公开(公告)号：CN113948640A

公开(公告)日：2022-01-18

申请号：CN202110259087.4

申请日：2021-03-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林恩硕 ,  柯升 ,  林基富 ,  林哲毅 ,  李承宗

IPC: H01L49/02 ,  B81B7/02

Abstract: 本发明涉及一种深沟槽结构，可形成于电容性器件的多个电极之间。深沟槽结构可形成为具有相对于使用金属刻蚀终止层来形成的沟槽结构来说得以增加深沟槽结构的体积的深度、宽度和/或纵横比。因此，深沟槽结构能够填充有更大量的介电材料，这增加电容性器件的电容值。此外，可通过省略金属刻蚀终止层来减小电容性器件的寄生电容。因此，深沟槽结构(和金属刻蚀终止层的省略)可增加电容性器件的灵敏度，可增加电容性器件的湿度传感性能，和/或可增加在其中包含电容性器件的器件和/或集成电路的性能。

公开(公告)号：CN113571576A

公开(公告)日：2021-10-29

申请号：CN202110461917.1

申请日：2021-04-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林基富 ,  陈钲欣 ,  徐明义 ,  黄坤铭 ,  郭建利

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

Abstract: 半导体装置包括在衬底中形成的至第一深度和第一宽度的第一阱以及在衬底中形成的至第二深度和第二宽度的第二阱。在第二阱中形成第一阱，第一深度大于第二深度，并且第二宽度大于第一宽度。在第二阱中形成源极区域，并且在衬底中形成漏极区域。本申请的实施例还涉及形成半导体装置的方法。