内延伸了对准凹口径向距离。对准凹口径向距离小于从第一中心到圆周边缘测量的晶圆半径。管芯区域包括排列成行和列的管芯阵列，并且管芯区域由没有管芯的无管芯区域圆周地界定。将包括字符串的第一识别标记完全地布置在位于对准凹口的第一侧的无管芯区域中。
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公开(公告)号：CN111261550B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN201911216151.X
申请日：2019-12-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/3213 , G03F7/42
Abstract: 一种半导体制造方法及工艺腔室。在一实施例中，一种半导体制造方法，包括在工艺腔室内接收在金属层上方具有光刻胶遮罩的晶圆，其中工艺腔室连接至气体来源。所述半导体制造方法还包括在工艺腔室内根据光刻胶遮罩而施加配置以蚀刻金属层的蚀刻剂。所述半导体制造方法还包括在工艺腔室中施加来自气体来源的气体以进行等离子体灰化。
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公开(公告)号：CN109256376B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201810771911.2
申请日：2018-07-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/544
Abstract: 本发明的实施例提供了具有微型识别标记的半导体晶圆及其制造方法。晶圆包括具有第一中心的第一面和具有第二中心的第二面。第一中心和第二中心中的每一个均布置在穿过第一面和第二面的中心轴线上。第一面和第二面在圆周边缘处彼此邻接。对准凹口设置为沿着圆周边缘，并且从圆周边缘向内延伸了对准凹口径向距离。对准凹口径向距离小于从第一中心到圆周边缘测量的晶圆半径。管芯区域包括排列成行和列的管芯阵列，并且管芯区域由没有管芯的无管芯区域圆周地界定。将包括字符串的第一识别标记完全地布置在位于对准凹口的第一侧的无管芯区域中。
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公开(公告)号：CN112447572A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202010863601.0
申请日：2020-08-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/683
Abstract: 提供一种半导体吸座。半导体吸座包括一金属基部以及在金属基部上方的一第一接着层。半导体吸座包括在第一接着层上方的一介电层，其中介电层是通过第一接着层而接着至金属基部。半导体吸座包括在介电层上方的一可移除保护板，其中可移除保护板的一第一部分覆盖介电层的一顶表面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111088482A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201911012054.9
申请日：2019-10-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开实施例提供一种转移系统。转移系统包括一真空腔室、一轴以及一真空旋转馈通。真空腔室耦接至一处理腔室。轴耦接至一滚珠螺杆，且滚珠螺杆以及轴配置在真空腔室中。真空旋转馈通包括一磁流体轴封，以提供一高真空密封，其中真空旋转馈通配置成通过真空腔室的一第一端并耦接至滚珠螺杆，以对滚珠螺杆提供一旋转运动。
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公开(公告)号：CN113206027A
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202110473834.4
申请日：2021-04-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/687 , C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/46
Abstract: 一种半导体处理装置及半导体处理方法，半导体处理装置包括加热器以及加热器升降总成，加热器被配置成加热位于加热器的晶片承载区域上的晶片，加热器包括在晶片承载区域下面延伸的加热器轴，加热器升降总成包括升降轴、夹具及阻尼器，升降轴被配置成在垂直方向上移动加热器轴，夹具将加热器轴连接到升降轴，阻尼器设置在夹具顶部上。
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公开(公告)号：CN112447482A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202010869992.7
申请日：2020-08-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 提供一种法拉第屏罩、半导体处理设备及刻蚀设备。所述法拉第屏罩包括多个导电片及间隔件，所述间隔件插设在所述多个导电片中的相邻两者之间以将所述多个导电片中的所述相邻两者彼此电隔离。所述多个导电片分开排列在彼此旁边并沿着所述法拉第屏罩的圆周取向。线圈缠绕在所述法拉第屏罩的所述圆周周围。
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公开(公告)号：CN111243989A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN201911194718.8
申请日：2019-11-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开涉及湿式工作台的清洁系统以及方法。本公开实施例的技术包括在化学品更换程序中与湿式工作台一起使用的空间填充装置。空间填充装置具有高于用于清洗湿式工作台的化学品的整体密度。这样一来，当被埋到湿式工作台或更具体地湿式工作台的化学槽中时，空间填充装置将占据内部体积空间的一部分。因此，使用较少的清洗化学品填充以及浸泡湿式工作台。
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公开(公告)号：CN111261549B
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN201911212387.6
申请日：2019-12-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本公开实施例涉及一种分配溶剂的方法。公开一种具有动态控制的多次喷洒光刻胶减量消耗工艺，以改善最终产出率且进一步地减少光刻胶成本。在一实施例中，一种分配溶剂的方法包括：在第一时段以第一速度旋转的同时，在半导体基板上分配溶剂的第一层；在第二时段以第二速度旋转的同时，在半导体基板上分配溶剂，以便将第一层转换成溶剂的第二层；在第三时段以第三速度旋转的同时，在半导体基板上分配溶剂，以便将第二层转换成溶剂的第三层；在第四时段以第四速度旋转的同时，在半导体基板上分配溶剂，以便将第三层转换成溶剂的第四层；以及在第五时段以第五速度旋转的同时，在溶剂的第四层上分配光刻胶的第一层。
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