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公开(公告)号：CN113571576A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202110461917.1
申请日：2021-04-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/331
Abstract: 半导体装置包括在衬底中形成的至第一深度和第一宽度的第一阱以及在衬底中形成的至第二深度和第二宽度的第二阱。在第二阱中形成第一阱，第一深度大于第二深度，并且第二宽度大于第一宽度。在第二阱中形成源极区域，并且在衬底中形成漏极区域。本申请的实施例还涉及形成半导体装置的方法。
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