公开(公告)号：CN113571576A

公开(公告)日：2021-10-29

申请号：CN202110461917.1

申请日：2021-04-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林基富 ,  陈钲欣 ,  徐明义 ,  黄坤铭 ,  郭建利

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

Abstract: 半导体装置包括在衬底中形成的至第一深度和第一宽度的第一阱以及在衬底中形成的至第二深度和第二宽度的第二阱。在第二阱中形成第一阱，第一深度大于第二深度，并且第二宽度大于第一宽度。在第二阱中形成源极区域，并且在衬底中形成漏极区域。本申请的实施例还涉及形成半导体装置的方法。

公开(公告)号：CN113851420A

公开(公告)日：2021-12-28

申请号：CN202011465464.1

申请日：2020-12-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈重磊 ,  陈钲欣 ,  丁中捷 ,  林哲毅 ,  李承宗

IPC: H01L21/762

Abstract: 一种提供沟槽隔离的方法包括以下步骤。一个或多个半导体处理工具可在硅晶片内形成深沟槽。所述一个或多个半导体处理工具可在深沟槽内沉积第一绝缘材料。在硅晶片内形成深沟槽之后，所述一个或多个半导体处理工具可在深沟槽上方形成浅沟槽。所述一个或多个半导体处理工具可在浅沟槽内沉积第二绝缘材料。更提供一种具有深沟槽以及浅沟槽的半导体器件。