公开(公告)号：CN114864506A

公开(公告)日：2022-08-05

申请号：CN202210306481.3

申请日：2022-03-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄善瑜 ,  锺孝文 ,  陈怡伦 ,  林晃生

IPC: H01L23/00 ,  H01L21/762 ,  H01L21/8234

Abstract: 本公开提出一种半导体结构。半导体结构包括两个电路区域；两个内部密封圈，两个内部密封圈中的每一个围绕两个电路区域的一个；一外部密封圈，围绕两个内部密封圈，其中内部密封圈和外部密封圈中的每一个具有一大致上矩形的周边，大致上矩形的周边具有四个内角密封圈结构；四个第一冗余区域，在两个内部密封圈和外部密封圈之间，四个第一冗余区域中的每一个为一大致上梯形形状；以及多个第一虚拟图案，大致上均匀地分布于四个第一冗余区域。

公开(公告)号：CN115565985A

公开(公告)日：2023-01-03

申请号：CN202210943768.7

申请日：2022-08-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄善瑜 ,  郑明达 ,  锺孝文 ,  萧景文 ,  洪丽钧 ,  张元耀 ,  谢孟修

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

Abstract: 本公开实施例提出一种芯片结构及其形成方法。芯片结构包含基底，芯片结构包含基底上方的第一导线，芯片结构包含基底和第一导线上方的绝缘层。芯片结构包含绝缘层上方的导电柱。导电柱一体成型，导电柱具有下表面及自下表面凸出的底部凸出部，底部凸出部穿过第一导线上方的绝缘层，底部凸出部直接接触第一导线，并且第一导线在导电柱下方的第一部分的第一线宽小于导电柱的宽度。芯片结构包含导电柱上的焊料凸块。焊料凸块直接接触导电柱。

公开(公告)号：CN115274656A

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202210792338.X

申请日：2022-07-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄善瑜 ,  林学亨 ,  陈世昌 ,  锺孝文 ,  陈怡伦

IPC: H01L27/088 ,  H01L23/00

Abstract: 本发明的实施例提供了一种半导体结构，包括两个电路区和两个内密封环，每个内密封环均围绕一个电路区。每个内密封环具有大致矩形的外围，同时带有四个内角应力消除(CSR)结构。半导体结构还包括围绕这两个内密封环的外密封环。外密封环具有大致矩形的外围，但在外密封环的四个内角处没有CSR结构。外密封环包括位于两个内密封环中的每一个与外密封环的相应短边之间的多个第一鳍结构。每个第一鳍结构与外密封环的相应短边平行。第一鳍结构的长度沿着从内密封环到外密封环的相应短边的方向逐渐减小。

公开(公告)号：CN219626643U

公开(公告)日：2023-09-01

申请号：CN202320695692.0

申请日：2023-03-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄善瑜 ,  陈怡伦 ,  林晃生

IPC: H01L23/31

Abstract: 一种半导体结构，包括一第一电路区域；一第一内密封环至少部分围绕第一电路区域；以及一外密封环至少部分围绕第一内密封环。外密封环包括一第一角部以及位于第一角部处的大致三角形的一角部密封环(CSR)结构。第一内密封环包括与角部密封环结构相邻并间隔开的一第二角部。半导体结构还包括一第一区域，位于第一角部的一第一边和第二角部的一第一边之间，第二角部的第一边平行于第一角部的第一边，以及多个功能图案位于第一区域中。

公开(公告)号：CN220569676U

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202321498936.2

申请日：2023-06-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄善瑜 ,  陈怡伦 ,  林晃生

IPC: H01L23/535 ,  H01L23/48 ,  H01L23/31 ,  H01L25/065

Abstract: 本公开实施例提供一种半导体装置及晶片级结构。在半导体装置中，第一裸片包括多个第一晶体管，第一密封环在俯视图中围绕第一裸片，第二裸片包括多个第二电裸片，第二密封环在俯视图中围绕第二裸片，多个导电元件在俯视图中延伸到第一裸片和第二裸片中，导电元件将第一裸片与第二裸片电性互连，第三密封环在俯视图中围绕第一裸片、第二裸片及导电元件。