公开(公告)号：CN104681613B

公开(公告)日：2018-03-23

申请号：CN201410291087.2

申请日：2014-06-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 江国诚 ,  黄俊嘉 ,  王昭雄 ,  刘继文

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/823431 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823481 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明提供了半导体器件的FIN结构。一种诸如鳍式场效应晶体管(FinFET)的半导体器件的鳍结构及其制造方法。在一个实施例中，在衬底中形成沟槽，并沿着沟槽的侧壁形成内衬，其中，相邻沟槽之间的区域限定了鳍。介电材料形成在沟槽中。鳍的部分半导体材料的由第二半导体材料和第三半导体材料替代，第二半导体材料具有不同于衬底的晶格常数，且第三半导体材料具有不同于第二半导体材料的晶格常数。部分第二半导体材料被氧化。

公开(公告)号：CN104681613A

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201410291087.2

申请日：2014-06-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 江国诚 ,  黄俊嘉 ,  王昭雄 ,  刘继文

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/823431 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823481 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明提供了半导体器件的FIN结构。一种诸如鳍式场效应晶体管(FinFET)的半导体器件的鳍结构及其制造方法。在一个实施例中，在衬底中形成沟槽，并沿着沟槽的侧壁形成内衬，其中，相邻沟槽之间的区域限定了鳍。介电材料形成在沟槽中。鳍的部分半导体材料的由第二半导体材料和第三半导体材料替代，第二半导体材料具有不同于衬底的晶格常数，且第三半导体材料具有不同于第二半导体材料的晶格常数。部分第二半导体材料被氧化。

公开(公告)号：CN104425410B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201310688355.X

申请日：2013-12-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 江国诚 ,  黄俊嘉

IPC: H01L23/48

CPC classification number: H01L21/823821 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02233 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/31105 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/82385 ,  H01L21/823878 ,  H01L21/84 ,  H01L27/092 ,  H01L27/0922 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/165 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/775 ,  H01L29/7854 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供了集成电路（IC）。IC包括具有金属氧化物半导体（MOS）区的衬底。IC还包括第一栅极区、源极区和漏极区，以及第二栅极区、源极区和漏极区，其中第一栅极区具有第一长度，第二栅极区具有第二长度。第一纳米线组设置在第一栅极区中，第一纳米线组包括具有第一直径的纳米线，并连接至第一源极区中的部件和第一漏极区中的部件。第二纳米线组设置在第二栅极区中，第二纳米线组包括具有第二直径的纳米线，并连接至第二源极区中的部件和第二漏极区中的部件。直径为：如果第一长度大于第二长度，则第一直径小于第二直径，反之亦然。本发明还提供了具有纳米线的集成电路。

公开(公告)号：CN103928518A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201310580828.4

申请日：2013-11-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 江国诚 ,  黄俊嘉 ,  王昭雄 ,  刘继文

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L29/7849 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供了一种集成电路结构，包括：半导体衬底和延伸至半导体衬底内的隔离区，其中，隔离区具有相向的相对侧壁。鳍结构包括：比隔离区的顶面高的硅鳍；被硅鳍覆盖的含锗半导体区；位于含锗半导体区的相对两侧上的氧化硅区；以及位于硅鳍和一个氧化硅区之间并且与它们接触的含锗半导体层。

公开(公告)号：CN110718588B

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN201811318133.8

申请日：2018-11-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 大藤彻 ,  蔡庆威 ,  黄俊嘉 ,  程冠伦 ,  徐继兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L29/10

Abstract: 本发明描述了一种用于形成具有可调整性能的全环栅纳米片FET的方法。该方法包括在衬底上设置具有不同宽度的第一垂直结构和第二垂直结构，其中，第一垂直结构和第二垂直结构的顶部包括具有交替的第一纳米片层和第二纳米片层的多层纳米片堆叠件。该方法还包括在第一垂直结构和第二垂直结构的顶部上方设置牺牲栅极结构；在第一垂直结构和第二垂直结构上方沉积隔离层，从而使得隔离层围绕牺牲栅极结构的侧壁；蚀刻牺牲栅极结构以从第一垂直结构和第二垂直结构暴露每个多层纳米片堆叠件；从每个暴露的多层纳米片堆叠件去除第二纳米片层以形成悬置的第一纳米片层；形成金属栅极结构以围绕悬置的第一纳米片层。本发明实施例涉及高性能MOSFET。

公开(公告)号：CN110718588A

公开(公告)日：2020-01-21

申请号：CN201811318133.8

申请日：2018-11-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 大藤彻 ,  蔡庆威 ,  黄俊嘉 ,  程冠伦 ,  徐继兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L29/10

Abstract: 本发明描述了一种用于形成具有可调整性能的全环栅纳米片FET的方法。该方法包括在衬底上设置具有不同宽度的第一垂直结构和第二垂直结构，其中，第一垂直结构和第二垂直结构的顶部包括具有交替的第一纳米片层和第二纳米片层的多层纳米片堆叠件。该方法还包括在第一垂直结构和第二垂直结构的顶部上方设置牺牲栅极结构；在第一垂直结构和第二垂直结构上方沉积隔离层，从而使得隔离层围绕牺牲栅极结构的侧壁；蚀刻牺牲栅极结构以从第一垂直结构和第二垂直结构暴露每个多层纳米片堆叠件；从每个暴露的多层纳米片堆叠件去除第二纳米片层以形成悬置的第一纳米片层；形成金属栅极结构以围绕悬置的第一纳米片层。本发明实施例涉及高性能MOSFET。

公开(公告)号：CN103928518B

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：CN201310580828.4

申请日：2013-11-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 江国诚 ,  黄俊嘉 ,  王昭雄 ,  刘继文

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L29/7849 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供了一种集成电路结构，包括：半导体衬底和延伸至半导体衬底内的隔离区，其中，隔离区具有相向的相对侧壁。鳍结构包括：比隔离区的顶面高的硅鳍；被硅鳍覆盖的含锗半导体区；位于含锗半导体区的相对两侧上的氧化硅区；以及位于硅鳍和一个氧化硅区之间并且与它们接触的含锗半导体层。

公开(公告)号：CN104518026B

公开(公告)日：2018-06-26

申请号：CN201310744235.7

申请日：2013-12-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 江国诚 ,  吴志强 ,  黄俊嘉 ,  王昭雄 ,  刘继文

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L27/085

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L21/823431

Abstract: 一种方法包括：形成半导体鳍状件，在该半导体鳍状件的顶面和侧壁上形成伪栅极，以及去除该伪栅极以形成凹槽。该半导体鳍状件暴露于该凹槽。在去除该伪栅极之后，对该半导体鳍状件实施氧化以形成位于该凹槽中的富集的含锗鳍状件和位于该富集的含锗鳍状件的顶面和侧壁上的氧化硅层。该方法还包括在该富集的含锗鳍状件上方形成栅极电介质，以及在该栅极电介质上方形成栅电极。本发明还包括带有梯度含锗沟道的FinFET。

公开(公告)号：CN104183497B

公开(公告)日：2017-09-12

申请号：CN201310373818.3

申请日：2013-08-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 江国诚 ,  林志昌 ,  陈冠霖 ,  徐廷鋐 ,  黄俊嘉

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L27/0924 ,  H01L21/02356 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/82385 ,  H01L21/823864 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明提供了具有可调节拉伸应变的鳍式场效应晶体管（FinFET）及在集成电路中调整拉伸应变的实施例方法。方法包括在鳍中的栅极区的对侧上形成源极/漏极区，在鳍上方形成间隔件，间隔件邻近源极/漏极区，在间隔件之间沉积电介质；以及实施退火工艺以使电介质收缩，电解质的收缩使间隔件变形，间隔件的变形扩大了鳍中的栅极区。

公开(公告)号：CN104425410A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201310688355.X

申请日：2013-12-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 江国诚 ,  黄俊嘉

IPC: H01L23/48

CPC classification number: H01L21/823821 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02233 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/31105 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/82385 ,  H01L21/823878 ,  H01L21/84 ,  H01L27/092 ,  H01L27/0922 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/165 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/775 ,  H01L29/7854 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供了集成电路（IC）。IC包括具有金属氧化物半导体（MOS）区的衬底。IC还包括第一栅极区、源极区和漏极区，以及第二栅极区、源极区和漏极区，其中第一栅极区具有第一长度，第二栅极区具有第二长度。第一纳米线组设置在第一栅极区中，第一纳米线组包括具有第一直径的纳米线，并连接至第一源极区中的部件和第一漏极区中的部件。第二纳米线组设置在第二栅极区中，第二纳米线组包括具有第二直径的纳米线，并连接至第二源极区中的部件和第二漏极区中的部件。直径为：如果第一长度大于第二长度，则第一直径小于第二直径，反之亦然。本发明还提供了具有纳米线的集成电路。