公开(公告)号：CN111261550B

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN201911216151.X

申请日：2019-12-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王兴翔 ,  林钰翔 ,  彭杏威 ,  邱碧云 ,  蔡妙欣 ,  陈韦达 ,  陈青宏 ,  黄正义

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/3213 ,  G03F7/42

Abstract: 一种半导体制造方法及工艺腔室。在一实施例中，一种半导体制造方法，包括在工艺腔室内接收在金属层上方具有光刻胶遮罩的晶圆，其中工艺腔室连接至气体来源。所述半导体制造方法还包括在工艺腔室内根据光刻胶遮罩而施加配置以蚀刻金属层的蚀刻剂。所述半导体制造方法还包括在工艺腔室中施加来自气体来源的气体以进行等离子体灰化。

公开(公告)号：CN111261550A

公开(公告)日：2020-06-09

申请号：CN201911216151.X

申请日：2019-12-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王兴翔 ,  林钰翔 ,  彭杏威 ,  邱碧云 ,  蔡妙欣 ,  陈韦达 ,  陈青宏 ,  黄正义

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/3213 ,  G03F7/42

Abstract: 一种半导体制造方法及工艺腔室。在一实施例中，一种半导体制造方法，包括在工艺腔室内接收在金属层上方具有光刻胶遮罩的晶圆，其中工艺腔室连接至气体来源。所述半导体制造方法还包括在工艺腔室内根据光刻胶遮罩而施加配置以蚀刻金属层的蚀刻剂。所述半导体制造方法还包括在工艺腔室中施加来自气体来源的气体以进行等离子体灰化。